৬ ইঞ্চি-৮ ইঞ্চি LN-on-Si কম্পোজিট সাবস্ট্রেট পুরুত্ব ০.৩-৫০ μm Si/SiC/সাফায়ার উপকরণ

৬ ইঞ্চি-৮ ইঞ্চি LN-on-Si কম্পোজিট সাবস্ট্রেট পুরুত্ব ০.৩-৫০ μm Si/SiC/সাফায়ার অফ ম্যাটেরিয়ালস ফিচারড ইমেজ

ছোট বিবরণ:

৬ ইঞ্চি থেকে ৮ ইঞ্চির LN-on-Si কম্পোজিট সাবস্ট্রেট হল একটি উচ্চ-কার্যক্ষমতাসম্পন্ন উপাদান যা সিলিকন (Si) সাবস্ট্রেটের সাথে একক-স্ফটিক লিথিয়াম নিওবেট (LN) পাতলা ফিল্মগুলিকে একীভূত করে, যার পুরুত্ব ০.৩ μm থেকে ৫০ μm পর্যন্ত। এটি উন্নত সেমিকন্ডাক্টর এবং অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইস তৈরির জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। উন্নত বন্ধন বা এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধি কৌশল ব্যবহার করে, এই সাবস্ট্রেটটি LN পাতলা ফিল্মের উচ্চ স্ফটিক মানের নিশ্চিত করে এবং উৎপাদন দক্ষতা এবং খরচ-কার্যকারিতা বাড়াতে সিলিকন সাবস্ট্রেটের বৃহৎ ওয়েফার আকার (৬-ইঞ্চি থেকে ৮-ইঞ্চি) ব্যবহার করে।
প্রচলিত বাল্ক LN উপকরণের তুলনায়, 6-ইঞ্চি থেকে 8-ইঞ্চি LN-on-Si কম্পোজিট সাবস্ট্রেট উচ্চতর তাপীয় মিল এবং যান্ত্রিক স্থিতিশীলতা প্রদান করে, যা এটিকে বৃহৎ-স্কেল ওয়েফার-স্তরের প্রক্রিয়াকরণের জন্য উপযুক্ত করে তোলে। অতিরিক্তভাবে, SiC বা নীলকান্তমণির মতো বিকল্প বেস উপকরণগুলি নির্দিষ্ট অ্যাপ্লিকেশন প্রয়োজনীয়তা পূরণের জন্য নির্বাচন করা যেতে পারে, যার মধ্যে রয়েছে উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি RF ডিভাইস, ইন্টিগ্রেটেড ফোটোনিক্স এবং MEMS সেন্সর।

আমাদের ইমেইল পাঠান

পণ্য বিবরণী

পণ্য ট্যাগ

প্রযুক্তিগত পরামিতি

ইনসুলেটরগুলিতে 0.3-50μm LN/LT
উপরের স্তর
ব্যাস	৬-৮ ইঞ্চি
ওরিয়েন্টেশন	X, Z, Y-42 ইত্যাদি।
উপকরণ	এলটি, এলএন
বেধ	০.৩-৫০μm
সাবস্ট্রেট (কাস্টমাইজড)
উপাদান	সি, সি, নীলকান্তমণি, স্পিনেল, কোয়ার্টজ

মূল বৈশিষ্ট্য

৬-ইঞ্চি থেকে ৮-ইঞ্চি এলএন-অন-সি কম্পোজিট সাবস্ট্রেটটি তার অনন্য উপাদান বৈশিষ্ট্য এবং টিউনেবল পরামিতিগুলির দ্বারা আলাদা, যা সেমিকন্ডাক্টর এবং অপটোইলেকট্রনিক শিল্পে ব্যাপক প্রযোজ্যতা সক্ষম করে:

১. বৃহৎ ওয়েফার সামঞ্জস্য: ৬-ইঞ্চি থেকে ৮-ইঞ্চি ওয়েফার আকার বিদ্যমান সেমিকন্ডাক্টর ফ্যাব্রিকেশন লাইনের (যেমন, CMOS প্রক্রিয়া) সাথে নিরবচ্ছিন্ন একীকরণ নিশ্চিত করে, উৎপাদন খরচ হ্রাস করে এবং ব্যাপক উৎপাদন সক্ষম করে।

