MOS বা SBD প্রোডাকশন রিসার্চ এবং ডামি গ্রেডের জন্য 6 ইঞ্চি 150 মিমি সিলিকন কার্বাইড SiC Wafers 4H-N টাইপ

6 ইঞ্চি 150 মিমি সিলিকন কার্বাইড SiC Wafers 4H-N টাইপ MOS বা SBD প্রোডাকশন রিসার্চ এবং ডামি গ্রেড ফিচারড ইমেজের জন্য

সংক্ষিপ্ত বর্ণনা:

6-ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড একক ক্রিস্টাল সাবস্ট্রেট চমৎকার শারীরিক এবং রাসায়নিক বৈশিষ্ট্য সহ একটি উচ্চ-কার্যক্ষমতা সম্পন্ন উপাদান। উচ্চ-বিশুদ্ধতা সিলিকন কার্বাইড একক স্ফটিক উপাদান থেকে তৈরি, এটি উচ্চতর তাপ পরিবাহিতা, যান্ত্রিক স্থিতিশীলতা এবং উচ্চ-তাপমাত্রা প্রতিরোধের প্রদর্শন করে। নির্ভুল উত্পাদন প্রক্রিয়া এবং উচ্চ-মানের উপকরণ দিয়ে তৈরি এই স্তরটি বিভিন্ন ক্ষেত্রে উচ্চ-দক্ষ ইলেকট্রনিক ডিভাইস তৈরির জন্য পছন্দের উপাদান হয়ে উঠেছে।

আমাদের ইমেইল পাঠান

পণ্য বিস্তারিত

পণ্য ট্যাগ

আবেদন ক্ষেত্র

6-ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড একক ক্রিস্টাল সাবস্ট্রেট একাধিক শিল্পে গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে। প্রথমত, পাওয়ার ট্রানজিস্টর, ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট এবং পাওয়ার মডিউলের মতো উচ্চ-শক্তি ইলেকট্রনিক ডিভাইস তৈরির জন্য অর্ধপরিবাহী শিল্পে এটি ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। এর উচ্চ তাপ পরিবাহিতা এবং উচ্চ-তাপমাত্রা প্রতিরোধের ফলে তাপ অপচয় ভালো হয়, যার ফলে দক্ষতা এবং নির্ভরযোগ্যতা উন্নত হয়। দ্বিতীয়ত, সিলিকন কার্বাইড ওয়েফারগুলি নতুন উপকরণ এবং ডিভাইসগুলির বিকাশের জন্য গবেষণা ক্ষেত্রে অপরিহার্য। অতিরিক্তভাবে, সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার LEDs এবং লেজার ডায়োডের উত্পাদন সহ অপটোইলেক্ট্রনিক্সের ক্ষেত্রে ব্যাপক অ্যাপ্লিকেশন খুঁজে পায়।

পণ্য বিশেষ উল্লেখ

6-ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড একক ক্রিস্টাল সাবস্ট্রেটের ব্যাস 6 ইঞ্চি (প্রায় 152.4 মিমি)। পৃষ্ঠের রুক্ষতা হল Ra <0.5 nm, এবং পুরুত্ব হল 600 ± 25 μm। গ্রাহকের প্রয়োজনীয়তার উপর ভিত্তি করে সাবস্ট্রেটটি এন-টাইপ বা পি-টাইপ পরিবাহিতা দিয়ে কাস্টমাইজ করা যেতে পারে। অধিকন্তু, এটি ব্যতিক্রমী যান্ত্রিক স্থিতিশীলতা প্রদর্শন করে, চাপ এবং কম্পন সহ্য করতে সক্ষম।

ব্যাস		150 ± 2.0 মিমি (6 ইঞ্চি)
পুরুত্ব		350 μm±25μm
ওরিয়েন্টেশন		অক্ষে ： <0001>±0.5°		অক্ষ বন্ধ: 4.0° 1120±0.5° এর দিকে
পলিটাইপ		4H
প্রতিরোধ ক্ষমতা (Ω·সেমি)	4H-N	0.015~0.028 Ω·cm/0.015~0.025ohm·cm
	4/6H-SI	>1E5
প্রাথমিক সমতল অভিযোজন		{10-10}±5.0°
প্রাথমিক সমতল দৈর্ঘ্য (মিমি)		47.5 মিমি±2.5 মিমি
প্রান্ত		চেম্ফার
টিটিভি/বো/ওয়ার্প (উম)		≤15 /≤40 /≤60
এএফএম ফ্রন্ট (সি-ফেস)		পোলিশ Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.5 nm
এলটিভি		≤3μm(10mm*10mm)	≤5μm(10mm*10mm)		≤10μm(10mm*10mm)
টিটিভি		≤5μm	≤10μm		≤15μm
কমলার খোসা/পিট/ফাটল/দূষণ/দাগ/দাগ		কোনোটিই নয়	কোনোটিই নয়		কোনোটিই নয়
ইন্ডেন্ট		কোনোটিই নয়	কোনোটিই নয়		কোনোটিই নয়

6-ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড একক ক্রিস্টাল সাবস্ট্রেট একটি উচ্চ-কার্যক্ষমতাসম্পন্ন উপাদান যা সেমিকন্ডাক্টর, গবেষণা এবং অপটোইলেক্ট্রনিক্স শিল্পে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। এটি চমৎকার তাপ পরিবাহিতা, যান্ত্রিক স্থিতিশীলতা এবং উচ্চ-তাপমাত্রা প্রতিরোধের প্রস্তাব দেয়, যা উচ্চ-শক্তি ইলেকট্রনিক ডিভাইস এবং নতুন উপাদান গবেষণার জন্য এটিকে উপযুক্ত করে তোলে। আমরা বিভিন্ন গ্রাহকের চাহিদা মেটাতে বিভিন্ন স্পেসিফিকেশন এবং কাস্টমাইজেশন বিকল্প প্রদান করি।সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার সম্পর্কে আরো বিস্তারিত জানার জন্য আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন!