সিলিকন কার্বাইড (SiC), এক ধরণের প্রশস্ত ব্যান্ড গ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর উপাদান হিসাবে, আধুনিক বিজ্ঞান ও প্রযুক্তির প্রয়োগে ক্রমবর্ধমান গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে।সিলিকন কার্বাইডের চমৎকার তাপীয় স্থিতিশীলতা, উচ্চ বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের সহনশীলতা, ইচ্ছাকৃত পরিবাহিতা এবং অন্যান্য চমৎকার শারীরিক ও অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য রয়েছে এবং এটি অপটোইলেক্ট্রনিক ডিভাইস এবং সৌর ডিভাইসে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।আরও দক্ষ এবং স্থিতিশীল ইলেকট্রনিক ডিভাইসের ক্রমবর্ধমান চাহিদার কারণে, সিলিকন কার্বাইডের বৃদ্ধি প্রযুক্তি আয়ত্ত করা একটি হট স্পট হয়ে উঠেছে।
তাই আপনি SiC বৃদ্ধি প্রক্রিয়া সম্পর্কে কতটা জানেন?
আজ আমরা সিলিকন কার্বাইড একক স্ফটিক বৃদ্ধির জন্য তিনটি প্রধান কৌশল নিয়ে আলোচনা করব: শারীরিক বাষ্প পরিবহন (PVT), তরল ফেজ এপিটাক্সি (LPE), এবং উচ্চ তাপমাত্রার রাসায়নিক বাষ্প জমা (HT-CVD)।
শারীরিক বাষ্প স্থানান্তর পদ্ধতি (PVT)
দৈহিক বাষ্প স্থানান্তর পদ্ধতি হল সর্বাধিক ব্যবহৃত সিলিকন কার্বাইড বৃদ্ধির প্রক্রিয়াগুলির মধ্যে একটি।একক ক্রিস্টাল সিলিকন কার্বাইডের বৃদ্ধি প্রধানত sic পাউডারের পরমানন্দের উপর নির্ভরশীল এবং উচ্চ তাপমাত্রার অবস্থার অধীনে বীজ স্ফটিকের উপর পুনঃস্থাপন।একটি বন্ধ গ্রাফাইট ক্রুসিবলে, সিলিকন কার্বাইড পাউডার উচ্চ তাপমাত্রায় উত্তপ্ত হয়, তাপমাত্রা গ্রেডিয়েন্ট নিয়ন্ত্রণের মাধ্যমে, সিলিকন কার্বাইড বাষ্প বীজ স্ফটিকের পৃষ্ঠে ঘনীভূত হয় এবং ধীরে ধীরে একটি বড় আকারের একক স্ফটিক বৃদ্ধি পায়।
আমরা বর্তমানে যে মনোক্রিস্টালাইন SiC প্রদান করি তার বেশিরভাগই এই বৃদ্ধির উপায়ে তৈরি।এটি শিল্পের মূলধারার পথও।
লিকুইড ফেজ এপিটাক্সি (এলপিই)
সিলিকন কার্বাইড স্ফটিক কঠিন-তরল ইন্টারফেসে একটি স্ফটিক বৃদ্ধি প্রক্রিয়ার মাধ্যমে তরল ফেজ এপিটাক্সি দ্বারা প্রস্তুত করা হয়।এই পদ্ধতিতে, সিলিকন কার্বাইড পাউডারকে উচ্চ তাপমাত্রায় একটি সিলিকন-কার্বন দ্রবণে দ্রবীভূত করা হয় এবং তারপরে তাপমাত্রা কমিয়ে দেওয়া হয় যাতে সিলিকন কার্বাইড দ্রবণ থেকে ক্ষয়প্রাপ্ত হয় এবং বীজের স্ফটিকগুলিতে বৃদ্ধি পায়।এলপিই পদ্ধতির প্রধান সুবিধা হল কম বৃদ্ধির তাপমাত্রায় উচ্চ-মানের স্ফটিক পাওয়ার ক্ষমতা, খরচ তুলনামূলকভাবে কম এবং এটি বড় আকারের উৎপাদনের জন্য উপযুক্ত।
উচ্চ তাপমাত্রার রাসায়নিক বাষ্প জমা (HT-CVD)
উচ্চ তাপমাত্রায় প্রতিক্রিয়া চেম্বারে সিলিকন এবং কার্বন ধারণকারী গ্যাস প্রবর্তন করে, সিলিকন কার্বাইডের একক স্ফটিক স্তর রাসায়নিক বিক্রিয়ার মাধ্যমে সরাসরি বীজ স্ফটিকের পৃষ্ঠে জমা হয়।এই পদ্ধতির সুবিধা হল যে গ্যাসের প্রবাহের হার এবং প্রতিক্রিয়ার অবস্থা সঠিকভাবে নিয়ন্ত্রণ করা যেতে পারে, যাতে উচ্চ বিশুদ্ধতা এবং কিছু ত্রুটি সহ একটি সিলিকন কার্বাইড ক্রিস্টাল পাওয়া যায়।এইচটি-সিভিডি প্রক্রিয়াটি চমৎকার বৈশিষ্ট্য সহ সিলিকন কার্বাইড স্ফটিক তৈরি করতে পারে, যা বিশেষত এমন অ্যাপ্লিকেশনের জন্য মূল্যবান যেখানে অত্যন্ত উচ্চ মানের উপকরণ প্রয়োজন।
সিলিকন কার্বাইডের বৃদ্ধি প্রক্রিয়া হল এর প্রয়োগ এবং বিকাশের ভিত্তি।ক্রমাগত প্রযুক্তিগত উদ্ভাবন এবং অপ্টিমাইজেশনের মাধ্যমে, এই তিনটি বৃদ্ধির পদ্ধতি বিভিন্ন অনুষ্ঠানের চাহিদা মেটাতে তাদের নিজ নিজ ভূমিকা পালন করে, সিলিকন কার্বাইডের গুরুত্বপূর্ণ অবস্থান নিশ্চিত করে।গবেষণা এবং প্রযুক্তিগত অগ্রগতির গভীরতার সাথে, সিলিকন কার্বাইড উপকরণগুলির বৃদ্ধির প্রক্রিয়াটি অপ্টিমাইজ করা অব্যাহত থাকবে এবং ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলির কর্মক্ষমতা আরও উন্নত হবে।
(সেন্সরিং)
পোস্টের সময়: জুন-২৩-২০২৪