200mm SiC সাবস্ট্রেট ডামি গ্রেড 4H-N 8 ইঞ্চি SiC ওয়েফার

8-ইঞ্চি SiC সাবস্ট্রেট উত্পাদনের প্রযুক্তিগত অসুবিধাগুলির মধ্যে রয়েছে:

1.ক্রিস্টাল গ্রোথ: বড় ব্যাসের সিলিকন কার্বাইডের উচ্চ-মানের একক স্ফটিক বৃদ্ধি অর্জন করা ত্রুটি এবং অমেধ্য নিয়ন্ত্রণের কারণে চ্যালেঞ্জিং হতে পারে।

2. ওয়েফার প্রক্রিয়াকরণ: 8 ইঞ্চি ওয়েফারের বড় আকার ওয়েফার প্রক্রিয়াকরণের সময় অভিন্নতা এবং ত্রুটি নিয়ন্ত্রণের ক্ষেত্রে চ্যালেঞ্জ উপস্থাপন করে, যেমন পলিশিং, এচিং এবং ডোপিং।

3.বস্তুর একজাতীয়তা: সমগ্র 8-ইঞ্চি SiC সাবস্ট্রেট জুড়ে সামঞ্জস্যপূর্ণ উপাদান বৈশিষ্ট্য এবং একজাততা নিশ্চিত করা প্রযুক্তিগতভাবে দাবিদার এবং উত্পাদন প্রক্রিয়ার সময় সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণ প্রয়োজন।

4. খরচ: উচ্চ উপাদানের গুণমান এবং ফলন বজায় রাখার সময় 8-ইঞ্চি SiC সাবস্ট্রেট পর্যন্ত স্কেল করা উৎপাদন প্রক্রিয়ার জটিলতা এবং খরচের কারণে অর্থনৈতিকভাবে চ্যালেঞ্জিং হতে পারে।

5. উচ্চ-ক্ষমতাসম্পন্ন শক্তি এবং অপটোইলেক্ট্রনিক ডিভাইসগুলিতে 8-ইঞ্চি SiC সাবস্ট্রেটগুলির ব্যাপকভাবে গ্রহণের জন্য এই প্রযুক্তিগত অসুবিধাগুলিকে মোকাবেলা করা অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।

আমরা ট্যাঙ্কব্লু সহ চীনের এক নম্বর রপ্তানি SiC কারখানা থেকে নীলকান্তমণি সাবস্ট্রেট সরবরাহ করি। 10 বছরেরও বেশি এজেন্সি আমাদের কারখানার সাথে ঘনিষ্ঠ সম্পর্ক বজায় রাখার অনুমতি দিয়েছে। আমরা আপনাকে 6 ইঞ্চি এবং 8 ইঞ্চি সাইক সাবস্ট্রেটগুলি সরবরাহ করতে পারি যা আপনার দীর্ঘমেয়াদী এবং স্থিতিশীল সরবরাহের জন্য সর্বোত্তম মূল্য এবং মূল্য অফার করার সময় প্রয়োজন।

ট্যাঙ্কব্লু হল একটি উচ্চ-প্রযুক্তি সংস্থা যা তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর সিলিকন কার্বাইড (SiC) চিপগুলির বিকাশ, উত্পাদন এবং বিক্রয়ে বিশেষজ্ঞ৷ কোম্পানিটি SiC ওয়েফারের বিশ্বের শীর্ষস্থানীয় উত্পাদকদের মধ্যে একটি।