2 ইঞ্চি 6H-N সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট Sic ওয়েফার ডাবল পালিশ পরিবাহী প্রাইম গ্রেড Mos গ্রেড

6H এন-টাইপ সিলিকন কার্বাইড (SiC) একক-ক্রিস্টাল সাবস্ট্রেট একটি অপরিহার্য সেমিকন্ডাক্টর উপাদান যা ব্যাপকভাবে উচ্চ-শক্তি, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি, এবং উচ্চ-তাপমাত্রার ইলেকট্রনিক অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহৃত হয়। ষড়ভুজাকার স্ফটিক কাঠামোর জন্য বিখ্যাত, 6H-N SiC একটি প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ এবং উচ্চ তাপ পরিবাহিতা প্রদান করে, এটি চাহিদাপূর্ণ পরিবেশের জন্য আদর্শ করে তোলে।
এই উপাদানটির উচ্চ ভাঙ্গন বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র এবং ইলেক্ট্রন গতিশীলতা দক্ষ শক্তি ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলির বিকাশকে সক্ষম করে, যেমন MOSFETs এবং IGBT, যা ঐতিহ্যগত সিলিকন থেকে তৈরি হওয়া তুলনায় উচ্চ ভোল্টেজ এবং তাপমাত্রায় কাজ করতে পারে। এর চমৎকার তাপ পরিবাহিতা কার্যকর তাপ অপচয় নিশ্চিত করে, উচ্চ-শক্তি প্রয়োগে কর্মক্ষমতা এবং নির্ভরযোগ্যতা বজায় রাখার জন্য গুরুত্বপূর্ণ।
রেডিওফ্রিকোয়েন্সি (RF) অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে, 6H-N SiC-এর বৈশিষ্ট্যগুলি উন্নত দক্ষতার সাথে উচ্চতর ফ্রিকোয়েন্সিতে কাজ করতে সক্ষম ডিভাইস তৈরি করতে সহায়তা করে। এর রাসায়নিক স্থিতিশীলতা এবং বিকিরণের প্রতিরোধও এটিকে মহাকাশ এবং প্রতিরক্ষা খাত সহ কঠোর পরিবেশে ব্যবহারের জন্য উপযুক্ত করে তোলে।
অধিকন্তু, 6H-N SiC সাবস্ট্রেটগুলি অপটোইলেক্ট্রনিক ডিভাইসগুলির অবিচ্ছেদ্য অংশ, যেমন অতিবেগুনী ফটোডিটেক্টর, যেখানে তাদের প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ দক্ষ UV আলো সনাক্তকরণের অনুমতি দেয়। এই বৈশিষ্ট্যগুলির সংমিশ্রণ 6H n-টাইপ SiC কে আধুনিক ইলেকট্রনিক এবং অপটোইলেক্ট্রনিক প্রযুক্তির অগ্রগতির জন্য একটি বহুমুখী এবং অপরিহার্য উপাদান করে তোলে।