AI বিপ্লবের পটভূমিতে, AR চশমা ধীরে ধীরে জনসচেতনতায় প্রবেশ করছে। ভার্চুয়াল এবং বাস্তব জগতকে নির্বিঘ্নে মিশ্রিত করার একটি আদর্শ হিসেবে, AR চশমা VR ডিভাইস থেকে আলাদা, ব্যবহারকারীদের একই সাথে ডিজিটালভাবে প্রক্ষেপিত ছবি এবং পরিবেশগত আলো উভয়ই উপলব্ধি করার সুযোগ করে দেয়। এই দ্বৈত কার্যকারিতা অর্জনের জন্য - বাহ্যিক আলো সংক্রমণ সংরক্ষণের সময় চোখের মধ্যে মাইক্রোডিসপ্লে ছবি প্রক্ষেপণ করা - অপটিক্যাল-গ্রেড সিলিকন কার্বাইড (SiC)-ভিত্তিক AR চশমা একটি ওয়েভগাইড (লাইটগাইড) আর্কিটেকচার ব্যবহার করে। এই নকশাটি চিত্র প্রেরণের জন্য সম্পূর্ণ অভ্যন্তরীণ প্রতিফলন ব্যবহার করে, যা অপটিক্যাল ফাইবার ট্রান্সমিশনের অনুরূপ, যেমনটি স্কিম্যাটিক ডায়াগ্রামে দেখানো হয়েছে।
সাধারণত, একটি ৬-ইঞ্চি উচ্চ-বিশুদ্ধতা আধা-অন্তরক সাবস্ট্রেট থেকে ২ জোড়া চশমা তৈরি করা যায়, যেখানে ৮-ইঞ্চি সাবস্ট্রেট থেকে ৩-৪ জোড়া চশমা তৈরি করা যায়। SiC উপকরণ গ্রহণের ফলে তিনটি গুরুত্বপূর্ণ সুবিধা পাওয়া যায়:
- ব্যতিক্রমী প্রতিসরাঙ্ক (২.৭): একটি একক লেন্স স্তর সহ ৮০° পূর্ণ-রঙের দৃশ্য ক্ষেত্র (FOV) সক্ষম করে, প্রচলিত AR ডিজাইনে প্রচলিত রংধনু শিল্পকর্মগুলিকে বাদ দেয়।
- ইন্টিগ্রেটেড ট্রাই-কালার (RGB) ওয়েভগাইড: মাল্টি-লেয়ার ওয়েভগাইড স্ট্যাক প্রতিস্থাপন করে, ডিভাইসের আকার এবং ওজন হ্রাস করে।
- উচ্চতর তাপ পরিবাহিতা (৪৯০ ওয়াট/মি·কে): তাপ সঞ্চয়-প্ররোচিত আলোকীয় অবক্ষয় হ্রাস করে।
এই গুণাবলীর কারণে SiC-ভিত্তিক AR চশমার বাজারে জোরালো চাহিদা তৈরি হয়েছে। ব্যবহৃত অপটিক্যাল-গ্রেড SiC-তে সাধারণত উচ্চ-বিশুদ্ধতা সেমি-ইনসুলেটিং (HPSI) স্ফটিক থাকে, যার কঠোর প্রস্তুতির প্রয়োজনীয়তা বর্তমান উচ্চ ব্যয়ের জন্য অবদান রাখে। ফলস্বরূপ, HPSI SiC সাবস্ট্রেটের উন্নয়ন অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।
১. আধা-অন্তরক SiC পাউডারের সংশ্লেষণ
শিল্প-স্কেল উৎপাদন প্রধানত উচ্চ-তাপমাত্রা স্ব-প্রচার সংশ্লেষণ (SHS) ব্যবহার করে, একটি প্রক্রিয়া যার জন্য সূক্ষ্ম নিয়ন্ত্রণ প্রয়োজন:
- কাঁচামাল: ৯৯.৯৯৯% বিশুদ্ধ কার্বন/সিলিকন পাউডার যার কণার আকার ১০-১০০ মাইক্রোমিটার।
- ক্রুসিবল বিশুদ্ধতা: ধাতব অপবিত্রতার বিস্তার কমাতে গ্রাফাইট উপাদানগুলি উচ্চ-তাপমাত্রায় পরিশোধিত হয়।
- বায়ুমণ্ডল নিয়ন্ত্রণ: 6N-বিশুদ্ধতা আর্গন (ইন-লাইন পিউরিফায়ার সহ) নাইট্রোজেন সংযোজনকে দমন করে; বোরন যৌগগুলিকে উদ্বায়ী করতে এবং নাইট্রোজেন হ্রাস করতে ট্রেস HCl/H₂ গ্যাস প্রবর্তন করা যেতে পারে, যদিও গ্রাফাইট ক্ষয় রোধ করতে H₂ ঘনত্বের অপ্টিমাইজেশন প্রয়োজন।
