6 ইঞ্চি SiC Epitaxiy ওয়েফার N/P প্রকার কাস্টমাইজড গ্রহণ করে

সিলিকন কার্বাইড এপিটাক্সিয়াল ওয়েফার তৈরির প্রক্রিয়া হল রাসায়নিক বাষ্প জমা (সিভিডি) প্রযুক্তি ব্যবহার করে একটি পদ্ধতি। নিম্নলিখিত প্রাসঙ্গিক প্রযুক্তিগত নীতি এবং প্রস্তুতি প্রক্রিয়া পদক্ষেপ:

প্রযুক্তিগত নীতি:

রাসায়নিক বাষ্প জমা: গ্যাস পর্যায়ে কাঁচামাল গ্যাস ব্যবহার করে, নির্দিষ্ট প্রতিক্রিয়া অবস্থার অধীনে, এটি পচনশীল এবং পছন্দসই পাতলা ফিল্ম গঠন করার জন্য স্তরে জমা হয়।

গ্যাস-ফেজ প্রতিক্রিয়া: পাইরোলাইসিস বা ক্র্যাকিং প্রতিক্রিয়ার মাধ্যমে, গ্যাস পর্যায়ে বিভিন্ন কাঁচামাল গ্যাসগুলি প্রতিক্রিয়া চেম্বারে রাসায়নিকভাবে পরিবর্তিত হয়।

প্রস্তুতি প্রক্রিয়া ধাপ:

সাবস্ট্রেট ট্রিটমেন্ট: এপিটাক্সিয়াল ওয়েফারের গুণমান এবং স্ফটিকতা নিশ্চিত করার জন্য সাবস্ট্রেটকে পৃষ্ঠ পরিষ্কার করা এবং প্রিট্রিটমেন্ট করা হয়।

প্রতিক্রিয়া চেম্বার ডিবাগিং: প্রতিক্রিয়া পরিস্থিতির স্থিতিশীলতা এবং নিয়ন্ত্রণ নিশ্চিত করতে প্রতিক্রিয়া চেম্বারের তাপমাত্রা, চাপ এবং প্রবাহ হার এবং অন্যান্য পরামিতিগুলি সামঞ্জস্য করুন।

কাঁচামাল সরবরাহ: প্রতিক্রিয়া চেম্বারে প্রয়োজনীয় গ্যাসের কাঁচামাল সরবরাহ করুন, প্রয়োজন অনুসারে প্রবাহের হার মেশানো এবং নিয়ন্ত্রণ করা।

বিক্রিয়া প্রক্রিয়া: প্রতিক্রিয়া চেম্বারকে গরম করার মাধ্যমে, গ্যাসীয় ফিডস্টক চেম্বারে একটি রাসায়নিক বিক্রিয়া ঘটিয়ে কাঙ্খিত জমা অর্থাৎ সিলিকন কার্বাইড ফিল্ম তৈরি করে।

কুলিং এবং আনলোডিং: প্রতিক্রিয়ার শেষে, প্রতিক্রিয়া চেম্বারে জমাগুলিকে শীতল এবং শক্ত করার জন্য তাপমাত্রা ধীরে ধীরে হ্রাস করা হয়।

এপিটাক্সিয়াল ওয়েফার অ্যানিলিং এবং পোস্ট-প্রসেসিং: জমা হওয়া এপিটাক্সিয়াল ওয়েফারটিকে এর বৈদ্যুতিক এবং অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্যগুলি উন্নত করার জন্য অ্যানিল করা হয় এবং পোস্ট-প্রসেস করা হয়।

সিলিকন কার্বাইড এপিটাক্সিয়াল ওয়েফার প্রস্তুতি প্রক্রিয়ার নির্দিষ্ট পদক্ষেপ এবং শর্তগুলি নির্দিষ্ট সরঞ্জাম এবং প্রয়োজনীয়তার উপর নির্ভর করে পরিবর্তিত হতে পারে। উপরোক্ত শুধুমাত্র একটি সাধারণ প্রক্রিয়া প্রবাহ এবং নীতি, নির্দিষ্ট অপারেশন সামঞ্জস্য করা এবং প্রকৃত পরিস্থিতি অনুযায়ী অপ্টিমাইজ করা প্রয়োজন।