২ ইঞ্চি ৬H-N সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট সিক ওয়েফার ডাবল পলিশড কন্ডাকটিভ প্রাইম গ্রেড মোস গ্রেড

6H n-টাইপ সিলিকন কার্বাইড (SiC) একক-স্ফটিক সাবস্ট্রেট হল একটি অপরিহার্য সেমিকন্ডাক্টর উপাদান যা উচ্চ-শক্তি, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি এবং উচ্চ-তাপমাত্রার ইলেকট্রনিক অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। এর ষড়ভুজাকার স্ফটিক কাঠামোর জন্য বিখ্যাত, 6H-N SiC একটি প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ এবং উচ্চ তাপ পরিবাহিতা প্রদান করে, যা এটিকে চাহিদাপূর্ণ পরিবেশের জন্য আদর্শ করে তোলে।
এই উপাদানের উচ্চ ভাঙ্গন বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র এবং ইলেকট্রন গতিশীলতা MOSFET এবং IGBT-এর মতো দক্ষ পাওয়ার ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলির বিকাশকে সক্ষম করে, যা ঐতিহ্যবাহী সিলিকন থেকে তৈরি ডিভাইসগুলির তুলনায় উচ্চ ভোল্টেজ এবং তাপমাত্রায় কাজ করতে পারে। এর চমৎকার তাপ পরিবাহিতা কার্যকর তাপ অপচয় নিশ্চিত করে, যা উচ্চ-শক্তি প্রয়োগে কর্মক্ষমতা এবং নির্ভরযোগ্যতা বজায় রাখার জন্য গুরুত্বপূর্ণ।
রেডিওফ্রিকোয়েন্সি (RF) অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে, 6H-N SiC এর বৈশিষ্ট্যগুলি উন্নত দক্ষতার সাথে উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সিতে কাজ করতে সক্ষম ডিভাইস তৈরিতে সহায়তা করে। এর রাসায়নিক স্থিতিশীলতা এবং বিকিরণ প্রতিরোধ ক্ষমতা এটিকে মহাকাশ এবং প্রতিরক্ষা খাত সহ কঠোর পরিবেশে ব্যবহারের জন্য উপযুক্ত করে তোলে।
অধিকন্তু, 6H-N SiC সাবস্ট্রেটগুলি অতিবেগুনী ফটোডিটেক্টরের মতো অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইসের অবিচ্ছেদ্য অংশ, যেখানে তাদের প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ কার্যকরভাবে UV আলো সনাক্তকরণের অনুমতি দেয়। এই বৈশিষ্ট্যগুলির সংমিশ্রণ 6H n-টাইপ SiC কে আধুনিক ইলেকট্রনিক এবং অপটোইলেকট্রনিক প্রযুক্তির অগ্রগতিতে একটি বহুমুখী এবং অপরিহার্য উপাদান করে তোলে।