১৬০০℃ তাপমাত্রায় সিলিকন কার্বাইড সংশ্লেষণ চুল্লিতে উচ্চ বিশুদ্ধতা SiC কাঁচামাল উৎপাদনের জন্য CVD পদ্ধতি

ছোট বিবরণ:

একটি সিলিকন কার্বাইড (SiC) সংশ্লেষণ চুল্লি (CVD)। এটি একটি রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) প্রযুক্তি ব্যবহার করে ₄ গ্যাসীয় সিলিকন উৎস (যেমন SiH₄, SiCl₄) উচ্চ তাপমাত্রার পরিবেশে কার্বন উৎসের সাথে বিক্রিয়া করে (যেমন C₃H₈, CH₄)। একটি সাবস্ট্রেটে (গ্রাফাইট বা SiC বীজ) উচ্চ-বিশুদ্ধতা সিলিকন কার্বাইড স্ফটিক বৃদ্ধির জন্য একটি মূল যন্ত্র। এই প্রযুক্তিটি মূলত SiC একক স্ফটিক সাবস্ট্রেট (4H/6H-SiC) প্রস্তুত করার জন্য ব্যবহৃত হয়, যা পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর (যেমন MOSFET, SBD) তৈরির মূল প্রক্রিয়া সরঞ্জাম।

আমাদের ইমেইল পাঠান

পণ্য বিবরণী

পণ্য ট্যাগ

কাজের নীতি:

১. পূর্বসূরী সরবরাহ। সিলিকন উৎস (যেমন SiH₄) এবং কার্বন উৎস (যেমন C₃H₈) গ্যাসগুলি অনুপাতে মিশ্রিত করা হয় এবং বিক্রিয়া কক্ষে প্রবেশ করানো হয়।

2. উচ্চ তাপমাত্রার পচন: 1500~2300℃ উচ্চ তাপমাত্রায়, গ্যাস পচনের ফলে Si এবং C সক্রিয় পরমাণু তৈরি হয়।

৩. পৃষ্ঠ বিক্রিয়া: Si এবং C পরমাণুগুলি স্তর পৃষ্ঠে জমা হয়ে একটি SiC স্ফটিক স্তর তৈরি করে।

৪. স্ফটিক বৃদ্ধি: তাপমাত্রার গ্রেডিয়েন্ট, গ্যাস প্রবাহ এবং চাপ নিয়ন্ত্রণের মাধ্যমে, c অক্ষ বা a অক্ষ বরাবর দিকনির্দেশক বৃদ্ধি অর্জন করা।

মূল পরামিতি:

· তাপমাত্রা: ১৬০০~২২০০℃ (>৪ ঘন্টা-SiC এর জন্য ২০০০℃)

· চাপ: ৫০~২০০mbar (গ্যাসের নিউক্লিয়াস কমাতে কম চাপ)

· গ্যাস অনুপাত: Si/C≈1.0~1.2 (Si বা C সমৃদ্ধকরণ ত্রুটি এড়াতে)

প্রধান বৈশিষ্ট্য:

(১) স্ফটিকের গুণমান
কম ত্রুটি ঘনত্ব: মাইক্রোটিউবুল ঘনত্ব < 0.5 সেমি ⁻², স্থানচ্যুতি ঘনত্ব < 10⁴ সেমি⁻²।

পলিক্রিস্টালাইন টাইপ নিয়ন্ত্রণ: 4H-SiC (মূলধারার), 6H-SiC, 3C-SiC এবং অন্যান্য স্ফটিক প্রকার বৃদ্ধি করতে পারে।

(2) সরঞ্জাম কর্মক্ষমতা
উচ্চ তাপমাত্রার স্থিতিশীলতা: গ্রাফাইট ইন্ডাকশন হিটিং বা রেজিস্ট্যান্স হিটিং, তাপমাত্রা >২৩০০℃।

অভিন্নতা নিয়ন্ত্রণ: তাপমাত্রার ওঠানামা ±5℃, বৃদ্ধির হার 10~50μm/h।

গ্যাস সিস্টেম: উচ্চ নির্ভুলতা ভর প্রবাহ মিটার (MFC), গ্যাস বিশুদ্ধতা ≥99.999%।

(৩) প্রযুক্তিগত সুবিধা
উচ্চ বিশুদ্ধতা: পটভূমির অপরিষ্কারতার ঘনত্ব <10¹⁶ cm⁻³ (N, B, ইত্যাদি)।

