গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN) এপিট্যাক্সিয়াল নীলকান্তমণি ওয়েফারে জন্মানো 4 ইঞ্চি 6 ইঞ্চি MEMS এর জন্য
নীলকান্তমণি ওয়েফারে GaN এর বৈশিষ্ট্য
● উচ্চ দক্ষতা:GaN-ভিত্তিক ডিভাইসগুলি সিলিকন-ভিত্তিক ডিভাইসের তুলনায় পাঁচ গুণ বেশি শক্তি সরবরাহ করে, যা RF পরিবর্ধন এবং অপটোইলেক্ট্রনিক্স সহ বিভিন্ন ইলেকট্রনিক অ্যাপ্লিকেশনে কর্মক্ষমতা বৃদ্ধি করে।
● বিস্তৃত ব্যান্ডগ্যাপ:GaN এর প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ উচ্চ তাপমাত্রায় উচ্চ দক্ষতা সক্ষম করে, যা এটিকে উচ্চ-শক্তি এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনের জন্য আদর্শ করে তোলে।
● স্থায়িত্ব:চরম পরিস্থিতি (উচ্চ তাপমাত্রা এবং বিকিরণ) মোকাবেলা করার GaN-এর ক্ষমতা কঠোর পরিবেশে দীর্ঘস্থায়ী কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করে।
● ছোট আকার:GaN ঐতিহ্যবাহী সেমিকন্ডাক্টর উপকরণের তুলনায় আরও কমপ্যাক্ট এবং হালকা ওজনের ডিভাইস উৎপাদনের সুযোগ করে দেয়, যা ছোট এবং আরও শক্তিশালী ইলেকট্রনিক্স তৈরিতে সহায়তা করে।
সারাংশ
গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN) উচ্চ শক্তি এবং দক্ষতার প্রয়োজন এমন উন্নত অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য পছন্দের সেমিকন্ডাক্টর হিসাবে আবির্ভূত হচ্ছে, যেমন RF ফ্রন্ট-এন্ড মডিউল, উচ্চ-গতির যোগাযোগ ব্যবস্থা এবং LED আলো। নীলকান্তমণি সাবস্ট্রেটে জন্মানো GaN এপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফারগুলি উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, উচ্চ ব্রেকডাউন ভোল্টেজ এবং প্রশস্ত ফ্রিকোয়েন্সি প্রতিক্রিয়ার সংমিশ্রণ প্রদান করে, যা ওয়্যারলেস যোগাযোগ ডিভাইস, রাডার এবং জ্যামারগুলিতে সর্বোত্তম কর্মক্ষমতার জন্য গুরুত্বপূর্ণ। এই ওয়েফারগুলি 4-ইঞ্চি এবং 6-ইঞ্চি ব্যাসে পাওয়া যায়, বিভিন্ন প্রযুক্তিগত প্রয়োজনীয়তা পূরণের জন্য বিভিন্ন GaN বেধ সহ। GaN এর অনন্য বৈশিষ্ট্যগুলি এটিকে পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সের ভবিষ্যতের জন্য একটি প্রধান প্রার্থী করে তোলে।
পণ্যের পরামিতি
| পণ্যের বৈশিষ্ট্য | স্পেসিফিকেশন |
| ওয়েফার ব্যাস | ৫০ মিমি, ১০০ মিমি, ৫০.৮ মিমি |
| সাবস্ট্রেট | নীলকান্তমণি |
| GaN স্তরের পুরুত্ব | ০.৫ মাইক্রোমিটার - ১০ মাইক্রোমিটার |
| GaN টাইপ/ডোপিং | এন-টাইপ (অনুরোধের ভিত্তিতে পি-টাইপ উপলব্ধ) |
| GaN ক্রিস্টাল ওরিয়েন্টেশন | <0001> |
| পলিশিং টাইপ | সিঙ্গেল-সাইড পলিশড (SSP), ডাবল-সাইড পলিশড (DSP) |
| Al2O3 বেধ | ৪৩০ মাইক্রোমিটার - ৬৫০ মাইক্রোমিটার |
| টিটিভি (মোট পুরুত্বের তারতম্য) | ≤ ১০ মাইক্রোমিটার |
| নম | ≤ ১০ মাইক্রোমিটার |
| ওয়ার্প | ≤ ১০ মাইক্রোমিটার |
| পৃষ্ঠতলের ক্ষেত্রফল | ব্যবহারযোগ্য পৃষ্ঠতলের ক্ষেত্রফল > ৯০% |
প্রশ্নোত্তর
প্রশ্ন ১: ঐতিহ্যবাহী সিলিকন-ভিত্তিক সেমিকন্ডাক্টরের তুলনায় GaN ব্যবহারের মূল সুবিধাগুলি কী কী?
