2 ইঞ্চি 50.8 মিমি সিলিকন কার্বাইড SiC Wafers ডপড Si N-টাইপ উৎপাদন গবেষণা এবং ডামি গ্রেড

সংক্ষিপ্ত বর্ণনা:

সাংহাই জিনকেহুই টেক। Co.,Ltd উচ্চ-মানের সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার এবং N- এবং আধা-অন্তরক ধরনের সহ ছয়-ইঞ্চি ব্যাস পর্যন্ত সাবস্ট্রেটের জন্য সেরা নির্বাচন এবং দাম অফার করে। ছোট এবং বড় সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস কোম্পানি এবং বিশ্বব্যাপী গবেষণা ল্যাবগুলি আমাদের সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার ব্যবহার করে এবং নির্ভর করে।

আমাদের ইমেইল পাঠান

পণ্য বিস্তারিত

পণ্য ট্যাগ

2-ইঞ্চি 4H-N আনডোপড SiC ওয়েফারগুলির জন্য প্যারামেট্রিক মানদণ্ড অন্তর্ভুক্ত

সাবস্ট্রেট উপাদান: 4H সিলিকন কার্বাইড (4H-SiC)

স্ফটিক গঠন: টেট্রাহেক্সহেড্রাল (4H)

ডোপিং: আনডোপড (4H-N)

আকার: 2 ইঞ্চি

পরিবাহিতা প্রকার: এন-টাইপ (এন-ডোপড)

পরিবাহিতা: অর্ধপরিবাহী

মার্কেট আউটলুক: 4H-N নন-ডোপড SiC ওয়েফারগুলির অনেক সুবিধা রয়েছে, যেমন উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, কম পরিবাহী ক্ষতি, চমৎকার উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধ, এবং উচ্চ যান্ত্রিক স্থিতিশীলতা, এবং এইভাবে পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স এবং RF অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে একটি বিস্তৃত বাজারের দৃষ্টিভঙ্গি রয়েছে। নবায়নযোগ্য শক্তি, বৈদ্যুতিক যানবাহন এবং যোগাযোগের বিকাশের সাথে, উচ্চ দক্ষতা, উচ্চ তাপমাত্রা অপারেশন এবং উচ্চ শক্তি সহনশীলতা সহ ডিভাইসগুলির জন্য একটি ক্রমবর্ধমান চাহিদা রয়েছে, যা 4H-N নন-ডোপড SiC ওয়েফারগুলির জন্য একটি বিস্তৃত বাজারের সুযোগ প্রদান করে।

ব্যবহার: 2-ইঞ্চি 4H-N নন-ডোপড SiC ওয়েফারগুলি বিভিন্ন পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স এবং RF ডিভাইস তৈরি করতে ব্যবহার করা যেতে পারে, যার মধ্যে রয়েছে কিন্তু সীমাবদ্ধ নয়:

1--4H-SiC MOSFETs: উচ্চ শক্তি/উচ্চ তাপমাত্রা প্রয়োগের জন্য মেটাল অক্সাইড সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর। উচ্চ দক্ষতা এবং নির্ভরযোগ্যতা প্রদানের জন্য এই ডিভাইসগুলির কম পরিবাহী এবং সুইচিং ক্ষতি রয়েছে।

2--4H-SiC JFETs: RF পাওয়ার এমপ্লিফায়ার এবং স্যুইচিং অ্যাপ্লিকেশনের জন্য জংশন FETs। এই ডিভাইসগুলি উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি কর্মক্ষমতা এবং উচ্চ তাপ স্থিতিশীলতা প্রদান করে।

3--4H-SiC Schottky ডায়োডস: উচ্চ শক্তি, উচ্চ তাপমাত্রা, উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনের জন্য ডায়োড। এই ডিভাইসগুলি কম পরিবাহী এবং সুইচিং লস সহ উচ্চ দক্ষতা প্রদান করে।

4--4H-SiC অপটোইলেক্ট্রনিক ডিভাইস: উচ্চ ক্ষমতার লেজার ডায়োড, ইউভি ডিটেক্টর এবং অপটোইলেক্ট্রনিক ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটের মতো এলাকায় ব্যবহৃত ডিভাইস। এই ডিভাইসগুলির উচ্চ শক্তি এবং ফ্রিকোয়েন্সি বৈশিষ্ট্য রয়েছে।

সংক্ষেপে, 2-ইঞ্চি 4H-N নন-ডোপড SiC ওয়েফারগুলিতে বিস্তৃত অ্যাপ্লিকেশনের সম্ভাবনা রয়েছে, বিশেষত পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স এবং আরএফ-এ। তাদের উচ্চতর কর্মক্ষমতা এবং উচ্চ-তাপমাত্রার স্থায়িত্ব তাদের উচ্চ-কর্মক্ষমতা, উচ্চ-তাপমাত্রা এবং উচ্চ-শক্তি প্রয়োগের জন্য ঐতিহ্যবাহী সিলিকন উপকরণ প্রতিস্থাপনের জন্য একটি শক্তিশালী প্রতিযোগী করে তোলে।