বড় আকার: 6 "/8" SiC সাবস্ট্রেট বৃদ্ধি সমর্থন করে।

(৪) শক্তি খরচ এবং খরচ
উচ্চ শক্তি খরচ (প্রতি চুল্লিতে ২০০~৫০০kW·h), যা SiC সাবস্ট্রেটের উৎপাদন খরচের ৩০%~৫০%।

মূল অ্যাপ্লিকেশন:

১. পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্রেট: বৈদ্যুতিক যানবাহন এবং ফটোভোলটাইক ইনভার্টার তৈরির জন্য SiC MOSFET।

2. Rf ডিভাইস: 5G বেস স্টেশন GaN-on-SiC এপিট্যাক্সিয়াল সাবস্ট্রেট।

৩. চরম পরিবেশগত ডিভাইস: মহাকাশ এবং পারমাণবিক বিদ্যুৎ কেন্দ্রের জন্য উচ্চ তাপমাত্রা সেন্সর।

প্রযুক্তিগত স্পেসিফিকেশন:

স্পেসিফিকেশন	বিস্তারিত
মাত্রা (L × W × H)	৪০০০ x ৩৪০০ x ৪৩০০ মিমি অথবা কাস্টমাইজ করুন
ফার্নেস চেম্বারের ব্যাস	১১০০ মিমি
লোডিং ক্ষমতা	৫০ কেজি
সীমা ভ্যাকুয়াম ডিগ্রী	১০-২Pa (আণবিক পাম্প শুরু হওয়ার ২ ঘন্টা পর)
চেম্বারে চাপ বৃদ্ধির হার	≤১০Pa/h (ক্যালসিনেশনের পর)
নিম্ন চুল্লি কভার উত্তোলন স্ট্রোক	১৫০০ মিমি
গরম করার পদ্ধতি	আবেশন গরম করার পদ্ধতি
চুল্লিতে সর্বোচ্চ তাপমাত্রা	২৪০০°সে.
গরম করার বিদ্যুৎ সরবরাহ	২X৪০ কিলোওয়াট
তাপমাত্রা পরিমাপ	দুই রঙের ইনফ্রারেড তাপমাত্রা পরিমাপ
তাপমাত্রা পরিসীমা	৯০০~৩০০০℃
তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রণের নির্ভুলতা	±১°সে.
নিয়ন্ত্রণ চাপ পরিসীমা	১~৭০০ মেগাবাইট বার
চাপ নিয়ন্ত্রণ নির্ভুলতা	১~৫ মেগাবাইট ±০.১ মেগাবাইট; ৫~১০০ মেগাবাইট বার ±০.২ মেগাবাইট বার; ১০০~৭০০মিবার ±০.৫মিবার
লোডিং পদ্ধতি	কম লোডিং;
ঐচ্ছিক কনফিগারেশন	ডাবল তাপমাত্রা পরিমাপ বিন্দু, ফর্কলিফ্ট আনলোড করা।

XKH পরিষেবা:

XKH সিলিকন কার্বাইড সিভিডি ফার্নেসের জন্য পূর্ণ-চক্র পরিষেবা প্রদান করে, যার মধ্যে রয়েছে সরঞ্জাম কাস্টমাইজেশন (তাপমাত্রা অঞ্চল নকশা, গ্যাস সিস্টেম কনফিগারেশন), প্রক্রিয়া উন্নয়ন (স্ফটিক নিয়ন্ত্রণ, ত্রুটি অপ্টিমাইজেশন), প্রযুক্তিগত প্রশিক্ষণ (পরিচালনা এবং রক্ষণাবেক্ষণ) এবং বিক্রয়োত্তর সহায়তা (মূল উপাদানগুলির খুচরা যন্ত্রাংশ সরবরাহ, দূরবর্তী রোগ নির্ণয়) যাতে গ্রাহকরা উচ্চ-মানের SiC সাবস্ট্রেট ভর উৎপাদন অর্জন করতে পারেন। এবং ক্রমাগত স্ফটিক ফলন এবং বৃদ্ধি দক্ষতা উন্নত করার জন্য প্রক্রিয়া আপগ্রেড পরিষেবা প্রদান করে।