পলিক্রিস্টালাইন SiC কম্পোজিট সাবস্ট্রেটের উপর ৬ ইঞ্চি পরিবাহী একক স্ফটিক SiC ব্যাস ১৫০ মিমি P টাইপ N টাইপ

পলিক্রিস্টালাইন SiC কম্পোজিট সাবস্ট্রেটের উপর 6-ইঞ্চি পরিবাহী মনোক্রিস্টালাইন SiC উপাদানের গঠন এবং কর্মক্ষমতার একটি অনন্য ভারসাম্য প্রদান করে, যা এটিকে চাহিদাপূর্ণ শিল্প পরিবেশের জন্য উপযুক্ত করে তোলে:

১. খরচ-কার্যকারিতা: পলিক্রিস্টালাইন SiC বেস পূর্ণ-মনোক্রিস্টালাইন SiC এর তুলনায় খরচ উল্লেখযোগ্যভাবে কমিয়ে দেয়, অন্যদিকে মনোক্রিস্টালাইন SiC সক্রিয় স্তর ডিভাইস-গ্রেড কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করে, যা খরচ-সংবেদনশীল অ্যাপ্লিকেশনের জন্য আদর্শ।

২. ব্যতিক্রমী বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য: মনোক্রিস্টালাইন SiC স্তরটি উচ্চ বাহক গতিশীলতা (>৫০০ সেমি²/V·s) এবং কম ত্রুটি ঘনত্ব প্রদর্শন করে, যা উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি এবং উচ্চ-শক্তি ডিভাইস পরিচালনাকে সমর্থন করে।

৩. উচ্চ-তাপমাত্রার স্থিতিশীলতা: SiC-এর সহজাত উচ্চ-তাপমাত্রা প্রতিরোধ ক্ষমতা (>৬০০°C) নিশ্চিত করে যে কম্পোজিট সাবস্ট্রেট চরম পরিস্থিতিতে স্থিতিশীল থাকে, যা এটিকে বৈদ্যুতিক যানবাহন এবং শিল্প মোটর অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত করে তোলে।

৪.৬-ইঞ্চি স্ট্যান্ডার্ডাইজড ওয়েফার সাইজ: ঐতিহ্যবাহী ৪-ইঞ্চি SiC সাবস্ট্রেটের তুলনায়, ৬-ইঞ্চি ফর্ম্যাটটি চিপের উৎপাদন ৩০% এরও বেশি বৃদ্ধি করে, যা প্রতি ইউনিট ডিভাইসের খরচ কমিয়ে দেয়।

৫.পরিবাহী নকশা: প্রি-ডোপড এন-টাইপ বা পি-টাইপ স্তরগুলি ডিভাইস তৈরিতে আয়ন ইমপ্লান্টেশনের ধাপগুলিকে কমিয়ে দেয়, উৎপাদন দক্ষতা এবং ফলন উন্নত করে।

৬.উচ্চতর তাপীয় ব্যবস্থাপনা: পলিক্রিস্টালাইন SiC বেসের তাপ পরিবাহিতা (~১২০ ওয়াট/মি·কে) মনোক্রিস্টালাইন SiC এর সমান, যা উচ্চ-শক্তিসম্পন্ন ডিভাইসগুলিতে তাপ অপচয় রোধের চ্যালেঞ্জগুলিকে কার্যকরভাবে মোকাবেলা করে।

এই বৈশিষ্ট্যগুলি পলিক্রিস্টালাইন SiC কম্পোজিট সাবস্ট্রেটের উপর 6-ইঞ্চি পরিবাহী মনোক্রিস্টালাইন SiC কে পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি, রেল পরিবহন এবং মহাকাশের মতো শিল্পের জন্য একটি প্রতিযোগিতামূলক সমাধান হিসাবে স্থাপন করে।