A1: সিলিকনের তুলনায় GaN-এর বেশ কিছু উল্লেখযোগ্য সুবিধা রয়েছে, যার মধ্যে রয়েছে একটি বৃহত্তর ব্যান্ডগ্যাপ, যা এটিকে উচ্চতর ব্রেকডাউন ভোল্টেজ পরিচালনা করতে এবং উচ্চ তাপমাত্রায় দক্ষতার সাথে কাজ করতে দেয়। এটি GaN-কে উচ্চ-শক্তি, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশন যেমন RF মডিউল, পাওয়ার অ্যামপ্লিফায়ার এবং LED-এর জন্য আদর্শ করে তোলে। GaN-এর উচ্চ শক্তি ঘনত্ব পরিচালনা করার ক্ষমতা সিলিকন-ভিত্তিক বিকল্পগুলির তুলনায় ছোট এবং আরও দক্ষ ডিভাইসগুলিকে সক্ষম করে।
প্রশ্ন ২: MEMS (মাইক্রো-ইলেক্ট্রো-মেকানিক্যাল সিস্টেম) অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে কি GaN অন স্যাফায়ার ওয়েফার ব্যবহার করা যেতে পারে?
A2: হ্যাঁ, GaN অন স্যাফায়ার ওয়েফার MEMS অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত, বিশেষ করে যেখানে উচ্চ শক্তি, তাপমাত্রা স্থিতিশীলতা এবং কম শব্দ প্রয়োজন। উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি পরিবেশে উপাদানটির স্থায়িত্ব এবং দক্ষতা এটিকে ওয়্যারলেস যোগাযোগ, সেন্সিং এবং রাডার সিস্টেমে ব্যবহৃত MEMS ডিভাইসের জন্য আদর্শ করে তোলে।
প্রশ্ন ৩: ওয়্যারলেস যোগাযোগে GaN-এর সম্ভাব্য প্রয়োগগুলি কী কী?
A3: 5G অবকাঠামো, রাডার সিস্টেম এবং জ্যামার সহ ওয়্যারলেস যোগাযোগের জন্য RF ফ্রন্ট-এন্ড মডিউলগুলিতে GaN ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। এর উচ্চ শক্তি ঘনত্ব এবং তাপ পরিবাহিতা এটিকে উচ্চ-শক্তি, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ডিভাইসের জন্য উপযুক্ত করে তোলে, যা সিলিকন-ভিত্তিক সমাধানগুলির তুলনায় আরও ভাল কর্মক্ষমতা এবং ছোট ফর্ম ফ্যাক্টর সক্ষম করে।
প্রশ্ন ৪: স্যাফায়ার ওয়েফারে GaN এর লিড টাইম এবং সর্বনিম্ন অর্ডারের পরিমাণ কত?
A4: লিড টাইম এবং ন্যূনতম অর্ডারের পরিমাণ ওয়েফারের আকার, GaN বেধ এবং নির্দিষ্ট গ্রাহকের প্রয়োজনীয়তার উপর নির্ভর করে পরিবর্তিত হয়। আপনার স্পেসিফিকেশনের উপর ভিত্তি করে বিস্তারিত মূল্য এবং প্রাপ্যতার জন্য দয়া করে সরাসরি আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন।
প্রশ্ন ৫: আমি কি কাস্টম GaN স্তরের পুরুত্ব বা ডোপিং স্তর পেতে পারি?
A5: হ্যাঁ, আমরা নির্দিষ্ট প্রয়োগের চাহিদা পূরণের জন্য GaN পুরুত্ব এবং ডোপিং স্তরের কাস্টমাইজেশন অফার করি। অনুগ্রহ করে আপনার পছন্দসই স্পেসিফিকেশন আমাদের জানান, এবং আমরা একটি উপযুক্ত সমাধান প্রদান করব।
বিস্তারিত চিত্র
