২০০ মিমি SiC সাবস্ট্রেট ডামি গ্রেড ৪H-N ৮ ইঞ্চি SiC ওয়েফার

৮-ইঞ্চি SiC সাবস্ট্রেট উৎপাদনের প্রযুক্তিগত অসুবিধাগুলির মধ্যে রয়েছে:

১. স্ফটিক বৃদ্ধি: ত্রুটি এবং অমেধ্য নিয়ন্ত্রণের কারণে বৃহৎ ব্যাসে সিলিকন কার্বাইডের উচ্চমানের একক স্ফটিক বৃদ্ধি অর্জন করা চ্যালেঞ্জিং হতে পারে।

২. ওয়েফার প্রক্রিয়াকরণ: ৮-ইঞ্চি ওয়েফারের বৃহত্তর আকার ওয়েফার প্রক্রিয়াকরণের সময় অভিন্নতা এবং ত্রুটি নিয়ন্ত্রণের ক্ষেত্রে চ্যালেঞ্জ উপস্থাপন করে, যেমন পলিশিং, এচিং এবং ডোপিং।

৩. উপাদানের একজাতীয়তা: সমগ্র ৮-ইঞ্চি SiC সাবস্ট্রেট জুড়ে সামঞ্জস্যপূর্ণ উপাদানের বৈশিষ্ট্য এবং একজাতীয়তা নিশ্চিত করা প্রযুক্তিগতভাবে কঠিন এবং উৎপাদন প্রক্রিয়ার সময় সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণ প্রয়োজন।

৪.খরচ: উৎপাদন প্রক্রিয়ার জটিলতা এবং খরচের কারণে উচ্চ উপাদানের গুণমান এবং ফলন বজায় রেখে ৮-ইঞ্চি SiC সাবস্ট্রেট পর্যন্ত স্কেল করা অর্থনৈতিকভাবে চ্যালেঞ্জিং হতে পারে।

৫. উচ্চ-কার্যক্ষমতাসম্পন্ন শক্তি এবং অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলিতে ৮-ইঞ্চি SiC সাবস্ট্রেটের ব্যাপক গ্রহণের জন্য এই প্রযুক্তিগত অসুবিধাগুলি মোকাবেলা করা অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।

আমরা চীনের এক নম্বর রপ্তানিকারক SiC কারখানাগুলি, যার মধ্যে রয়েছে ট্যাঙ্কব্লু, থেকে নীলকান্তমণি সাবস্ট্রেট সরবরাহ করি। ১০ বছরেরও বেশি সময় ধরে আমাদের কারখানার সাথে ঘনিষ্ঠ সম্পর্ক বজায় রাখার সুযোগ করে দিয়েছে। দীর্ঘমেয়াদী এবং স্থিতিশীল সরবরাহের জন্য আপনার প্রয়োজনীয় ৬ ইঞ্চি এবং ৮ ইঞ্চি SiC সাবস্ট্রেট আমরা আপনাকে সরবরাহ করতে পারি, একই সাথে সর্বোত্তম মূল্য এবং মূল্য প্রদান করতে পারি।

ট্যাঙ্কব্লু একটি উচ্চ-প্রযুক্তিগত উদ্যোগ যা তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর সিলিকন কার্বাইড (SiC) চিপগুলির উন্নয়ন, উৎপাদন এবং বিক্রয়ে বিশেষজ্ঞ। কোম্পানিটি বিশ্বের শীর্ষস্থানীয় SiC ওয়েফার উৎপাদকদের মধ্যে একটি।