GaN-on-Diamond Wafers 4 ইঞ্চি 6 ইঞ্চি মোট epi বেধ (মাইক্রন) 0.6 ~ 2.5 অথবা উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনের জন্য কাস্টমাইজড
বৈশিষ্ট্য
ওয়েফারের আকার:
বিভিন্ন সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদন প্রক্রিয়ায় বহুমুখী একীকরণের জন্য ৪-ইঞ্চি এবং ৬-ইঞ্চি ব্যাসে উপলব্ধ।
গ্রাহকের প্রয়োজনীয়তার উপর নির্ভর করে ওয়েফার আকারের জন্য কাস্টমাইজেশন বিকল্পগুলি উপলব্ধ।
এপিট্যাক্সিয়াল স্তরের পুরুত্ব:
পরিসর: ০.৬ µm থেকে ২.৫ µm, নির্দিষ্ট প্রয়োগের চাহিদার উপর ভিত্তি করে কাস্টমাইজড বেধের বিকল্প সহ।
এপিট্যাক্সিয়াল স্তরটি উচ্চ-মানের GaN স্ফটিক বৃদ্ধি নিশ্চিত করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, যার শক্তি, ফ্রিকোয়েন্সি প্রতিক্রিয়া এবং তাপ ব্যবস্থাপনার ভারসাম্য বজায় রাখার জন্য অনুকূলিত পুরুত্ব রয়েছে।
তাপীয় পরিবাহিতা:
হীরার স্তরটি প্রায় ২০০০-২২০০ ওয়াট/মিটার·কে অত্যন্ত উচ্চ তাপ পরিবাহিতা প্রদান করে, যা উচ্চ-শক্তিসম্পন্ন ডিভাইস থেকে দক্ষ তাপ অপচয় নিশ্চিত করে।
GaN উপাদানের বৈশিষ্ট্য:
প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ: GaN স্তরটি প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ (~3.4 eV) থেকে উপকৃত হয়, যা কঠোর পরিবেশ, উচ্চ ভোল্টেজ এবং উচ্চ-তাপমাত্রার পরিস্থিতিতে কাজ করার অনুমতি দেয়।
ইলেকট্রন গতিশীলতা: উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা (প্রায় ২০০০ সেমি²/ভ্যালুমিনিয়াম), যা দ্রুত স্যুইচিং এবং উচ্চতর কার্যক্ষম ফ্রিকোয়েন্সির দিকে পরিচালিত করে।
উচ্চ ব্রেকডাউন ভোল্টেজ: GaN এর ব্রেকডাউন ভোল্টেজ প্রচলিত সেমিকন্ডাক্টর উপকরণের তুলনায় অনেক বেশি, যা এটিকে বিদ্যুৎ-নিবিড় অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত করে তোলে।
বৈদ্যুতিক কর্মক্ষমতা:
উচ্চ শক্তি ঘনত্ব: GaN-অন-ডায়মন্ড ওয়েফারগুলি একটি ছোট ফর্ম ফ্যাক্টর বজায় রেখে উচ্চ শক্তি আউটপুট সক্ষম করে, যা পাওয়ার এমপ্লিফায়ার এবং RF সিস্টেমের জন্য উপযুক্ত।
কম ক্ষতি: GaN এর দক্ষতা এবং হীরার তাপ অপচয়ের সংমিশ্রণ অপারেশনের সময় কম বিদ্যুৎ ক্ষতির দিকে পরিচালিত করে।
পৃষ্ঠের গুণমান:
উচ্চমানের এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধি: GaN স্তরটি হীরার স্তরে এপিট্যাক্সিয়ালভাবে জন্মানো হয়, যা ন্যূনতম স্থানচ্যুতি ঘনত্ব, উচ্চ স্ফটিকের গুণমান এবং সর্বোত্তম ডিভাইস কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করে।
অভিন্নতা:
পুরুত্ব এবং গঠনের অভিন্নতা: GaN স্তর এবং হীরার স্তর উভয়ই চমৎকার অভিন্নতা বজায় রাখে, যা ডিভাইসের সামঞ্জস্যপূর্ণ কর্মক্ষমতা এবং নির্ভরযোগ্যতার জন্য গুরুত্বপূর্ণ।
রাসায়নিক স্থিতিশীলতা:
GaN এবং হীরা উভয়ই ব্যতিক্রমী রাসায়নিক স্থিতিশীলতা প্রদান করে, যা এই ওয়েফারগুলিকে কঠোর রাসায়নিক পরিবেশে নির্ভরযোগ্যভাবে কাজ করতে দেয়।
অ্যাপ্লিকেশন
আরএফ পাওয়ার অ্যামপ্লিফায়ার:
