২ ইঞ্চি ৫০.৮ মিমি সিলিকন কার্বাইড SiC ওয়েফার ডোপেড Si N-টাইপ উৎপাদন গবেষণা এবং ডামি গ্রেড

ছোট বিবরণ:

সাংহাই জিনকেহুই টেক কোং লিমিটেড উচ্চমানের সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার এবং ছয় ইঞ্চি ব্যাস পর্যন্ত N- এবং আধা-অন্তরক ধরণের সাবস্ট্রেটের জন্য সেরা নির্বাচন এবং দাম অফার করে। বিশ্বব্যাপী ছোট এবং বড় সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস কোম্পানি এবং গবেষণা ল্যাবগুলি আমাদের সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার ব্যবহার করে এবং তার উপর নির্ভর করে।


পণ্য বিবরণী

পণ্য ট্যাগ

2-ইঞ্চি 4H-N আনডোপড SiC ওয়েফারের জন্য প্যারামেট্রিক মানদণ্ডের মধ্যে রয়েছে

সাবস্ট্রেট উপাদান: 4H সিলিকন কার্বাইড (4H-SiC)

স্ফটিক গঠন: টেট্রাহেক্সাহেড্রাল (4H)

ডোপিং: আনডোপড (4H-N)

আকার: ২ ইঞ্চি

পরিবাহিতা প্রকার: এন-টাইপ (এন-ডোপেড)

পরিবাহিতা: অর্ধপরিবাহী

বাজারের দৃষ্টিভঙ্গি: 4H-N নন-ডোপড SiC ওয়েফারের অনেক সুবিধা রয়েছে, যেমন উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, কম পরিবাহিতা ক্ষতি, চমৎকার উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং উচ্চ যান্ত্রিক স্থিতিশীলতা, এবং এইভাবে পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স এবং RF অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে তাদের একটি বিস্তৃত বাজার দৃষ্টিভঙ্গি রয়েছে। নবায়নযোগ্য শক্তি, বৈদ্যুতিক যানবাহন এবং যোগাযোগের বিকাশের সাথে সাথে, উচ্চ দক্ষতা, উচ্চ তাপমাত্রা পরিচালনা এবং উচ্চ শক্তি সহনশীলতা সহ ডিভাইসগুলির চাহিদা ক্রমবর্ধমান, যা 4H-N নন-ডোপড SiC ওয়েফারের জন্য একটি বিস্তৃত বাজার সুযোগ প্রদান করে।

ব্যবহার: 2-ইঞ্চি 4H-N নন-ডোপড SiC ওয়েফারগুলি বিভিন্ন ধরণের পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স এবং RF ডিভাইস তৈরি করতে ব্যবহার করা যেতে পারে, যার মধ্যে রয়েছে কিন্তু সীমাবদ্ধ নয়:

1--4H-SiC MOSFETs: উচ্চ শক্তি/উচ্চ তাপমাত্রার প্রয়োগের জন্য ধাতব অক্সাইড সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড এফেক্ট ট্রানজিস্টর। উচ্চ দক্ষতা এবং নির্ভরযোগ্যতা প্রদানের জন্য এই ডিভাইসগুলিতে কম পরিবাহী এবং সুইচিং ক্ষতি রয়েছে।

2--4H-SiC JFETs: RF পাওয়ার অ্যামপ্লিফায়ার এবং সুইচিং অ্যাপ্লিকেশনের জন্য জংশন FETs। এই ডিভাইসগুলি উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি কর্মক্ষমতা এবং উচ্চ তাপীয় স্থিতিশীলতা প্রদান করে।

3--4H-SiC স্কটকি ডায়োড: উচ্চ শক্তি, উচ্চ তাপমাত্রা, উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনের জন্য ডায়োড। এই ডিভাইসগুলি কম পরিবাহী এবং সুইচিং ক্ষতি সহ উচ্চ দক্ষতা প্রদান করে।

৪--৪এইচ-সি অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইস: উচ্চ ক্ষমতাসম্পন্ন লেজার ডায়োড, ইউভি ডিটেক্টর এবং অপটোইলেকট্রনিক ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটের মতো ক্ষেত্রে ব্যবহৃত ডিভাইস। এই ডিভাইসগুলির উচ্চ ক্ষমতা এবং ফ্রিকোয়েন্সি বৈশিষ্ট্য রয়েছে।

সংক্ষেপে, 2-ইঞ্চি 4H-N নন-ডোপড SiC ওয়েফারগুলির বিস্তৃত প্রয়োগের সম্ভাবনা রয়েছে, বিশেষ করে পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স এবং RF-তে। তাদের উচ্চতর কর্মক্ষমতা এবং উচ্চ-তাপমাত্রার স্থিতিশীলতা তাদেরকে উচ্চ-কার্যক্ষমতা, উচ্চ-তাপমাত্রা এবং উচ্চ-শক্তি প্রয়োগের জন্য ঐতিহ্যবাহী সিলিকন উপকরণ প্রতিস্থাপনের জন্য একটি শক্তিশালী প্রতিযোগী করে তোলে।

বিস্তারিত চিত্র

উৎপাদন গবেষণা এবং ডামি গ্রেড (১)
উৎপাদন গবেষণা এবং ডামি গ্রেড (২)

  • আগে:
  • পরবর্তী:

  • আপনার বার্তা এখানে লিখুন এবং আমাদের কাছে পাঠান।