5G/6G যোগাযোগের জন্য LiTaO3 ওয়েফার 2 ইঞ্চি-8 ইঞ্চি 10x10x0.5 মিমি 1sp 2sp

LiTaO3 ওয়েফার 2 ইঞ্চি-8 ইঞ্চি 10x10x0.5 মিমি 1sp 2sp 5G/6G যোগাযোগের জন্য বৈশিষ্ট্যযুক্ত ছবি

ছোট বিবরণ:

তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর এবং অপটোইলেক্ট্রনিক্সের একটি গুরুত্বপূর্ণ উপাদান, LiTaO3 ওয়েফার (লিথিয়াম ট্যানটালেট ওয়েফার) 5G যোগাযোগ, ফোটোনিক ইন্টিগ্রেশন এবং কোয়ান্টাম ডিভাইসগুলিতে বিপ্লব ঘটাতে তার উচ্চ কিউরি তাপমাত্রা (610°C), বিস্তৃত স্বচ্ছতা পরিসীমা (0.4–5.0 μm), উচ্চতর পাইজোইলেকট্রিক সহগ (d33 > 1,500 পিসি/এন), এবং কম ডাইইলেক্ট্রিক লস (ট্যানδ < 2%) ব্যবহার করে। ভৌত বাষ্প পরিবহন (PVT) এবং রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) এর মতো উন্নত ফ্যাব্রিকেশন প্রযুক্তি ব্যবহার করে, XKH 2-8-ইঞ্চি ফর্ম্যাটে X/Y/Z-কাট, 42°Y-কাট এবং পর্যায়ক্রমে পোলড (PPLT) ওয়েফার সরবরাহ করে, যার মধ্যে পৃষ্ঠের রুক্ষতা (Ra) <0.5 nm এবং মাইক্রোপাইপ ঘনত্ব <0.1 cm⁻² রয়েছে। আমাদের পরিষেবাগুলিতে Fe ডোপিং, রাসায়নিক হ্রাস এবং স্মার্ট-কাট ভিন্নধর্মী ইন্টিগ্রেশন, উচ্চ-কার্যক্ষমতা সম্পন্ন অপটিক্যাল ফিল্টার, ইনফ্রারেড ডিটেক্টর এবং কোয়ান্টাম আলোর উৎসগুলিকে সম্বোধন করা অন্তর্ভুক্ত। এই উপাদানটি ক্ষুদ্রাকৃতিকরণ, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অপারেশন এবং তাপীয় স্থিতিশীলতার ক্ষেত্রে অগ্রগতি সাধন করে, গুরুত্বপূর্ণ প্রযুক্তিতে দেশীয় প্রতিস্থাপনকে ত্বরান্বিত করে।

আমাদের ইমেইল পাঠান

ফিচার

প্রযুক্তিগত পরামিতি

নাম	অপটিক্যাল-গ্রেড LiTaO3	সাউন্ড টেবিল লেভেল LiTaO3
অক্ষীয়	Z কাট + / - 0.2 °	৩৬° Y কাটা / ৪২° Y কাটা / X কাটা (+ / - ০.২ °)
ব্যাস	৭৬.২ মিমি + / - ০.৩ মিমি/ ১০০±০.২ মিমি	৭৬.২ মিমি + /-০.৩ মিমি ১০০ মিমি + /-০.৩ মিমি ০আর ১৫০±০.৫ মিমি
ডেটাম প্লেন	২২ মিমি + / - ২ মিমি	২২ মিমি + /-২ মিমি ৩২ মিমি + /-২ মিমি
বেধ	৫০০উম + /-৫ মিমি ১০০০উম + /-৫ মিমি	৫০০উম + /-২০ মিমি ৩৫০উম + /-২০ মিমি
টিটিভি	≤ ১০ গ্রাম	≤ ১০ গ্রাম
কিউরি তাপমাত্রা	৬০৫ °সে + / - ০.৭ °সে (DTA পদ্ধতি)	৬০৫ °সে + / -৩ °সে (DTA পদ্ধতি)
পৃষ্ঠের গুণমান	দ্বি-পার্শ্বযুক্ত পলিশিং	দ্বি-পার্শ্বযুক্ত পলিশিং
চ্যামফার্ড প্রান্ত	প্রান্ত বৃত্তাকার	প্রান্ত বৃত্তাকার

মূল বৈশিষ্ট্য

১. বৈদ্যুতিক এবং অপটিক্যাল কর্মক্ষমতা
· ইলেক্ট্রো-অপটিক সহগ: r33 30 pm/V (X-cut) এ পৌঁছায়, যা LiNbO3 এর চেয়ে 1.5× বেশি, যা আল্ট্রা-ওয়াইডব্যান্ড ইলেক্ট্রো-অপটিক মড্যুলেশন (>40 GHz ব্যান্ডউইথ) সক্ষম করে।
· বিস্তৃত বর্ণালী প্রতিক্রিয়া: ট্রান্সমিশন রেঞ্জ 0.4–5.0 μm (8 মিমি পুরুত্ব), অতিবেগুনী শোষণ প্রান্ত 280 nm পর্যন্ত কম, যা UV লেজার এবং কোয়ান্টাম ডট ডিভাইসের জন্য আদর্শ।
· নিম্ন পাইরোইলেকট্রিক সহগ: dP/dT = 3.5×10⁻⁴ C/(m²·K), উচ্চ-তাপমাত্রার ইনফ্রারেড সেন্সরগুলিতে স্থিতিশীলতা নিশ্চিত করে।

