5G/6G যোগাযোগ ব্যবস্থার জন্য Mg-ডোপেড LiNbO₃ইঙ্গটস 45°Z-কাট 64°Y-কাট ওরিয়েন্টেশন
প্রযুক্তিগত পরামিতি
স্ফটিক গঠন | ষড়ভুজাকার |
জালি ধ্রুবক | a = 5.154 Å c = 13.783 Å |
Mp | ১৬৫০ ডিগ্রি সেলসিয়াস |
ঘনত্ব | ৭.৪৫ গ্রাম / সেমি৩ |
কিউরি তাপমাত্রা | ৬১০ ডিগ্রি সেলসিয়াস |
কঠোরতা | ৫.৫ - ৬ মোহস |
তাপীয় সম্প্রসারণ সহগ | aa = 1.61 x 10 -6 / k ac = 4.1 x 10 -6 / k |
প্রতিরোধ ক্ষমতা | ১০১৫ ওয়াট |
অনুমতি | es11 / e0: 39 ~ 43 es33 / e0: 42 ~ 43 et11 / e0: 51 ~ 54 et11 / e0: 43 ~ 46 |
রঙ | বর্ণহীন |
বিভিন্ন পরিসরের মাধ্যমে | ০.৪ ~ ৫.০ উম |
প্রতিসরণ সূচক | no = 2.176 ne = 2.180 @ 633 nm |
মূল প্রযুক্তিগত বৈশিষ্ট্য
LiNbO3 ইনগট উন্নত বৈশিষ্ট্যের একটি স্যুট প্রদর্শন করে:
১. ইলেক্ট্রো-অপটিক পারফরম্যান্স:
উচ্চ অরৈখিক সহগ: d₃₃= 34.4 pm/V, যা টিউনেবল ইনফ্রারেড উৎসের জন্য দক্ষ দ্বিতীয় হারমোনিক জেনারেশন (SHG) এবং অপটিক্যাল প্যারামেট্রিক অসিলেশন (OPO) সক্ষম করে।
ব্রডব্যান্ড ট্রান্সমিশন: দৃশ্যমান বর্ণালীতে ন্যূনতম শোষণ (১৫৫০ এনএম এ α < ০.১ ডিবি/সেমি), সি-ব্যান্ড অপটিক্যাল এমপ্লিফায়ার এবং কোয়ান্টাম ফ্রিকোয়েন্সি রূপান্তরের জন্য গুরুত্বপূর্ণ।
2. যান্ত্রিক এবং তাপীয় দৃঢ়তা:
নিম্ন তাপীয় প্রসারণ: CTE = 14.4×10⁻⁶/K (a-অক্ষ), হাইব্রিড ফোটোনিক সার্কিটে সিলিকন সাবস্ট্রেটের সাথে সামঞ্জস্য নিশ্চিত করে।
উচ্চ পাইজোইলেকট্রিক রেসপন্স: g₃₃> 20 mV/m, 5G mmWave সিস্টেমে সারফেস অ্যাকোস্টিক ওয়েভ (SAW) ফিল্টারের জন্য আদর্শ।
৩. ত্রুটি নিয়ন্ত্রণ:
মাইক্রোপাইপের ঘনত্ব: <0.1 cm⁻²(8-ইঞ্চি ইনগট), সিঙ্ক্রোট্রন এক্স-রে ডিফ্র্যাকশনের মাধ্যমে যাচাই করা হয়েছে।
বিকিরণ প্রতিরোধ: ১০০ কেভি/সেমি বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের নিচে ন্যূনতম জালি বিকৃতি, মহাকাশ-গ্রেড পরীক্ষায় যাচাই করা হয়েছে।
কৌশলগত অ্যাপ্লিকেশন
LiNbO3 Ingotঅত্যাধুনিক ক্ষেত্রগুলিতে উদ্ভাবন চালায়:
১. কোয়ান্টাম ফোটোনিক্স:
একক-ফোটন উৎস: নন-লিনিয়ার ডাউন-কনভার্সন ব্যবহার করে, LiNbO3 কোয়ান্টাম কী ডিস্ট্রিবিউশন (QKD) সিস্টেমের জন্য এনট্যাঙ্গেলড ফোটন পেয়ার জেনারেশন সক্ষম করে।
কোয়ান্টাম মেমোরি: Er³⁺-ডোপেড ফাইবারের সাথে ইন্টিগ্রেশন ১৫৩০ এনএম-এ ৩০% স্টোরেজ দক্ষতা অর্জন করে, যা দীর্ঘ-দূরত্বের কোয়ান্টাম নেটওয়ার্কের জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।
২. অপটোইলেকট্রনিক সিস্টেম:
হাই-স্পিড মডুলেটর: এক্স-কাট LiNbO3 <1 dB ইনসার্শন লস সহ 40 GHz ব্যান্ডউইথ অর্জন করে, 400G অপটিক্যাল ট্রান্সসিভারগুলিতে LiTaO3 কে ছাড়িয়ে যায়।
লেজার ফ্রিকোয়েন্সি দ্বিগুণকরণ: Mg-ডোপেড LiNbO3 (6% থ্রেশহোল্ড) আলোকরক্ষামূলক ক্ষতি হ্রাস করে, LiDAR সিস্টেমে স্থিতিশীল 1064 nm → 532 nm রূপান্তর সক্ষম করে।
