খবর
-
পালিশ করা একক স্ফটিক সিলিকন ওয়েফারের স্পেসিফিকেশন এবং পরামিতি
সেমিকন্ডাক্টর শিল্পের ক্রমবর্ধমান উন্নয়ন প্রক্রিয়ায়, পালিশ করা একক স্ফটিক সিলিকন ওয়েফারগুলি একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে। বিভিন্ন মাইক্রোইলেকট্রনিক ডিভাইস তৈরির জন্য এগুলি মৌলিক উপাদান হিসেবে কাজ করে। জটিল এবং সুনির্দিষ্ট ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট থেকে শুরু করে উচ্চ-গতির মাইক্রোপ্রসেসর এবং...আরও পড়ুন -
সিলিকন কার্বাইড (SiC) কীভাবে AR গ্লাসে প্রবেশ করছে?
অগমেন্টেড রিয়েলিটি (এআর) প্রযুক্তির দ্রুত বিকাশের সাথে সাথে, এআর প্রযুক্তির একটি গুরুত্বপূর্ণ বাহক হিসেবে স্মার্ট চশমা ধীরে ধীরে ধারণা থেকে বাস্তবে রূপান্তরিত হচ্ছে। তবে, স্মার্ট চশমার ব্যাপক গ্রহণ এখনও অনেক প্রযুক্তিগত চ্যালেঞ্জের মুখোমুখি, বিশেষ করে প্রদর্শনের ক্ষেত্রে ...আরও পড়ুন -
XINKEHUI রঙিন নীলকান্তমণির সাংস্কৃতিক প্রভাব এবং প্রতীকবাদ
XINKEHUI-এর রঙিন নীলকান্তমণির সাংস্কৃতিক প্রভাব এবং প্রতীকীকরণ সিন্থেটিক রত্নপাথর প্রযুক্তির অগ্রগতির ফলে নীলকান্তমণি, রুবি এবং অন্যান্য স্ফটিকগুলিকে বিভিন্ন রঙে পুনর্নির্মাণ করা সম্ভব হয়েছে। এই রঙগুলি কেবল প্রাকৃতিক রত্নপাথরের চাক্ষুষ আকর্ষণই সংরক্ষণ করে না বরং সাংস্কৃতিক অর্থও বহন করে...আরও পড়ুন -
নীলকান্তমণি ঘড়ির কেস বিশ্বের নতুন ট্রেন্ড—XINKEHUI আপনাকে একাধিক বিকল্প প্রদান করে
নীলকান্তমণি ঘড়ির কেসগুলি তাদের ব্যতিক্রমী স্থায়িত্ব, স্ক্র্যাচ প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং স্পষ্ট নান্দনিক আবেদনের কারণে বিলাসবহুল ঘড়ি শিল্পে ক্রমবর্ধমান জনপ্রিয়তা অর্জন করেছে। তাদের শক্তি এবং প্রতিদিনের ক্ষয়ক্ষতি সহ্য করার ক্ষমতার জন্য পরিচিত, একই সাথে একটি আদিম চেহারা বজায় রেখে, ...আরও পড়ুন -
LiTaO3 ওয়েফার PIC — অন-চিপ নন-লিনিয়ার ফোটোনিক্সের জন্য কম-ক্ষতি লিথিয়াম ট্যানটালেট-অন-ইনসুলেটর ওয়েভগাইড
সারাংশ: আমরা 0.28 dB/cm ক্ষতি এবং 1.1 মিলিয়ন রিং রেজোনেটর মানের ফ্যাক্টর সহ 1550 nm ইনসুলেটর-ভিত্তিক লিথিয়াম ট্যানটালেট ওয়েভগাইড তৈরি করেছি। অরৈখিক ফোটোনিক্সে χ(3) অরৈখিকতার প্রয়োগ অধ্যয়ন করা হয়েছে। লিথিয়াম নিওবেটের সুবিধা...আরও পড়ুন -
XKH-জ্ঞান ভাগাভাগি-ওয়েফার ডাইসিং প্রযুক্তি কী?
সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদন প্রক্রিয়ার একটি গুরুত্বপূর্ণ ধাপ হিসেবে ওয়েফার ডাইসিং প্রযুক্তি সরাসরি চিপ কর্মক্ষমতা, ফলন এবং উৎপাদন খরচের সাথে সম্পর্কিত। #01 ওয়েফার ডাইসিংয়ের পটভূমি এবং তাৎপর্য 1.1 ওয়েফার ডাইসিংয়ের সংজ্ঞা ওয়েফার ডাইসিং (যা স্ক্রাই... নামেও পরিচিত)আরও পড়ুন -
থিন-ফিল্ম লিথিয়াম ট্যানটালেট (LTOI): হাই-স্পিড মডুলেটরের জন্য পরবর্তী তারকা উপাদান?