টেলিযোগাযোগ, রাডার সিস্টেম এবং স্যাটেলাইট যোগাযোগের ক্ষেত্রে RF পাওয়ার অ্যামপ্লিফায়ারগুলির জন্য GaN-on-Diamond ওয়েফারগুলি আদর্শ, যা উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সিতে (যেমন, 2 GHz থেকে 20 GHz এবং তার বেশি) উচ্চ দক্ষতা এবং নির্ভরযোগ্যতা উভয়ই প্রদান করে।
মাইক্রোওয়েভ যোগাযোগ:
এই ওয়েফারগুলি মাইক্রোওয়েভ যোগাযোগ ব্যবস্থায় উৎকৃষ্ট, যেখানে উচ্চ শক্তি আউটপুট এবং ন্যূনতম সংকেত অবক্ষয় অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।
রাডার এবং সেন্সিং প্রযুক্তি:
GaN-on-Diamond ওয়েফারগুলি রাডার সিস্টেমে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়, যা উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি এবং উচ্চ-শক্তি প্রয়োগে, বিশেষ করে সামরিক, স্বয়ংচালিত এবং মহাকাশ খাতে শক্তিশালী কর্মক্ষমতা প্রদান করে।
স্যাটেলাইট সিস্টেম:
স্যাটেলাইট যোগাযোগ ব্যবস্থায়, এই ওয়েফারগুলি পাওয়ার অ্যামপ্লিফায়ারগুলির স্থায়িত্ব এবং উচ্চ কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করে, যা চরম পরিবেশগত পরিস্থিতিতে কাজ করতে সক্ষম।
উচ্চ-শক্তিসম্পন্ন ইলেকট্রনিক্স:
GaN-on-Diamond-এর তাপ ব্যবস্থাপনা ক্ষমতা এগুলিকে উচ্চ-শক্তিসম্পন্ন ইলেকট্রনিক্স, যেমন পাওয়ার কনভার্টার, ইনভার্টার এবং সলিড-স্টেট রিলে-এর জন্য উপযুক্ত করে তোলে।
তাপীয় ব্যবস্থাপনা ব্যবস্থা:
হীরার উচ্চ তাপ পরিবাহিতা থাকার কারণে, এই ওয়েফারগুলি উচ্চ-শক্তিসম্পন্ন LED এবং লেজার সিস্টেমের মতো শক্তিশালী তাপ ব্যবস্থাপনার প্রয়োজন এমন অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহার করা যেতে পারে।
GaN-on-Diamond Wafers-এর জন্য প্রশ্নোত্তর
প্রশ্ন ১: উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে GaN-on-Diamond ওয়েফার ব্যবহারের সুবিধা কী?
ক১:GaN-অন-ডায়মন্ড ওয়েফারগুলি উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা এবং GaN-এর প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপকে হীরার অসাধারণ তাপ পরিবাহিতার সাথে একত্রিত করে। এটি উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ডিভাইসগুলিকে উচ্চ শক্তি স্তরে কাজ করতে সক্ষম করে এবং কার্যকরভাবে তাপ পরিচালনা করে, ঐতিহ্যবাহী উপকরণের তুলনায় অধিক দক্ষতা এবং নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করে।
প্রশ্ন ২: নির্দিষ্ট শক্তি এবং ফ্রিকোয়েন্সি প্রয়োজনীয়তার জন্য কি GaN-on-Diamond ওয়েফারগুলি কাস্টমাইজ করা যেতে পারে?
ক২:হ্যাঁ, GaN-on-Diamond ওয়েফারগুলি কাস্টমাইজেবল বিকল্পগুলি অফার করে, যার মধ্যে রয়েছে এপিট্যাক্সিয়াল স্তর পুরুত্ব (0.6 µm থেকে 2.5 µm), ওয়েফারের আকার (4-ইঞ্চি, 6-ইঞ্চি), এবং নির্দিষ্ট প্রয়োগের চাহিদার উপর ভিত্তি করে অন্যান্য পরামিতি, যা উচ্চ-শক্তি এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনের জন্য নমনীয়তা প্রদান করে।
প্রশ্ন ৩: GaN এর সাবস্ট্রেট হিসেবে হীরার মূল সুবিধাগুলি কী কী?