৩. শিল্প সংবেদন:
উচ্চ-তাপমাত্রা চাপ সেন্সর: তেল/গ্যাস পাইপলাইন পর্যবেক্ষণের জন্য পাইজোইলেকট্রিক অনুরণন ব্যবহার করে, 600°C তাপমাত্রায় একটানা কাজ করে।
বর্তমান ট্রান্সফরমার: Fe/Mg কো-ডোপিং স্মার্ট গ্রিড অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে সংবেদনশীলতা (0.1% FS) বৃদ্ধি করে।
XKH পরিষেবা ও সমাধান
আমাদের LiNbO3 ইনগট পরিষেবাগুলি স্কেলেবিলিটি এবং নির্ভুলতার জন্য তৈরি করা হয়েছে:
1. কাস্টম ফ্যাব্রিকেশন:
আকারের বিকল্প: X/Y/Z-কাট এবং 42°Y-কাট জ্যামিতি সহ 3-8-ইঞ্চি ইনগট, ±0.01° কৌণিক সহনশীলতা।
ডোপিং নিয়ন্ত্রণ: আলোক-প্রতিসরণ প্রতিরোধ ক্ষমতা অপ্টিমাইজ করার জন্য জোক্রালস্কি পদ্ধতির মাধ্যমে Fe/Mg সহ-ডোপিং (ঘনত্বের পরিসর 10¹⁶–10¹⁹ cm⁻³)।
2. উন্নত প্রক্রিয়াকরণ:
ভিন্নধর্মী ইন্টিগ্রেশন: উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি SAW ফিল্টারের জন্য 8.78 W/m·K পর্যন্ত তাপ পরিবাহিতা সহ Si-LN কম্পোজিট ওয়েফার (300–600 nm পুরুত্ব)।
ওয়েভগাইড তৈরি: প্রোটন এক্সচেঞ্জ (PE) এবং রিভার্স প্রোটন এক্সচেঞ্জ (RPE) কৌশলগুলি 40 GHz ইলেক্ট্রো-অপটিক মডুলেটরের জন্য সাবমাইক্রন ওয়েভগাইড (Δn >0.7) উৎপন্ন করে।
৩. গুণমান নিশ্চিতকরণ:
এন্ড-টু-এন্ড পরীক্ষা: রমন স্পেকট্রোস্কোপি (পলিটাইপ যাচাইকরণ), এক্সআরডি (স্ফটিকতা), এবং এএফএম (পৃষ্ঠের রূপবিদ্যা) MIL-PRF-4520J এবং JEDEC-033 এর সাথে সম্মতি নিশ্চিত করে।
বিশ্বব্যাপী সরবরাহ: এশিয়া-প্রশান্ত মহাসাগরীয় অঞ্চল, ইউরোপ এবং উত্তর আমেরিকা জুড়ে তাপমাত্রা-নিয়ন্ত্রিত শিপিং (±0.5°C) এবং 48 ঘন্টার জরুরি ডেলিভারি।
প্রতিযোগিতামূলক সুবিধা
১. খরচ দক্ষতা: ৮-ইঞ্চি ইঙ্গট ৪-ইঞ্চি বিকল্পের তুলনায় ৩০% উপাদানের অপচয় কমায়, প্রতি ইউনিট খরচ ১৮% কমায়।
2. কর্মক্ষমতা মেট্রিক্স:
SAW ফিল্টার ব্যান্ডউইথ: >1.28 GHz (LiTaO3 এর জন্য 0.8 GHz), 5G mmWave ব্যান্ডের জন্য গুরুত্বপূর্ণ।
তাপীয় সাইক্লিং: <0.05% ওয়ারপেজ সহ -200–500°C চক্রে টিকে থাকে, যা অটোমোটিভ LiDAR পরীক্ষায় যাচাই করা হয়েছে।
১. স্থায়িত্ব: পুনর্ব্যবহারযোগ্য প্রক্রিয়াজাতকরণ পদ্ধতিগুলি পানির ব্যবহার ৪০% এবং শক্তির ব্যবহার ২৫% হ্রাস করে।
উপসংহার
LiNbO3 Ingot পরবর্তী প্রজন্মের অপটোইলেকট্রনিক্সের জন্য পছন্দের উপাদান হিসেবে রয়ে গেছে, যা অতুলনীয় ইলেকট্রো-অপটিক পারফরম্যান্সের সাথে শিল্প-গ্রেড নির্ভরযোগ্যতার সমন্বয় করে। কোয়ান্টাম কম্পিউটিং থেকে 6G যোগাযোগ পর্যন্ত, এর বহুমুখীতা এবং স্কেলেবিলিটি এটিকে ভবিষ্যতের প্রযুক্তির একটি গুরুত্বপূর্ণ সক্ষমকারী হিসেবে স্থান দেয়। আপনার অ্যাপ্লিকেশনের চাহিদা অনুসারে অত্যাধুনিক ডোপিং, ত্রুটি প্রশমন এবং ভিন্নধর্মী ইন্টিগ্রেশন সমাধানগুলি ব্যবহার করতে আমাদের সাথে অংশীদার হন।


