6 ইঞ্চি SiC এপিট্যাক্সি ওয়েফার N/P টাইপ কাস্টমাইজড গ্রহণযোগ্য
সিলিকন কার্বাইড এপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফার তৈরির প্রক্রিয়াটি রাসায়নিক বাষ্প জমা (সিভিডি) প্রযুক্তি ব্যবহার করে তৈরি একটি পদ্ধতি। প্রাসঙ্গিক প্রযুক্তিগত নীতি এবং প্রস্তুতি প্রক্রিয়ার ধাপগুলি নিম্নরূপ:
প্রযুক্তিগত নীতি:
রাসায়নিক বাষ্প জমা: গ্যাস পর্যায়ে কাঁচামাল গ্যাস ব্যবহার করে, নির্দিষ্ট বিক্রিয়া পরিস্থিতিতে, এটি পচে যায় এবং সাবস্ট্রেটে জমা হয় যাতে কাঙ্ক্ষিত পাতলা আবরণ তৈরি হয়।
গ্যাস-পর্যায় বিক্রিয়া: পাইরোলাইসিস বা ক্র্যাকিং বিক্রিয়ার মাধ্যমে, গ্যাস পর্যায়ের বিভিন্ন কাঁচামাল গ্যাসগুলি বিক্রিয়া চেম্বারে রাসায়নিকভাবে পরিবর্তিত হয়।
প্রস্তুতি প্রক্রিয়ার ধাপ:
সাবস্ট্রেট ট্রিটমেন্ট: এপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফারের গুণমান এবং স্ফটিকতা নিশ্চিত করার জন্য সাবস্ট্রেটটি পৃষ্ঠ পরিষ্কার এবং প্রাক-ট্রিটমেন্টের শিকার হয়।
বিক্রিয়া চেম্বার ডিবাগিং: বিক্রিয়া চেম্বারের তাপমাত্রা, চাপ এবং প্রবাহ হার এবং অন্যান্য পরামিতিগুলি সামঞ্জস্য করুন যাতে বিক্রিয়া অবস্থার স্থিতিশীলতা এবং নিয়ন্ত্রণ নিশ্চিত করা যায়।
কাঁচামাল সরবরাহ: প্রয়োজনীয় গ্যাস কাঁচামাল বিক্রিয়া চেম্বারে সরবরাহ করুন, প্রয়োজন অনুসারে প্রবাহ হার মিশ্রিত করুন এবং নিয়ন্ত্রণ করুন।
বিক্রিয়া প্রক্রিয়া: বিক্রিয়া চেম্বারটি উত্তপ্ত করার মাধ্যমে, গ্যাসীয় ফিডস্টকটি চেম্বারে একটি রাসায়নিক বিক্রিয়া করে কাঙ্ক্ষিত জমা, অর্থাৎ সিলিকন কার্বাইড ফিল্ম তৈরি করে।
শীতলকরণ এবং খালাস: বিক্রিয়ার শেষে, বিক্রিয়ার চেম্বারে জমা হওয়া পদার্থগুলিকে ঠান্ডা এবং শক্ত করার জন্য তাপমাত্রা ধীরে ধীরে কমানো হয়।
এপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফার অ্যানিলিং এবং পোস্ট-প্রসেসিং: জমা হওয়া এপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফারকে এর বৈদ্যুতিক এবং অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য উন্নত করার জন্য অ্যানিল করা হয় এবং পোস্ট-প্রসেস করা হয়।
সিলিকন কার্বাইড এপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফার প্রস্তুতি প্রক্রিয়ার নির্দিষ্ট ধাপ এবং শর্তাবলী নির্দিষ্ট সরঞ্জাম এবং প্রয়োজনীয়তার উপর নির্ভর করে পরিবর্তিত হতে পারে। উপরে বর্ণিত শুধুমাত্র একটি সাধারণ প্রক্রিয়া প্রবাহ এবং নীতি, প্রকৃত পরিস্থিতি অনুসারে নির্দিষ্ট ক্রিয়াকলাপটি সামঞ্জস্য এবং অপ্টিমাইজ করা প্রয়োজন।
বিস্তারিত চিত্র