থিন-ফিল্ম লিথিয়াম ট্যানটালেট (LTOI) উপাদান সমন্বিত অপটিক্স ক্ষেত্রে একটি উল্লেখযোগ্য নতুন শক্তি হিসেবে আবির্ভূত হচ্ছে। এই বছর, LTOI মডুলেটরগুলির উপর বেশ কয়েকটি উচ্চ-স্তরের কাজ প্রকাশিত হয়েছে, যেখানে সাংহাই ইনস্টিটিউটের অধ্যাপক জিন ওউ দ্বারা সরবরাহ করা উচ্চ-মানের LTOI ওয়েফার রয়েছে...আরও পড়ুন -
ওয়েফার উৎপাদনে SPC সিস্টেমের গভীর ধারণা
SPC (পরিসংখ্যানগত প্রক্রিয়া নিয়ন্ত্রণ) হল ওয়েফার উৎপাদন প্রক্রিয়ার একটি গুরুত্বপূর্ণ হাতিয়ার, যা উৎপাদনের বিভিন্ন পর্যায়ের স্থায়িত্ব পর্যবেক্ষণ, নিয়ন্ত্রণ এবং উন্নত করতে ব্যবহৃত হয়। 1. SPC সিস্টেমের সংক্ষিপ্ত বিবরণ SPC হল এমন একটি পদ্ধতি যা sta... ব্যবহার করে।আরও পড়ুন -
কেন ওয়েফার সাবস্ট্রেটে এপিট্যাক্সি করা হয়?
সিলিকন ওয়েফার সাবস্ট্রেটে সিলিকন পরমাণুর অতিরিক্ত স্তর বৃদ্ধির বেশ কিছু সুবিধা রয়েছে: CMOS সিলিকন প্রক্রিয়ায়, ওয়েফার সাবস্ট্রেটে এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধি (EPI) একটি গুরুত্বপূর্ণ প্রক্রিয়া পদক্ষেপ। 1, স্ফটিকের গুণমান উন্নত করা...আরও পড়ুন -
ওয়েফার পরিষ্কারের নীতি, প্রক্রিয়া, পদ্ধতি এবং সরঞ্জাম
সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদন প্রক্রিয়ার মধ্যে ভেজা পরিষ্কার (ওয়েট ক্লিন) হল একটি গুরুত্বপূর্ণ পদক্ষেপ, যার লক্ষ্য হল ওয়েফারের পৃষ্ঠ থেকে বিভিন্ন দূষক অপসারণ করা যাতে পরবর্তী প্রক্রিয়া পদক্ষেপগুলি একটি পরিষ্কার পৃষ্ঠে সম্পাদন করা যায়। ...আরও পড়ুন -
স্ফটিক সমতল এবং স্ফটিক অভিযোজনের মধ্যে সম্পর্ক।
স্ফটিক সমতল এবং স্ফটিক অভিযোজন হল স্ফটিকবিদ্যার দুটি মূল ধারণা, যা সিলিকন-ভিত্তিক ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট প্রযুক্তিতে স্ফটিক কাঠামোর সাথে ঘনিষ্ঠভাবে সম্পর্কিত। 1. স্ফটিক অভিযোজনের সংজ্ঞা এবং বৈশিষ্ট্য স্ফটিক অভিযোজন একটি নির্দিষ্ট দিকনির্দেশনাকে প্রতিনিধিত্ব করে...আরও পড়ুন -
TGV এর তুলনায় Through Glass Via(TGV) এবং Through Silicon Via, TSV (TSV) প্রক্রিয়ার সুবিধা কী কী?
TGV-এর তুলনায় থ্রু গ্লাস ভায়া (TGV) এবং থ্রু সিলিকন ভায়া (TSV) প্রক্রিয়াগুলির সুবিধাগুলি প্রধানত: (1) চমৎকার উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য। কাচের উপাদান একটি অন্তরক উপাদান, ডাইইলেক্ট্রিক ধ্রুবক সিলিকন উপাদানের মাত্র 1/3 অংশ, এবং ক্ষতির কারণ হল 2-...আরও পড়ুন