৩ ইঞ্চি ব্যাস ৭৬.২ মিমি SiC সাবস্ট্রেট HPSI প্রাইম রিসার্চ এবং ডামি গ্রেড
সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেটগুলিকে দুটি ভাগে ভাগ করা যেতে পারে
পরিবাহী স্তর: 15~30mΩ-সেমি সিলিকন কার্বাইড স্তরের প্রতিরোধ ক্ষমতা বোঝায়। পরিবাহী সিলিকন কার্বাইড স্তর থেকে উত্থিত সিলিকন কার্বাইড এপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফারকে আরও পাওয়ার ডিভাইসে তৈরি করা যেতে পারে, যা নতুন শক্তি যানবাহন, ফটোভোলটাইক, স্মার্ট গ্রিড এবং রেল পরিবহনে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।
সেমি-ইনসুলেটিং সাবস্ট্রেট বলতে 100000Ω-সেমি সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেটের চেয়ে বেশি প্রতিরোধ ক্ষমতা বোঝায়, যা মূলত গ্যালিয়াম নাইট্রাইড মাইক্রোওয়েভ রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি ডিভাইস তৈরিতে ব্যবহৃত হয়, যা বেতার যোগাযোগ ক্ষেত্রের ভিত্তি।
এটি বেতার যোগাযোগের ক্ষেত্রে একটি মৌলিক উপাদান।
সিলিকন কার্বাইড পরিবাহী এবং আধা-অন্তরক সাবস্ট্রেটগুলি বিস্তৃত ইলেকট্রনিক ডিভাইস এবং পাওয়ার ডিভাইসে ব্যবহৃত হয়, যার মধ্যে নিম্নলিখিতগুলি অন্তর্ভুক্ত কিন্তু সীমাবদ্ধ নয়:
উচ্চ-শক্তি সম্পন্ন অর্ধপরিবাহী ডিভাইস (পরিবাহী): সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেটগুলির উচ্চ ভাঙ্গন ক্ষেত্র শক্তি এবং তাপ পরিবাহিতা রয়েছে এবং উচ্চ-শক্তি সম্পন্ন পাওয়ার ট্রানজিস্টর এবং ডায়োড এবং অন্যান্য ডিভাইস উৎপাদনের জন্য উপযুক্ত।
আরএফ ইলেকট্রনিক ডিভাইস (আধা-অন্তরক): সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেটের উচ্চ সুইচিং গতি এবং পাওয়ার সহনশীলতা রয়েছে, যা আরএফ পাওয়ার এমপ্লিফায়ার, মাইক্রোওয়েভ ডিভাইস এবং উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি সুইচের মতো অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত।
অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইস (আধা-অন্তরক): সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেটগুলিতে বিস্তৃত শক্তি ব্যবধান এবং উচ্চ তাপীয় স্থিতিশীলতা থাকে, যা ফটোডায়োড, সৌর কোষ এবং লেজার ডায়োড এবং অন্যান্য ডিভাইস তৈরির জন্য উপযুক্ত।
তাপমাত্রা সেন্সর (পরিবাহী): সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেটগুলিতে উচ্চ তাপ পরিবাহিতা এবং তাপীয় স্থিতিশীলতা থাকে, যা উচ্চ-তাপমাত্রা সেন্সর এবং তাপমাত্রা পরিমাপ যন্ত্র উৎপাদনের জন্য উপযুক্ত।
সিলিকন কার্বাইড পরিবাহী এবং আধা-অন্তরক সাবস্ট্রেটের উৎপাদন প্রক্রিয়া এবং প্রয়োগের বিস্তৃত ক্ষেত্র এবং সম্ভাবনা রয়েছে, যা ইলেকট্রনিক ডিভাইস এবং পাওয়ার ডিভাইসের উন্নয়নের জন্য নতুন সম্ভাবনা প্রদান করে।
বিস্তারিত চিত্র
