৮ ইঞ্চি SiC সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার ৪H-N টাইপ ০.৫ মিমি প্রোডাকশন গ্রেড রিসার্চ গ্রেড কাস্টম পলিশড সাবস্ট্রেট

ছোট বিবরণ:

সিলিকন কার্বাইড (SiC), যা সিলিকন কার্বাইড নামেও পরিচিত, হল একটি অর্ধপরিবাহী যা সিলিকন এবং কার্বন ধারণ করে যার রাসায়নিক সূত্র SiC। SiC উচ্চ তাপমাত্রা বা উচ্চ চাপে, অথবা উভয় ক্ষেত্রেই পরিচালিত সেমিকন্ডাক্টর ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলিতে ব্যবহৃত হয়। SiC হল একটি গুরুত্বপূর্ণ LED উপাদান, এটি GaN ডিভাইস বৃদ্ধির জন্য একটি সাধারণ সাবস্ট্রেট, এবং এটি উচ্চ-ক্ষমতাসম্পন্ন LED এর জন্য তাপ সিঙ্ক হিসাবেও ব্যবহার করা যেতে পারে।
৮ ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর উপকরণের একটি গুরুত্বপূর্ণ অংশ, যার উচ্চ ব্রেকডাউন ফিল্ড শক্তি, উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, উচ্চ ইলেকট্রন স্যাচুরেশন ড্রিফ্ট রেট ইত্যাদি বৈশিষ্ট্য রয়েছে এবং এটি উচ্চ-তাপমাত্রা, উচ্চ-ভোল্টেজ এবং উচ্চ-শক্তির ইলেকট্রনিক ডিভাইস তৈরির জন্য উপযুক্ত। এর প্রধান প্রয়োগ ক্ষেত্রগুলির মধ্যে রয়েছে বৈদ্যুতিক যানবাহন, রেল পরিবহন, উচ্চ-ভোল্টেজ পাওয়ার ট্রান্সমিশন এবং রূপান্তর, ফটোভোলটাইক, ৫জি যোগাযোগ, শক্তি সঞ্চয়, মহাকাশ এবং এআই কোর কম্পিউটিং পাওয়ার ডেটা সেন্টার।

আমাদের ইমেইল পাঠান

ফিচার

৮-ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট 4H-N টাইপের প্রধান বৈশিষ্ট্যগুলির মধ্যে রয়েছে:

১. মাইক্রোটিউবুলের ঘনত্ব: ≤ ০.১/সেমি² বা তার কম, যেমন কিছু পণ্যে মাইক্রোটিউবুলের ঘনত্ব উল্লেখযোগ্যভাবে ০.০৫/সেমি² এর কম হয়ে যায়।
2. স্ফটিক ফর্ম অনুপাত: 4H-SiC স্ফটিক ফর্ম অনুপাত 100% এ পৌঁছায়।
৩. প্রতিরোধ ক্ষমতা: ০.০১৪~০.০২৮ Ω·সেমি, অথবা ০.০১৫-০.০২৫ Ω·সেমি এর মধ্যে আরও স্থিতিশীল।
৪. পৃষ্ঠের রুক্ষতা: CMP Si ফেস Ra≤0.12nm।
৫. পুরুত্ব: সাধারণত ৫০০.০±২৫μm বা ৩৫০.০±২৫μm।
৬. চ্যামফারিং কোণ: A1/A2 এর জন্য 25±5° অথবা 30±5° বেধের উপর নির্ভর করে।
৭. মোট স্থানচ্যুতির ঘনত্ব: ≤৩০০০/সেমি²।
৮. পৃষ্ঠতলের ধাতু দূষণ: ≤১E+১১ পরমাণু/সেমি²।
৯. বাঁকানো এবং ওয়ারপেজ: যথাক্রমে ≤ ২০μm এবং ≤২μm।
এই বৈশিষ্ট্যগুলি উচ্চ-তাপমাত্রা, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি এবং উচ্চ-ক্ষমতাসম্পন্ন ইলেকট্রনিক ডিভাইস তৈরিতে 8-ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেটের গুরুত্বপূর্ণ প্রয়োগ মূল্য তৈরি করে।

৮ ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড ওয়েফারের বেশ কয়েকটি ব্যবহার রয়েছে।

১. পাওয়ার ডিভাইস: পাওয়ার MOSFET (ধাতু-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর), স্কটকি ডায়োড এবং পাওয়ার ইন্টিগ্রেশন মডিউলের মতো পাওয়ার ইলেকট্রনিক ডিভাইস তৈরিতে SiC ওয়েফার ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। SiC এর উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, উচ্চ ব্রেকডাউন ভোল্টেজ এবং উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতার কারণে, এই ডিভাইসগুলি উচ্চ-তাপমাত্রা, উচ্চ-ভোল্টেজ এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি পরিবেশে দক্ষ, উচ্চ-কার্যক্ষমতাসম্পন্ন পাওয়ার রূপান্তর অর্জন করতে পারে।

২. অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইস: ফটোডিটেক্টর, লেজার ডায়োড, অতিবেগুনী উৎস ইত্যাদি তৈরিতে ব্যবহৃত অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইসে SiC ওয়েফার গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে। সিলিকন কার্বাইডের উচ্চতর অপটিক্যাল এবং ইলেকট্রনিক বৈশিষ্ট্য এটিকে পছন্দের উপাদান করে তোলে, বিশেষ করে এমন অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে যেখানে উচ্চ তাপমাত্রা, উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি এবং উচ্চ শক্তি স্তরের প্রয়োজন হয়।

৩. রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি (RF) ডিভাইস: SiC চিপগুলি RF পাওয়ার অ্যামপ্লিফায়ার, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি সুইচ, RF সেন্সর এবং আরও অনেক কিছুর মতো RF ডিভাইস তৈরিতেও ব্যবহৃত হয়। SiC এর উচ্চ তাপীয় স্থিতিশীলতা, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি বৈশিষ্ট্য এবং কম ক্ষতি এটিকে ওয়্যারলেস যোগাযোগ এবং রাডার সিস্টেমের মতো RF অ্যাপ্লিকেশনের জন্য আদর্শ করে তোলে।

৪. উচ্চ-তাপমাত্রার ইলেকট্রনিক্স: উচ্চ তাপীয় স্থিতিশীলতা এবং তাপমাত্রার স্থিতিস্থাপকতার কারণে, SiC ওয়েফারগুলি উচ্চ-তাপমাত্রার পরিবেশে কাজ করার জন্য ডিজাইন করা ইলেকট্রনিক পণ্য তৈরি করতে ব্যবহৃত হয়, যার মধ্যে রয়েছে উচ্চ-তাপমাত্রার পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স, সেন্সর এবং কন্ট্রোলার।

৮-ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট ৪এইচ-এন টাইপের প্রধান প্রয়োগের পথগুলির মধ্যে রয়েছে উচ্চ-তাপমাত্রা, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি এবং উচ্চ-ক্ষমতার ইলেকট্রনিক ডিভাইস তৈরি, বিশেষ করে স্বয়ংচালিত ইলেকট্রনিক্স, সৌরশক্তি, বায়ু বিদ্যুৎ উৎপাদন, বৈদ্যুতিক লোকোমোটিভ, সার্ভার, গৃহস্থালী যন্ত্রপাতি এবং বৈদ্যুতিক যানবাহনের ক্ষেত্রে। এছাড়াও, SiC MOSFET এবং Schottky ডায়োডের মতো ডিভাইসগুলি ফ্রিকোয়েন্সি স্যুইচিং, শর্ট-সার্কিট পরীক্ষা এবং ইনভার্টার অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে দুর্দান্ত কর্মক্ষমতা প্রদর্শন করেছে, যা পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সে তাদের ব্যবহারকে চালিত করে।

গ্রাহকের প্রয়োজনীয়তা অনুসারে XKH বিভিন্ন পুরুত্বের সাথে কাস্টমাইজ করা যেতে পারে। বিভিন্ন পৃষ্ঠের রুক্ষতা এবং পলিশিং ট্রিটমেন্ট পাওয়া যায়। বিভিন্ন ধরণের ডোপিং (যেমন নাইট্রোজেন ডোপিং) সমর্থিত। গ্রাহকরা ব্যবহারের প্রক্রিয়ায় সমস্যাগুলি সমাধান করতে পারেন তা নিশ্চিত করার জন্য XKH প্রযুক্তিগত সহায়তা এবং পরামর্শ পরিষেবা প্রদান করতে পারে। 8-ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেটের খরচ হ্রাস এবং বর্ধিত ক্ষমতার ক্ষেত্রে উল্লেখযোগ্য সুবিধা রয়েছে, যা 6-ইঞ্চি সাবস্ট্রেটের তুলনায় ইউনিট চিপের খরচ প্রায় 50% কমাতে পারে। এছাড়াও, 8-ইঞ্চি সাবস্ট্রেটের বর্ধিত পুরুত্ব মেশিনিংয়ের সময় জ্যামিতিক বিচ্যুতি এবং প্রান্তের ঝাঁকুনি কমাতে সাহায্য করে, যার ফলে ফলন উন্নত হয়।