৩ ইঞ্চি ৭৬.২ মিমি ৪এইচ-সেমি SiC সাবস্ট্রেট ওয়েফার সিলিকন কার্বাইড আধা-অপমানজনক SiC ওয়েফার

ছোট বিবরণ:

ইলেকট্রনিক এবং অপটোইলেকট্রনিক শিল্পে উচ্চমানের সিঙ্গেল ক্রিস্টাল SiC ওয়েফার (সিলিকন কার্বাইড)। ৩ ইঞ্চি SiC ওয়েফার হল একটি পরবর্তী প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর উপাদান, ৩ ইঞ্চি ব্যাসের আধা-অন্তরক সিলিকন-কারবাইড ওয়েফার। ওয়েফারগুলি পাওয়ার, RF এবং অপটোইলেকট্রনিক্স ডিভাইস তৈরির জন্য তৈরি।


পণ্য বিবরণী

পণ্য ট্যাগ

বিবরণ

৩-ইঞ্চি ৪H সেমি-ইনসুলেটেড SiC (সিলিকন কার্বাইড) সাবস্ট্রেট ওয়েফার হল একটি সাধারণভাবে ব্যবহৃত সেমিকন্ডাক্টর উপাদান। ৪H একটি টেট্রাহেক্সাহেড্রাল স্ফটিক কাঠামো নির্দেশ করে। সেমি-ইনসুলেশন মানে হল সাবস্ট্রেটের উচ্চ প্রতিরোধ ক্ষমতা রয়েছে এবং এটি কারেন্ট প্রবাহ থেকে কিছুটা বিচ্ছিন্ন হতে পারে।

এই ধরনের সাবস্ট্রেট ওয়েফারগুলির নিম্নলিখিত বৈশিষ্ট্য রয়েছে: উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, কম পরিবাহিতা ক্ষতি, চমৎকার উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং চমৎকার যান্ত্রিক ও রাসায়নিক স্থিতিশীলতা। যেহেতু সিলিকন কার্বাইডের একটি বিস্তৃত শক্তি ব্যবধান রয়েছে এবং এটি উচ্চ তাপমাত্রা এবং উচ্চ বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের অবস্থা সহ্য করতে পারে, তাই 4H-SiC সেমি-ইনসুলেটেড ওয়েফারগুলি পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স এবং রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি (RF) ডিভাইসগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।

4H-SiC সেমি-ইনসুলেটেড ওয়েফারের প্রধান প্রয়োগগুলির মধ্যে রয়েছে:

১--পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স: 4H-SiC ওয়েফারগুলি MOSFETs (মেটাল অক্সাইড সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর), IGBTs (ইনসুলেটেড গেট বাইপোলার ট্রানজিস্টর) এবং স্কটকি ডায়োডের মতো পাওয়ার সুইচিং ডিভাইস তৈরিতে ব্যবহার করা যেতে পারে। উচ্চ ভোল্টেজ এবং উচ্চ তাপমাত্রার পরিবেশে এই ডিভাইসগুলির পরিবাহী এবং সুইচিং ক্ষতি কম থাকে এবং উচ্চ দক্ষতা এবং নির্ভরযোগ্যতা প্রদান করে।

২--রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি (RF) ডিভাইস: 4H-SiC সেমি-ইনসুলেটেড ওয়েফারগুলি উচ্চ শক্তি, উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি RF পাওয়ার অ্যামপ্লিফায়ার, চিপ রেজিস্টর, ফিল্টার এবং অন্যান্য ডিভাইস তৈরিতে ব্যবহার করা যেতে পারে। সিলিকন কার্বাইডের উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি কর্মক্ষমতা এবং তাপীয় স্থিতিশীলতা উন্নত হয় কারণ এর বৃহত্তর ইলেকট্রন স্যাচুরেশন ড্রিফ্ট রেট এবং উচ্চ তাপ পরিবাহিতা রয়েছে।

৩--অপ্টোইলেকট্রনিক ডিভাইস: 4H-SiC সেমি-ইনসুলেটেড ওয়েফারগুলি উচ্চ-শক্তি লেজার ডায়োড, ইউভি লাইট ডিটেক্টর এবং অপটোইলেকট্রনিক ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট তৈরিতে ব্যবহার করা যেতে পারে।

বাজারের দিকনির্দেশনার দিক থেকে, পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স, আরএফ এবং অপটোইলেকট্রনিক্সের ক্রমবর্ধমান ক্ষেত্রগুলির সাথে 4H-SiC সেমি-ইনসুলেটেড ওয়েফারের চাহিদা বৃদ্ধি পাচ্ছে। এর কারণ হল সিলিকন কার্বাইডের বিস্তৃত অ্যাপ্লিকেশন রয়েছে, যার মধ্যে রয়েছে শক্তি দক্ষতা, বৈদ্যুতিক যানবাহন, পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি এবং যোগাযোগ। ভবিষ্যতে, 4H-SiC সেমি-ইনসুলেটেড ওয়েফারের বাজার খুবই আশাব্যঞ্জক এবং বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনে এটি প্রচলিত সিলিকন উপকরণ প্রতিস্থাপন করবে বলে আশা করা হচ্ছে।

বিস্তারিত চিত্র

4H-সেমি SiC সাবস্ট্রেট ওয়েফার সিলিকন কার্বাইড আধা-অপমানজনক SiC ওয়েফার (1)
4H-সেমি SiC সাবস্ট্রেট ওয়েফার সিলিকন কার্বাইড আধা-অপমানজনক SiC ওয়েফার (2)
4H-সেমি SiC সাবস্ট্রেট ওয়েফার সিলিকন কার্বাইড আধা-অপমানজনক SiC ওয়েফার (3)

  • আগে:
  • পরবর্তী:

  • আপনার বার্তা এখানে লিখুন এবং আমাদের কাছে পাঠান।