২. উচ্চ স্ফটিকের গুণমান: অপ্টিমাইজড এপিট্যাক্সিয়াল বা বন্ধন কৌশলগুলি LN পাতলা ফিল্মে কম ত্রুটি ঘনত্ব নিশ্চিত করে, যা এটিকে উচ্চ-কার্যক্ষমতাসম্পন্ন অপটিক্যাল মডুলেটর, সারফেস অ্যাকোস্টিক ওয়েভ (SAW) ফিল্টার এবং অন্যান্য নির্ভুল ডিভাইসের জন্য আদর্শ করে তোলে।

৩. সামঞ্জস্যযোগ্য পুরুত্ব (০.৩–৫০ μm): অতি পাতলা LN স্তর (<১ μm) সমন্বিত ফোটোনিক চিপের জন্য উপযুক্ত, যেখানে ঘন স্তর (১০–৫০ μm) উচ্চ-শক্তির RF ডিভাইস বা পাইজোইলেকট্রিক সেন্সর সমর্থন করে।

৪. একাধিক সাবস্ট্রেট বিকল্প: Si ছাড়াও, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি, উচ্চ-তাপমাত্রা, বা উচ্চ-শক্তি প্রয়োগের চাহিদা মেটাতে বেস উপকরণ হিসাবে SiC (উচ্চ তাপ পরিবাহিতা) বা নীলকান্তমণি (উচ্চ অন্তরণ) নির্বাচন করা যেতে পারে।

৫. তাপীয় এবং যান্ত্রিক স্থিতিশীলতা: সিলিকন সাবস্ট্রেট শক্তিশালী যান্ত্রিক সহায়তা প্রদান করে, প্রক্রিয়াকরণের সময় বিকৃতি বা ফাটল কমিয়ে দেয় এবং ডিভাইসের ফলন উন্নত করে।

এই বৈশিষ্ট্যগুলি 5G যোগাযোগ, LiDAR এবং কোয়ান্টাম অপটিক্সের মতো অত্যাধুনিক প্রযুক্তির জন্য 6-ইঞ্চি থেকে 8-ইঞ্চি LN-on-Si কম্পোজিট সাবস্ট্রেটকে একটি পছন্দের উপাদান হিসাবে অবস্থান করে।

প্রধান অ্যাপ্লিকেশন

৬-ইঞ্চি থেকে ৮-ইঞ্চি এলএন-অন-সি কম্পোজিট সাবস্ট্রেটটি তার ব্যতিক্রমী ইলেক্ট্রো-অপটিক, পাইজোইলেকট্রিক এবং অ্যাকোস্টিক বৈশিষ্ট্যের কারণে উচ্চ-প্রযুক্তি শিল্পে ব্যাপকভাবে গৃহীত হয়:

১. অপটিক্যাল কমিউনিকেশনস এবং ইন্টিগ্রেটেড ফোটোনিক্স: উচ্চ-গতির ইলেক্ট্রো-অপটিক মডুলেটর, ওয়েভগাইড এবং ফোটোনিক ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (PIC) সক্ষম করে, যা ডেটা সেন্টার এবং ফাইবার-অপটিক নেটওয়ার্কগুলির ব্যান্ডউইথ চাহিদা পূরণ করে।

2.5G/6G RF ডিভাইস: LN এর উচ্চ পাইজোইলেকট্রিক সহগ এটিকে সারফেস অ্যাকোস্টিক ওয়েভ (SAW) এবং বাল্ক অ্যাকোস্টিক ওয়েভ (BAW) ফিল্টারের জন্য আদর্শ করে তোলে, যা 5G বেস স্টেশন এবং মোবাইল ডিভাইসগুলিতে সিগন্যাল প্রক্রিয়াকরণকে উন্নত করে।

৩.এমইএমএস এবং সেন্সর: এলএন-অন-সি-এর পাইজোইলেকট্রিক প্রভাব চিকিৎসা ও শিল্প ব্যবহারের জন্য উচ্চ-সংবেদনশীলতা অ্যাক্সিলোমিটার, বায়োসেন্সর এবং অতিস্বনক ট্রান্সডিউসার ব্যবহারে সহায়তা করে।

