২ ইঞ্চি ৫০.৮ মিমি জার্মেনিয়াম ওয়েফার সাবস্ট্রেট সিঙ্গেল ক্রিস্টাল ১এসপি ২এসপি
বিস্তারিত তথ্য
জার্মেনিয়াম চিপসের অর্ধপরিবাহী বৈশিষ্ট্য রয়েছে। কঠিন অবস্থা পদার্থবিদ্যা এবং কঠিন অবস্থা ইলেকট্রনিক্সের বিকাশে গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করেছে। জার্মেনিয়ামের গলন ঘনত্ব 5.32g/cm 3, জার্মেনিয়ামকে একটি পাতলা বিক্ষিপ্ত ধাতু হিসাবে শ্রেণীবদ্ধ করা যেতে পারে, জার্মেনিয়াম রাসায়নিক স্থিতিশীলতা, ঘরের তাপমাত্রায় বায়ু বা জলীয় বাষ্পের সাথে মিথস্ক্রিয়া করে না, তবে 600 ~ 700℃ তাপমাত্রায়, জার্মেনিয়াম ডাই অক্সাইড দ্রুত উৎপন্ন হয়। হাইড্রোক্লোরিক অ্যাসিড, পাতলা সালফিউরিক অ্যাসিডের সাথে কাজ করে না। ঘনীভূত সালফিউরিক অ্যাসিড উত্তপ্ত হলে, জার্মেনিয়াম ধীরে ধীরে দ্রবীভূত হবে। নাইট্রিক অ্যাসিড এবং অ্যাকোয়া রেজিয়াতে, জার্মেনিয়াম সহজেই দ্রবীভূত হয়। জার্মেনিয়ামের উপর ক্ষারীয় দ্রবণের প্রভাব খুবই দুর্বল, তবে বাতাসে গলিত ক্ষার জার্মেনিয়ামকে দ্রুত দ্রবীভূত করতে পারে। জার্মেনিয়াম কার্বনের সাথে কাজ করে না, তাই এটি একটি গ্রাফাইট ক্রুসিবলে গলে যায় এবং কার্বন দ্বারা দূষিত হবে না। জার্মেনিয়ামের ভাল অর্ধপরিবাহী বৈশিষ্ট্য রয়েছে, যেমন ইলেকট্রন গতিশীলতা, গর্ত গতিশীলতা ইত্যাদি। জার্মেনিয়ামের বিকাশের এখনও প্রচুর সম্ভাবনা রয়েছে।
স্পেসিফিকেশন
বৃদ্ধি পদ্ধতি | CZ | ||
স্ফটিক প্রতিষ্ঠান | ঘনকীয় পদ্ধতি | ||
জালি ধ্রুবক | a=5.65754 Å | ||
ঘনত্ব | ৫.৩২৩ গ্রাম/সেমি৩ | ||
গলনাঙ্ক | ৯৩৭.৪ ℃ | ||
ডোপিং | আন-ডোপিং | ডোপিং-এসবি | ডোপিং-গা |
আদর্শ | / | N | P |
প্রতিরোধ | >৩৫Ωসেমি | ০.০১~৩৫ Ωসেমি | ০.০৫~৩৫ Ωসেমি |
ইপিডি | <৪×১০3∕সেমি২ | <৪×১০3∕সেমি২ | <৪×১০3∕সেমি২ |
ব্যাস | ২ ইঞ্চি/৫০.৮ মিমি | ||
বেধ | ০.৫ মিমি, ১.০ মিমি | ||
পৃষ্ঠতল | ডিএসপি এবং এসএসপি | ||
ওরিয়েন্টেশন | <100>, <110>, <111>, ±0.5º | ||
Ra | ≤5Å (৫µm×৫µm) | ||
প্যাকেজ | ১০০ গ্রেড প্যাকেজ, ১০০০ গ্রেড রুম |
বিস্তারিত চিত্র