ক৩:ডায়মন্ডের চরম তাপ পরিবাহিতা (২২০০ ওয়াট/মিটার·কে পর্যন্ত) উচ্চ-শক্তি সম্পন্ন GaN ডিভাইস দ্বারা উৎপন্ন তাপ দক্ষতার সাথে অপচয় করতে সাহায্য করে। এই তাপ ব্যবস্থাপনা ক্ষমতা GaN-অন-ডায়মন্ড ডিভাইসগুলিকে উচ্চ শক্তি ঘনত্ব এবং ফ্রিকোয়েন্সিতে পরিচালনা করতে সক্ষম করে, যা উন্নত ডিভাইসের কর্মক্ষমতা এবং দীর্ঘায়ু নিশ্চিত করে।
প্রশ্ন ৪: GaN-on-Diamond ওয়েফারগুলি কি মহাকাশ বা মহাকাশ ব্যবহারের জন্য উপযুক্ত?
A4:হ্যাঁ, GaN-on-Diamond ওয়েফারগুলি তাদের উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা, তাপ ব্যবস্থাপনা ক্ষমতা এবং উচ্চ বিকিরণ, তাপমাত্রার তারতম্য এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অপারেশনের মতো চরম পরিস্থিতিতে কর্মক্ষমতার কারণে স্থান এবং মহাকাশ অ্যাপ্লিকেশনের জন্য বেশ উপযুক্ত।
প্রশ্ন ৫: GaN-on-Diamond ওয়েফার থেকে তৈরি ডিভাইসের প্রত্যাশিত আয়ুষ্কাল কত?
A5:GaN-এর সহজাত স্থায়িত্ব এবং হীরার ব্যতিক্রমী তাপ অপচয় বৈশিষ্ট্যের সংমিশ্রণ ডিভাইসগুলির দীর্ঘ জীবনকাল নিশ্চিত করে। GaN-অন-ডায়মন্ড ডিভাইসগুলি কঠোর পরিবেশ এবং উচ্চ-শক্তির পরিস্থিতিতে কাজ করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, সময়ের সাথে সাথে ন্যূনতম অবক্ষয় সহ।
প্রশ্ন ৬: হীরার তাপ পরিবাহিতা GaN-on-Diamond ওয়েফারের সামগ্রিক কর্মক্ষমতাকে কীভাবে প্রভাবিত করে?
A6:হীরার উচ্চ তাপ পরিবাহিতা উচ্চ-শক্তি প্রয়োগে উৎপন্ন তাপ দক্ষতার সাথে অপসারণ করে GaN-অন-ডায়মন্ড ওয়েফারের কর্মক্ষমতা বৃদ্ধিতে গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে। এটি নিশ্চিত করে যে GaN ডিভাইসগুলি সর্বোত্তম কর্মক্ষমতা বজায় রাখে, তাপীয় চাপ কমায় এবং অতিরিক্ত গরম হওয়া এড়ায়, যা প্রচলিত সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলিতে একটি সাধারণ চ্যালেঞ্জ।
প্রশ্ন ৭: GaN-on-Diamond ওয়েফারের সাধারণ প্রয়োগগুলি কী কী যেখানে অন্যান্য সেমিকন্ডাক্টর উপকরণগুলিকে ছাড়িয়ে যায়?
A7:উচ্চ ক্ষমতা সম্পন্ন হ্যান্ডলিং, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অপারেশন এবং দক্ষ তাপ ব্যবস্থাপনার প্রয়োজন এমন অ্যাপ্লিকেশনের ক্ষেত্রে GaN-on-Diamond ওয়েফারগুলি অন্যান্য উপকরণকে ছাড়িয়ে যায়। এর মধ্যে রয়েছে RF পাওয়ার অ্যামপ্লিফায়ার, রাডার সিস্টেম, মাইক্রোওয়েভ যোগাযোগ, স্যাটেলাইট যোগাযোগ এবং অন্যান্য উচ্চ-শক্তি সম্পন্ন ইলেকট্রনিক্স।
উপসংহার
GaN-on-Diamond ওয়েফারগুলি উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি এবং উচ্চ-পাওয়ার অ্যাপ্লিকেশনের জন্য একটি অনন্য সমাধান প্রদান করে, যা GaN-এর উচ্চ কর্মক্ষমতা এবং হীরার ব্যতিক্রমী তাপীয় বৈশিষ্ট্যগুলিকে একত্রিত করে। কাস্টমাইজযোগ্য বৈশিষ্ট্য সহ, এগুলি এমন শিল্পের চাহিদা পূরণের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে যেখানে দক্ষ বিদ্যুৎ সরবরাহ, তাপ ব্যবস্থাপনা এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অপারেশন প্রয়োজন, যা চ্যালেঞ্জিং পরিবেশে নির্ভরযোগ্যতা এবং দীর্ঘায়ু নিশ্চিত করে।
বিস্তারিত চিত্র