৪.কোয়ান্টাম টেকনোলজিস: একটি অরৈখিক অপটিক্যাল উপাদান হিসেবে, কোয়ান্টাম আলোক উৎসগুলিতে (যেমন, জট পাকানো ফোটন জোড়া) এবং সমন্বিত কোয়ান্টাম চিপগুলিতে LN পাতলা ফিল্ম ব্যবহার করা হয়।

৫. লেজার এবং নন-লিনিয়ার অপটিক্স: অতি-পাতলা এলএন স্তরগুলি লেজার প্রক্রিয়াকরণ এবং বর্ণালী বিশ্লেষণের জন্য দক্ষ দ্বিতীয়-হারমোনিক জেনারেশন (SHG) এবং অপটিক্যাল প্যারামেট্রিক অসিলেশন (OPO) ডিভাইসগুলিকে সক্ষম করে।

প্রমিত ৬-ইঞ্চি থেকে ৮-ইঞ্চি এলএন-অন-সি কম্পোজিট সাবস্ট্রেট এই ডিভাইসগুলিকে বৃহৎ আকারের ওয়েফার ফ্যাবগুলিতে তৈরি করার অনুমতি দেয়, যা উৎপাদন খরচ উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস করে।

কাস্টমাইজেশন এবং পরিষেবা

আমরা বিভিন্ন গবেষণা ও উন্নয়ন এবং উৎপাদন চাহিদা পূরণের জন্য 6-ইঞ্চি থেকে 8-ইঞ্চি LN-on-Si কম্পোজিট সাবস্ট্রেটের জন্য ব্যাপক প্রযুক্তিগত সহায়তা এবং কাস্টমাইজেশন পরিষেবা প্রদান করি:

১. কাস্টম ফ্যাব্রিকেশন: ডিভাইসের কর্মক্ষমতা অপ্টিমাইজ করার জন্য LN ফিল্মের পুরুত্ব (০.৩–৫০ μm), স্ফটিক ওরিয়েন্টেশন (X-কাট/Y-কাট), এবং সাবস্ট্রেট উপাদান (Si/SiC/নীলকান্তমণি) তৈরি করা যেতে পারে।

২. ওয়েফার-লেভেল প্রসেসিং: ৬-ইঞ্চি এবং ৮-ইঞ্চি ওয়েফারের বাল্ক সরবরাহ, যার মধ্যে রয়েছে ডাইসিং, পলিশিং এবং লেপের মতো ব্যাক-এন্ড পরিষেবা, যাতে ডিভাইস ইন্টিগ্রেশনের জন্য সাবস্ট্রেটগুলি প্রস্তুত থাকে তা নিশ্চিত করা যায়।

৩.প্রযুক্তিগত পরামর্শ এবং পরীক্ষা: নকশা যাচাইকরণ ত্বরান্বিত করার জন্য উপাদানের বৈশিষ্ট্য (যেমন, XRD, AFM), ইলেক্ট্রো-অপটিক কর্মক্ষমতা পরীক্ষা এবং ডিভাইস সিমুলেশন সহায়তা।

আমাদের লক্ষ্য হল অপটোইলেক্ট্রনিক এবং সেমিকন্ডাক্টর অ্যাপ্লিকেশনের জন্য একটি মূল উপাদান সমাধান হিসাবে 6-ইঞ্চি থেকে 8-ইঞ্চি LN-on-Si কম্পোজিট সাবস্ট্রেট প্রতিষ্ঠা করা, যা গবেষণা ও উন্নয়ন থেকে শুরু করে ব্যাপক উৎপাদন পর্যন্ত এন্ড-টু-এন্ড সহায়তা প্রদান করে।

উপসংহার

৬-ইঞ্চি থেকে ৮-ইঞ্চি এলএন-অন-সি কম্পোজিট সাবস্ট্রেট, এর বৃহৎ ওয়েফার আকার, উন্নত উপাদানের গুণমান এবং বহুমুখীতা সহ, অপটিক্যাল যোগাযোগ, ৫জি আরএফ এবং কোয়ান্টাম প্রযুক্তিতে অগ্রগতি সাধন করছে। উচ্চ-ভলিউম উৎপাদন বা কাস্টমাইজড সমাধানের জন্য, আমরা প্রযুক্তিগত উদ্ভাবনকে শক্তিশালী করার জন্য নির্ভরযোগ্য সাবস্ট্রেট এবং পরিপূরক পরিষেবা সরবরাহ করি।