3ইঞ্চি Dia76.2mm SiC সাবস্ট্রেট HPSI প্রাইম রিসার্চ এবং ডামি গ্রেড

পরিবাহী সাবস্ট্রেট: 15~30mΩ-সেমি সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেটের প্রতিরোধ ক্ষমতা বোঝায়। পরিবাহী সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট থেকে উত্থিত সিলিকন কার্বাইড এপিটাক্সিয়াল ওয়েফারকে আরও পাওয়ার ডিভাইসে পরিণত করা যেতে পারে, যা নতুন শক্তির যানবাহন, ফটোভোলটাইক্স, স্মার্ট গ্রিড এবং রেল পরিবহনে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।

আধা-অন্তরক সাবস্ট্রেট 100000Ω-সেমি সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেটের চেয়ে বেশি প্রতিরোধ ক্ষমতাকে বোঝায়, প্রধানত গ্যালিয়াম নাইট্রাইড মাইক্রোওয়েভ রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি ডিভাইস তৈরিতে ব্যবহৃত হয়, বেতার যোগাযোগ ক্ষেত্রের ভিত্তি।

এটি বেতার যোগাযোগের ক্ষেত্রে একটি মৌলিক উপাদান।

সিলিকন কার্বাইড পরিবাহী এবং আধা-অন্তরক সাবস্ট্রেটগুলি বিস্তৃত ইলেকট্রনিক ডিভাইস এবং পাওয়ার ডিভাইসগুলিতে ব্যবহৃত হয়, যার মধ্যে নিম্নলিখিতগুলি সীমাবদ্ধ নয়:

উচ্চ-শক্তির সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস (পরিবাহী): সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেটগুলির উচ্চ ভাঙ্গন ক্ষেত্রের শক্তি এবং তাপ পরিবাহিতা রয়েছে এবং উচ্চ-শক্তির শক্তি ট্রানজিস্টর এবং ডায়োড এবং অন্যান্য ডিভাইসগুলির উত্পাদনের জন্য উপযুক্ত।

আরএফ ইলেকট্রনিক ডিভাইস (সেমি-ইনসুলেটেড): সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেটের উচ্চ সুইচিং স্পিড এবং পাওয়ার টলারেন্স আছে, আরএফ পাওয়ার অ্যামপ্লিফায়ার, মাইক্রোওয়েভ ডিভাইস এবং উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি সুইচের মতো অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত।

অপটোইলেক্ট্রনিক ডিভাইস (সেমি-ইনসুলেটেড): সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেটের একটি বিস্তৃত শক্তির ব্যবধান এবং উচ্চ তাপীয় স্থিতিশীলতা রয়েছে, যা ফটোডিওড, সৌর কোষ এবং লেজার ডায়োড এবং অন্যান্য ডিভাইস তৈরির জন্য উপযুক্ত।

তাপমাত্রা সেন্সর (পরিবাহী): সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেটের উচ্চ তাপ পরিবাহিতা এবং তাপীয় স্থিতিশীলতা রয়েছে, যা উচ্চ-তাপমাত্রা সেন্সর এবং তাপমাত্রা পরিমাপ যন্ত্রের উৎপাদনের জন্য উপযুক্ত।

সিলিকন কার্বাইড পরিবাহী এবং আধা-অন্তরক সাবস্ট্রেটগুলির উত্পাদন প্রক্রিয়া এবং প্রয়োগের বিস্তৃত ক্ষেত্র এবং সম্ভাবনা রয়েছে, যা ইলেকট্রনিক ডিভাইস এবং পাওয়ার ডিভাইসগুলির বিকাশের জন্য নতুন সম্ভাবনা প্রদান করে।