MOS বা SBD উৎপাদন গবেষণা এবং ডামি গ্রেডের জন্য 6 ইঞ্চি 150 মিমি সিলিকন কার্বাইড SiC ওয়েফার 4H-N টাইপ

৬ ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড সিঙ্গেল ক্রিস্টাল সাবস্ট্রেটের ব্যাস ৬ ইঞ্চি (প্রায় ১৫২.৪ মিমি)। পৃষ্ঠের রুক্ষতা Ra < ০.৫ nm এবং পুরুত্ব ৬০০ ± ২৫ μm। গ্রাহকের প্রয়োজনীয়তার উপর ভিত্তি করে সাবস্ট্রেটটিকে N-টাইপ বা P-টাইপ পরিবাহিতা দিয়ে কাস্টমাইজ করা যেতে পারে। তাছাড়া, এটি ব্যতিক্রমী যান্ত্রিক স্থিতিশীলতা প্রদর্শন করে, যা চাপ এবং কম্পন সহ্য করতে সক্ষম।

৬ ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড সিঙ্গেল ক্রিস্টাল সাবস্ট্রেট হল একটি উচ্চ-কার্যক্ষমতাসম্পন্ন উপাদান যা সেমিকন্ডাক্টর, গবেষণা এবং অপটোইলেকট্রনিক্স শিল্পে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। এটি চমৎকার তাপ পরিবাহিতা, যান্ত্রিক স্থিতিশীলতা এবং উচ্চ-তাপমাত্রা প্রতিরোধ ক্ষমতা প্রদান করে, যা এটিকে উচ্চ-ক্ষমতাসম্পন্ন ইলেকট্রনিক ডিভাইস তৈরি এবং নতুন উপাদান গবেষণার জন্য উপযুক্ত করে তোলে। আমরা বিভিন্ন গ্রাহকের চাহিদা পূরণের জন্য বিভিন্ন স্পেসিফিকেশন এবং কাস্টমাইজেশন বিকল্প সরবরাহ করি।সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার সম্পর্কে আরও তথ্যের জন্য আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন!