8 ইঞ্চি SiC সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার 4H-N টাইপ 0.5 মিমি প্রোডাকশন গ্রেড রিসার্চ গ্রেড কাস্টম পালিশ সাবস্ট্রেট

সংক্ষিপ্ত বর্ণনা:

সিলিকন কার্বাইড (SiC), সিলিকন কার্বাইড নামেও পরিচিত, রাসায়নিক সূত্র SiC সহ সিলিকন এবং কার্বন ধারণকারী একটি অর্ধপরিবাহী। SiC সেমিকন্ডাক্টর ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলিতে ব্যবহৃত হয় যেগুলি উচ্চ তাপমাত্রা বা উচ্চ চাপে বা উভয়ই কাজ করে। SiC হল গুরুত্বপূর্ণ LED উপাদানগুলির মধ্যে একটি, এটি ক্রমবর্ধমান GaN ডিভাইসগুলির জন্য একটি সাধারণ স্তর, এবং এটি উচ্চ-শক্তি LED-এর জন্য তাপ সিঙ্ক হিসাবেও ব্যবহার করা যেতে পারে।
8-ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর উপকরণের একটি গুরুত্বপূর্ণ অংশ, যার উচ্চ ভাঙ্গন ক্ষেত্রের শক্তি, উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, উচ্চ ইলেক্ট্রন স্যাচুরেশন ড্রিফট রেট ইত্যাদি বৈশিষ্ট্য রয়েছে এবং উচ্চ-তাপমাত্রা তৈরির জন্য উপযুক্ত। উচ্চ-ভোল্টেজ, এবং উচ্চ-শক্তি ইলেকট্রনিক ডিভাইস। এর প্রধান প্রয়োগ ক্ষেত্রগুলির মধ্যে রয়েছে বৈদ্যুতিক যানবাহন, রেল ট্রানজিট, উচ্চ-ভোল্টেজ পাওয়ার ট্রান্সমিশন এবং ট্রান্সফরমেশন, ফটোভোলটাইকস, 5G যোগাযোগ, শক্তি সঞ্চয়স্থান, মহাকাশ, এবং এআই কোর কম্পিউটিং পাওয়ার ডেটা সেন্টার।

আমাদের ইমেইল পাঠান

পণ্য বিস্তারিত

পণ্য ট্যাগ

8-ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট 4H-N টাইপের প্রধান বৈশিষ্ট্যগুলির মধ্যে রয়েছে:

1. মাইক্রোটিউবুলের ঘনত্ব: ≤ 0.1/সেমি² বা তার কম, যেমন মাইক্রোটিউবুলের ঘনত্ব উল্লেখযোগ্যভাবে কিছু পণ্যে 0.05/সেমি²-এর কম হয়ে যায়।
2. ক্রিস্টাল ফর্ম অনুপাত: 4H-SiC স্ফটিক ফর্ম অনুপাত 100% পৌঁছেছে।
3. প্রতিরোধ ক্ষমতা: 0.014~0.028 Ω·সেমি, বা 0.015-0.025 Ω·সেমি এর মধ্যে আরও স্থিতিশীল।
4. পৃষ্ঠের রুক্ষতা: CMP Si Face Ra≤0.12nm.
5. বেধ: সাধারণত 500.0±25μm বা 350.0±25μm।
6. চ্যামফারিং কোণ: বেধের উপর নির্ভর করে A1/A2 এর জন্য 25±5° বা 30±5°।
7. মোট স্থানচ্যুতি ঘনত্ব: ≤3000/cm²।
8. পৃষ্ঠ ধাতু দূষণ: ≤1E+11 পরমাণু/cm²।
9. নমন এবং ওয়ারপেজ: যথাক্রমে ≤ 20μm এবং ≤2μm।
এই বৈশিষ্ট্যগুলি উচ্চ-তাপমাত্রা, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি, এবং উচ্চ-শক্তি ইলেকট্রনিক ডিভাইস তৈরিতে 8-ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেটগুলির গুরুত্বপূর্ণ প্রয়োগের মান তৈরি করে।

8 ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড ওয়েফারের বেশ কয়েকটি অ্যাপ্লিকেশন রয়েছে।

1. পাওয়ার ডিভাইস: SiC ওয়েফারগুলি পাওয়ার এমওএসএফইটি (ধাতু-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর), স্কোটকি ডায়োড এবং পাওয়ার ইন্টিগ্রেশন মডিউলের মতো পাওয়ার ইলেকট্রনিক ডিভাইস তৈরিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, উচ্চ ব্রেকডাউন ভোল্টেজ এবং SiC-এর উচ্চ ইলেক্ট্রন গতিশীলতার কারণে, এই ডিভাইসগুলি উচ্চ-তাপমাত্রা, উচ্চ-ভোল্টেজ এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি পরিবেশে দক্ষ, উচ্চ-কার্যক্ষমতার শক্তি রূপান্তর করতে পারে।

2. অপটোইলেক্ট্রনিক ডিভাইস: SiC ওয়েফারগুলি অপটোইলেক্ট্রনিক ডিভাইসগুলিতে গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে, যা ফটোডিটেক্টর, লেজার ডায়োড, অতিবেগুনী উত্স ইত্যাদি তৈরিতে ব্যবহৃত হয়। সিলিকন কার্বাইডের উচ্চতর অপটিক্যাল এবং ইলেকট্রনিক বৈশিষ্ট্য এটিকে পছন্দের উপাদান করে তোলে, বিশেষত উচ্চ তাপমাত্রার প্রয়োজন হয় এমন অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে, উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি, এবং উচ্চ শক্তি স্তর।

3. রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি (RF) ডিভাইস: SiC চিপগুলি আরএফ ডিভাইস যেমন আরএফ পাওয়ার এমপ্লিফায়ার, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি সুইচ, আরএফ সেন্সর এবং আরও অনেক কিছু তৈরি করতে ব্যবহৃত হয়। SiC-এর উচ্চ তাপীয় স্থিতিশীলতা, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি বৈশিষ্ট্য এবং কম ক্ষয়ক্ষতি এটিকে বেতার যোগাযোগ এবং রাডার সিস্টেমের মতো RF অ্যাপ্লিকেশনের জন্য আদর্শ করে তোলে।

4. উচ্চ-তাপমাত্রার ইলেকট্রনিক্স: তাদের উচ্চ তাপীয় স্থিতিশীলতা এবং তাপমাত্রার স্থিতিস্থাপকতার কারণে, SiC ওয়েফারগুলি উচ্চ-তাপমাত্রার শক্তি ইলেকট্রনিক্স, সেন্সর এবং কন্ট্রোলার সহ উচ্চ-তাপমাত্রার পরিবেশে কাজ করার জন্য ডিজাইন করা ইলেকট্রনিক পণ্য তৈরি করতে ব্যবহৃত হয়।

8-ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট 4H-N টাইপের প্রধান প্রয়োগের পথগুলির মধ্যে রয়েছে উচ্চ-তাপমাত্রা, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি এবং উচ্চ-শক্তির ইলেকট্রনিক ডিভাইস তৈরি করা, বিশেষ করে স্বয়ংচালিত ইলেকট্রনিক্স, সৌর শক্তি, বায়ু শক্তি উৎপাদন, বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রগুলিতে লোকোমোটিভ, সার্ভার, বাড়ির যন্ত্রপাতি এবং বৈদ্যুতিক যানবাহন। উপরন্তু, SiC MOSFETs এবং Schottky ডায়োডের মতো ডিভাইসগুলি ফ্রিকোয়েন্সি পরিবর্তন, শর্ট-সার্কিট পরীক্ষা এবং বৈদ্যুতিন সংকেতের মেরু বদল অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে দুর্দান্ত পারফরম্যান্স প্রদর্শন করেছে, পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সে তাদের ব্যবহার চালাচ্ছে।

XKH গ্রাহকের প্রয়োজনীয়তা অনুযায়ী বিভিন্ন বেধের সাথে কাস্টমাইজ করা যেতে পারে। বিভিন্ন পৃষ্ঠের রুক্ষতা এবং মসৃণতা চিকিত্সা উপলব্ধ। বিভিন্ন ধরনের ডোপিং (যেমন নাইট্রোজেন ডোপিং) সমর্থিত। XKH প্রযুক্তিগত সহায়তা এবং পরামর্শ পরিষেবা প্রদান করতে পারে যাতে গ্রাহকরা ব্যবহারের প্রক্রিয়ায় সমস্যাগুলি সমাধান করতে পারেন। 8-ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেটের খরচ হ্রাস এবং বর্ধিত ক্ষমতার ক্ষেত্রে উল্লেখযোগ্য সুবিধা রয়েছে, যা 6-ইঞ্চি সাবস্ট্রেটের তুলনায় ইউনিট চিপের খরচ প্রায় 50% কমাতে পারে। উপরন্তু, 8-ইঞ্চি সাবস্ট্রেটের বর্ধিত পুরুত্ব যন্ত্রের সময় জ্যামিতিক বিচ্যুতি এবং প্রান্তের বিচ্যুতি কমাতে সাহায্য করে, যার ফলে ফলন উন্নত হয়।