6 ইঞ্চি গ্যান-অন-স্যাফায়ার

6 ইঞ্চি GaN-অন-স্যাফায়ার বৈশিষ্ট্যযুক্ত ছবি

সংক্ষিপ্ত বর্ণনা:

সিলিকন/স্যাফায়ার/SiC এপি-লেয়ার ওয়েফার গ্যালিয়াম নাইট্রাইড এপিটাক্সিয়াল ওয়েফারে 150 মিমি 6 ইঞ্চি GaN

6-ইঞ্চি স্যাফায়ার সাবস্ট্রেট ওয়েফার হল একটি উচ্চ-মানের সেমিকন্ডাক্টর উপাদান যা একটি নীলকান্তমণির উপর জন্মানো গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN) এর স্তরগুলি নিয়ে গঠিত। উপাদানটির চমৎকার বৈদ্যুতিন পরিবহন বৈশিষ্ট্য রয়েছে এবং উচ্চ-শক্তি এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস তৈরির জন্য আদর্শ।

আমাদের ইমেইল পাঠান

পণ্য বিস্তারিত

পণ্য ট্যাগ

সিলিকন/স্যাফায়ার/SiC এপি-লেয়ার ওয়েফার গ্যালিয়াম নাইট্রাইড এপিটাক্সিয়াল ওয়েফারে 150 মিমি 6 ইঞ্চি GaN

উত্পাদন পদ্ধতি: উত্পাদন প্রক্রিয়ার মধ্যে ধাতু-জৈব রাসায়নিক বাষ্প জমা (MOCVD) বা আণবিক বিম এপিটাক্সি (MBE) এর মতো উন্নত কৌশলগুলি ব্যবহার করে একটি নীলকান্তমণি স্তরে ক্রমবর্ধমান GaN স্তর জড়িত। উচ্চ স্ফটিক গুণমান এবং অভিন্ন ফিল্ম নিশ্চিত করার জন্য নিয়ন্ত্রিত অবস্থার অধীনে জমা প্রক্রিয়া সম্পন্ন করা হয়।

6 ইঞ্চি গ্যান-অন-স্যাফায়ার অ্যাপ্লিকেশন: 6-ইঞ্চি স্যাফায়ার সাবস্ট্রেট চিপগুলি মাইক্রোওয়েভ যোগাযোগ, রাডার সিস্টেম, ওয়্যারলেস প্রযুক্তি এবং অপটোইলেক্ট্রনিক্সে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।

কিছু সাধারণ অ্যাপ্লিকেশন অন্তর্ভুক্ত

1. আরএফ শক্তি পরিবর্ধক

2. LED আলো শিল্প

3. বেতার নেটওয়ার্ক যোগাযোগ সরঞ্জাম

4. উচ্চ তাপমাত্রা পরিবেশে ইলেকট্রনিক ডিভাইস

5. অপটোইলেক্ট্রনিক ডিভাইস

পণ্যের স্পেসিফিকেশন

- আকার: সাবস্ট্রেটের ব্যাস 6 ইঞ্চি (প্রায় 150 মিমি)।

- পৃষ্ঠের গুণমান: চমৎকার আয়না গুণমান প্রদানের জন্য পৃষ্ঠটি সূক্ষ্মভাবে পালিশ করা হয়েছে।

- বেধ: GaN স্তরের বেধ নির্দিষ্ট প্রয়োজনীয়তা অনুযায়ী কাস্টমাইজ করা যেতে পারে।

- প্যাকেজিং: পরিবহনের সময় ক্ষতি রোধ করতে সাবস্ট্রেটটি অ্যান্টি-স্ট্যাটিক উপকরণ দিয়ে সাবধানে প্যাক করা হয়।

- পজিশনিং এজ: সাবস্ট্রেটের নির্দিষ্ট পজিশনিং এজ রয়েছে যা ডিভাইস তৈরির সময় সারিবদ্ধকরণ এবং অপারেশনকে সহজতর করে।

- অন্যান্য পরামিতি: নির্দিষ্ট পরামিতি যেমন পাতলা, প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং ডোপিং ঘনত্ব গ্রাহকের প্রয়োজনীয়তা অনুযায়ী সামঞ্জস্য করা যেতে পারে।

তাদের উচ্চতর উপাদান বৈশিষ্ট্য এবং বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশন সহ, 6-ইঞ্চি নীলকান্তমণি সাবস্ট্রেট ওয়েফারগুলি বিভিন্ন শিল্পে উচ্চ-কর্মক্ষমতা সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলির বিকাশের জন্য একটি নির্ভরযোগ্য পছন্দ।

সাবস্ট্রেট	6” 1mm <111> p-টাইপ Si	6” 1mm <111> p-টাইপ Si
Epi ThickAvg	~5um	~7um
Epi ThickUnif	<2%	<2%
নম	+/-45um	+/-45um
ক্র্যাকিং	<5 মিমি	<5 মিমি
উল্লম্ব BV	>1000V	>1400V
HEMT Al%	25-35%	25-35%
HEMT পুরুঅ্যাভজি	20-30nm	20-30nm
ইনসিটু সিএন ক্যাপ	5-60nm	5-60nm
2DEG conc.	~10¹³cm^-2	~10¹³cm^-2
গতিশীলতা	~2000 সেমি²/বনাম (<2%)	~2000 সেমি²/বনাম (<2%)
Rsh	<330ohm/sq (<2%)	<330ohm/sq (<2%)