- সরঞ্জামের মান: সংশ্লেষণ চুল্লিগুলিকে কঠোর লিক-চেকিং প্রোটোকল সহ <10⁻⁴ Pa বেস ভ্যাকুয়াম অর্জন করতে হবে।
2. স্ফটিক বৃদ্ধির চ্যালেঞ্জ
HPSI SiC বৃদ্ধির ক্ষেত্রেও একই রকম বিশুদ্ধতার প্রয়োজনীয়তা রয়েছে:
- ফিডস্টক: 6N+-বিশুদ্ধতা SiC পাউডার যার B/Al/N <10¹⁶ cm⁻³, Fe/Ti/O থ্রেশহোল্ড সীমার নিচে এবং ন্যূনতম ক্ষারীয় ধাতু (Na/K)।
- গ্যাস সিস্টেম: 6N আর্গন/হাইড্রোজেন মিশ্রণ প্রতিরোধ ক্ষমতা বাড়ায়।
- সরঞ্জাম: আণবিক পাম্পগুলি অতি উচ্চ ভ্যাকুয়াম (<10⁻⁶ Pa) নিশ্চিত করে; ক্রুসিবল প্রাক-চিকিৎসা এবং নাইট্রোজেন পরিশোধন অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।
সাবস্ট্রেট প্রক্রিয়াকরণ উদ্ভাবন
সিলিকনের তুলনায়, SiC-এর দীর্ঘায়িত বৃদ্ধি চক্র এবং সহজাত চাপ (যার ফলে ফাটল/প্রান্ত চিপিং হয়) উন্নত প্রক্রিয়াকরণের প্রয়োজন হয়:
- লেজার স্লাইসিং: প্রতি ২০-মিমি বুলে ৩০টি ওয়েফার (৩৫০ মাইক্রোমিটার, তারের করাত) থেকে ৫০টি ওয়েফার পর্যন্ত উৎপাদন বৃদ্ধি করে, যার ফলে ২০০-মাইক্রোমিটার পাতলা হওয়ার সম্ভাবনা থাকে। ৮-ইঞ্চি স্ফটিকের জন্য প্রক্রিয়াকরণ সময় ১০-১৫ দিন (তারের করাত) থেকে <২০ মিনিট/ওয়েফারে নেমে আসে।
৩. শিল্প সহযোগিতা
মেটার ওরিয়ন টিম অপটিক্যাল-গ্রেড SiC ওয়েভগাইড গ্রহণের পথপ্রদর্শক, গবেষণা ও উন্নয়ন বিনিয়োগকে উৎসাহিত করেছে। মূল অংশীদারিত্বের মধ্যে রয়েছে:
- ট্যাঙ্কব্লু এবং মুডি মাইক্রো: এআর ডিফ্র্যাক্টিভ ওয়েভগাইড লেন্সের যৌথ উন্নয়ন।
- জিংশেং মেক, লংকি টেক, এক্সআরইএল, এবং কুনইউ অপটোইলেক্ট্রনিক্স: এআই/এআর সাপ্লাই চেইন ইন্টিগ্রেশনের জন্য কৌশলগত জোট।
বাজারের পূর্বাভাস অনুসারে, ২০২৭ সালের মধ্যে বার্ষিক ৫০০,০০০ SiC-ভিত্তিক AR ইউনিট তৈরি হবে, যা ২৫০,০০০ ৬-ইঞ্চি (অথবা ১২৫,০০০ ৮-ইঞ্চি) সাবস্ট্রেট ব্যবহার করবে। এই গতিপথ পরবর্তী প্রজন্মের AR অপটিক্সে SiC-এর রূপান্তরমূলক ভূমিকার উপর জোর দেয়।
XKH উচ্চমানের 4H-সেমি-ইনসুলেটিং (4H-SEMI) SiC সাবস্ট্রেট সরবরাহে বিশেষজ্ঞ, যার ব্যাস 2-ইঞ্চি থেকে 8-ইঞ্চি পর্যন্ত, যা RF, পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স এবং AR/VR অপটিক্সের নির্দিষ্ট অ্যাপ্লিকেশন প্রয়োজনীয়তা পূরণের জন্য তৈরি। আমাদের শক্তির মধ্যে রয়েছে নির্ভরযোগ্য ভলিউম সরবরাহ, নির্ভুল কাস্টমাইজেশন (বেধ, ওরিয়েন্টেশন, পৃষ্ঠের সমাপ্তি), এবং স্ফটিক বৃদ্ধি থেকে পলিশিং পর্যন্ত সম্পূর্ণ অভ্যন্তরীণ প্রক্রিয়াকরণ। 4H-SEMI এর বাইরে, আমরা 4H-N-টাইপ, 4H/6H-P-টাইপ এবং 3C-SiC সাবস্ট্রেটও অফার করি, যা বিভিন্ন সেমিকন্ডাক্টর এবং অপটোইলেকট্রনিক উদ্ভাবনকে সমর্থন করে।
পোস্টের সময়: আগস্ট-০৮-২০২৫