2 ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার 6H বা 4H N-টাইপ বা সেমি-ইনসুলেটিং SiC সাবস্ট্রেটস
প্রস্তাবিত পণ্য
4H SiC ওয়েফার এন-টাইপ
ব্যাস: 2 ইঞ্চি 50.8 মিমি | 4 ইঞ্চি 100 মিমি | 6 ইঞ্চি 150 মিমি
ওরিয়েন্টেশন: অফ অক্ষ 4.0˚ দিকে <1120> ± 0.5˚
প্রতিরোধ ক্ষমতা: <0.1 ohm.cm
রুক্ষতা: সি-ফেস CMP Ra <0.5nm, C-ফেস অপটিক্যাল পলিশ Ra <1 nm
4H SiC ওয়েফার আধা-অন্তরক
ব্যাস: 2 ইঞ্চি 50.8 মিমি | 4 ইঞ্চি 100 মিমি | 6 ইঞ্চি 150 মিমি
ওরিয়েন্টেশন: অক্ষে {0001} ± 0.25˚
প্রতিরোধ ক্ষমতা:>1E5 ohm.cm
রুক্ষতা: সি-ফেস CMP Ra <0.5nm, C-ফেস অপটিক্যাল পলিশ Ra <1 nm
1. 5G অবকাঠামো -- যোগাযোগ পাওয়ার সাপ্লাই।
যোগাযোগ পাওয়ার সাপ্লাই হল সার্ভার এবং বেস স্টেশন যোগাযোগের শক্তির ভিত্তি। এটি যোগাযোগ ব্যবস্থার স্বাভাবিক ক্রিয়াকলাপ নিশ্চিত করতে বিভিন্ন ট্রান্সমিশন সরঞ্জামের জন্য বৈদ্যুতিক শক্তি সরবরাহ করে।
2. নতুন শক্তির গাড়ির চার্জিং পাইল -- চার্জিং পাইলের পাওয়ার মডিউল।
চার্জিং পাইল পাওয়ার মডিউলের উচ্চ দক্ষতা এবং উচ্চ শক্তি চার্জিং পাইল পাওয়ার মডিউলে সিলিকন কার্বাইড ব্যবহার করে উপলব্ধি করা যেতে পারে, যাতে চার্জিংয়ের গতি উন্নত করা যায় এবং চার্জিং খরচ কমানো যায়।
3. বিগ ডাটা সেন্টার, ইন্ডাস্ট্রিয়াল ইন্টারনেট -- সার্ভার পাওয়ার সাপ্লাই।
সার্ভার পাওয়ার সাপ্লাই হল সার্ভার এনার্জি লাইব্রেরি। সার্ভার সিস্টেমের স্বাভাবিক অপারেশন নিশ্চিত করার জন্য সার্ভার শক্তি প্রদান করে। সার্ভার পাওয়ার সাপ্লাইতে সিলিকন কার্বাইড পাওয়ার উপাদানগুলির ব্যবহার সার্ভার পাওয়ার সাপ্লাইয়ের পাওয়ার ঘনত্ব এবং দক্ষতা উন্নত করতে পারে, সামগ্রিকভাবে ডেটা সেন্টারের ভলিউম কমাতে পারে, ডেটা সেন্টারের সামগ্রিক নির্মাণ খরচ কমাতে পারে এবং উচ্চ পরিবেশগত অর্জন করতে পারে। দক্ষতা
4. Uhv - নমনীয় ট্রান্সমিশন ডিসি সার্কিট ব্রেকারের প্রয়োগ।
5. ইন্টারসিটি হাই-স্পিড রেল এবং ইন্টারসিটি রেল ট্রানজিট -- ট্র্যাকশন কনভার্টার, পাওয়ার ইলেকট্রনিক ট্রান্সফরমার, অক্জিলিয়ারী কনভার্টার, অক্জিলিয়ারী পাওয়ার সাপ্লাই।
প্যারামিটার
বৈশিষ্ট্য | ইউনিট | সিলিকন | SiC | GaN |
ব্যান্ডগ্যাপ প্রস্থ | eV | 1.12 | 3.26 | 3.41 |
ভাঙ্গন ক্ষেত্র | এমভি/সেমি | 0.23 | 2.2 | 3.3 |
ইলেক্ট্রন গতিশীলতা | সেমি^2/বনাম | 1400 | 950 | 1500 |
প্রবাহ গতিবেগ | 10^7 সেমি/সেকেন্ড | 1 | 2.7 | 2.5 |
তাপ পরিবাহিতা | W/cmK | 1.5 | 3.8 | 1.3 |