২. তাপীয় এবং যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্য
· উচ্চ তাপীয় পরিবাহিতা: ৪.৬ ওয়াট/মি·কে (এক্স-কাট), কোয়ার্টজের চারগুণ, -২০০–৫০০°সে তাপীয় চক্রাকারে তাপমাত্রা সহ্য করে।
· নিম্ন তাপীয় প্রসারণ সহগ: CTE = 4.1×10⁻⁶/K (25–1000°C), তাপীয় চাপ কমাতে সিলিকন প্যাকেজিংয়ের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ।
৩. ত্রুটি নিয়ন্ত্রণ এবং প্রক্রিয়াকরণ নির্ভুলতা
· মাইক্রোপাইপের ঘনত্ব: <0.1 সেমি⁻² (8-ইঞ্চি ওয়েফার), স্থানচ্যুতি ঘনত্ব <500 সেমি⁻² (KOH এচিং দ্বারা যাচাই করা হয়েছে)।
· পৃষ্ঠের গুণমান: CMP-পলিশ করা Ra <0.5 nm, EUV লিথোগ্রাফি-গ্রেড সমতলতার প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে।

মূল অ্যাপ্লিকেশন

ডোমেইন	অ্যাপ্লিকেশনের পরিস্থিতি	প্রযুক্তিগত সুবিধা
অপটিক্যাল যোগাযোগ	১০০জি/৪০০জি ডিডব্লিউডিএম লেজার, সিলিকন ফোটোনিক্স হাইব্রিড মডিউল	LiTaO3 ওয়েফারের বিস্তৃত বর্ণালী সংক্রমণ এবং কম তরঙ্গ নির্দেশিকা ক্ষতি (α <0.1 dB/cm) সি-ব্যান্ড সম্প্রসারণ সক্ষম করে।
৫জি/৬জি যোগাযোগ	SAW ফিল্টার (1.8–3.5 GHz), BAW-SMR ফিল্টার	৪২°Y-কাট ওয়েফারগুলি Kt² >১৫% অর্জন করে, কম সন্নিবেশ ক্ষতি (<১.৫ dB) এবং উচ্চ রোল-অফ (>৩০ dB) প্রদান করে।
কোয়ান্টাম টেকনোলজিস	একক-ফোটন ডিটেক্টর, প্যারামেট্রিক ডাউন-রূপান্তর উৎস	উচ্চ অরৈখিক সহগ (χ(2)=40 pm/V) এবং কম অন্ধকার গণনার হার (<100 গণনা/সেকেন্ড) কোয়ান্টাম বিশ্বস্ততা বৃদ্ধি করে।
শিল্প সংবেদন	উচ্চ-তাপমাত্রা চাপ সেন্সর, বর্তমান ট্রান্সফরমার	LiTaO3 ওয়েফারের পাইজোইলেকট্রিক প্রতিক্রিয়া (g33 >20 mV/m) এবং উচ্চ-তাপমাত্রা সহনশীলতা (>400°C) চরম পরিবেশের জন্য উপযুক্ত।

XKH পরিষেবা

১. কাস্টম ওয়েফার ফ্যাব্রিকেশন

· আকার এবং কাটিং: X/Y/Z-কাট, 42°Y-কাট এবং কাস্টম কৌণিক কাট (±0.01° সহনশীলতা) সহ 2-8-ইঞ্চি ওয়েফার।

· ডোপিং নিয়ন্ত্রণ: ইলেক্ট্রো-অপটিক সহগ এবং তাপীয় স্থিতিশীলতা অপ্টিমাইজ করার জন্য জোক্রালস্কি পদ্ধতির মাধ্যমে Fe, Mg ডোপিং (ঘনত্বের পরিসীমা 10¹⁶–10¹⁹ cm⁻³)।

২.উন্নত প্রক্রিয়া প্রযুক্তি

· পিরিওডিক পোলিং (PPLT): LTOI ওয়েফারের জন্য স্মার্ট-কাট প্রযুক্তি, ±10 nm ডোমেন পিরিয়ড নির্ভুলতা এবং কোয়াসি-ফেজ-ম্যাচড (QPM) ফ্রিকোয়েন্সি রূপান্তর অর্জন করে।

· ভিন্নধর্মী ইন্টিগ্রেশন: উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি SAW ফিল্টারের জন্য পুরুত্ব নিয়ন্ত্রণ (300-600 nm) এবং 8.78 W/m·K পর্যন্ত তাপ পরিবাহিতা সহ Si-ভিত্তিক LiTaO3 কম্পোজিট ওয়েফার (POI)।

৩. মান ব্যবস্থাপনা ব্যবস্থা

· এন্ড-টু-এন্ড টেস্টিং: রমন স্পেকট্রোস্কোপি (পলিটাইপ যাচাইকরণ), এক্সআরডি (স্ফটিকতা), এএফএম (পৃষ্ঠের রূপবিদ্যা), এবং অপটিক্যাল ইউনিফর্মটি টেস্টিং (Δn <5×10⁻⁵)।

৪. গ্লোবাল সাপ্লাই চেইন সাপোর্ট

· উৎপাদন ক্ষমতা: মাসিক উৎপাদন ৫,০০০ ওয়েফারের বেশি (৮-ইঞ্চি: ৭০%), ৪৮ ঘন্টার জরুরি ডেলিভারি সহ।

· লজিস্টিক নেটওয়ার্ক: তাপমাত্রা-নিয়ন্ত্রিত প্যাকেজিং সহ বিমান/সমুদ্র মালবাহী মাধ্যমে ইউরোপ, উত্তর আমেরিকা এবং এশিয়া-প্যাসিফিক অঞ্চলে কভারেজ।