এপিট্যাক্সিয়াল স্তর
-
২০০ মিমি ৮ ইঞ্চি GaN অন স্যাফায়ার এপি-লেয়ার ওয়েফার সাবস্ট্রেট
-
৪-ইঞ্চি গ্লাসে GaN: JGS1, JGS2, BF33 এবং সাধারণ কোয়ার্টজ সহ কাস্টমাইজযোগ্য কাচের বিকল্পগুলি
-
AlN-on-NPSS ওয়েফার: উচ্চ-তাপমাত্রা, উচ্চ-শক্তি এবং RF অ্যাপ্লিকেশনের জন্য নন-পলিশড নীলকান্তমণি সাবস্ট্রেটে উচ্চ-কার্যক্ষমতাসম্পন্ন অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড স্তর
-
সিলিকন ওয়েফারে গ্যালিয়াম নাইট্রাইড ৪ ইঞ্চি ৬ ইঞ্চির জন্য উপযুক্ত সি সাবস্ট্রেট ওরিয়েন্টেশন, রেজিস্টিভিটি এবং এন-টাইপ/পি-টাইপ বিকল্প
-
কাস্টমাইজড GaN-on-SiC এপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফার (100 মিমি, 150 মিমি) - একাধিক SiC সাবস্ট্রেট বিকল্প (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
-
GaN-on-Diamond Wafers 4 ইঞ্চি 6 ইঞ্চি মোট epi বেধ (মাইক্রন) 0.6 ~ 2.5 অথবা উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনের জন্য কাস্টমাইজড
-
লেজার চিকিৎসার জন্য GaAs উচ্চ-ক্ষমতাসম্পন্ন এপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফার সাবস্ট্রেট গ্যালিয়াম আর্সেনাইড ওয়েফার পাওয়ার লেজার তরঙ্গদৈর্ঘ্য 905nm
-
LiDAR-এর জন্য InGaAs এপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফার সাবস্ট্রেট PD অ্যারে ফটোডিটেক্টর অ্যারে ব্যবহার করা যেতে পারে
-
ফাইবার অপটিক যোগাযোগ বা LiDAR এর জন্য 2 ইঞ্চি 3 ইঞ্চি 4 ইঞ্চি InP এপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফার সাবস্ট্রেট APD লাইট ডিটেক্টর
-
সিলিকন-অন-ইনসুলেটর সাবস্ট্রেট SOI মাইক্রোইলেকট্রনিক্স এবং রেডিও ফ্রিকোয়েন্সির জন্য তিনটি স্তর ওয়েফার করে
-
সিলিকন ৮-ইঞ্চি এবং ৬-ইঞ্চি SOI (সিলিকন-অন-ইনসুলেটর) ওয়েফারে SOI ওয়েফার ইনসুলেটর
-
6 ইঞ্চি SiC এপিট্যাক্সি ওয়েফার N/P টাইপ কাস্টমাইজড গ্রহণযোগ্য