সিলিকন ওয়েফার সাবস্ট্রেটে সিলিকন পরমাণুর একটি অতিরিক্ত স্তর বৃদ্ধি করার বেশ কয়েকটি সুবিধা রয়েছে:
সিএমওএস সিলিকন প্রক্রিয়ায়, ওয়েফার সাবস্ট্রেটে এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধি (ইপিআই) একটি গুরুত্বপূর্ণ প্রক্রিয়া পদক্ষেপ।
১, স্ফটিকের মান উন্নত করা
প্রাথমিক স্তরের ত্রুটি এবং অমেধ্য: উৎপাদন প্রক্রিয়ার সময়, ওয়েফার স্তরে কিছু ত্রুটি এবং অমেধ্য থাকতে পারে। এপিট্যাক্সিয়াল স্তরের বৃদ্ধির ফলে স্তরে ত্রুটি এবং অমেধ্যের কম ঘনত্ব সহ একটি উচ্চ-মানের মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন স্তর তৈরি হতে পারে, যা পরবর্তী ডিভাইস তৈরির জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।
অভিন্ন স্ফটিক কাঠামো: এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধি আরও অভিন্ন স্ফটিক কাঠামো নিশ্চিত করে, শস্যের সীমানার প্রভাব এবং সাবস্ট্রেট উপাদানের ত্রুটি হ্রাস করে, যার ফলে ওয়েফারের সামগ্রিক স্ফটিক গুণমান উন্নত হয়।
2, বৈদ্যুতিক কর্মক্ষমতা উন্নত করুন।
ডিভাইসের বৈশিষ্ট্যগুলি অপ্টিমাইজ করা: সাবস্ট্রেটে একটি এপিট্যাক্সিয়াল স্তর বৃদ্ধি করে, ডোপিং ঘনত্ব এবং সিলিকনের ধরণ সঠিকভাবে নিয়ন্ত্রণ করা যেতে পারে, যা ডিভাইসের বৈদ্যুতিক কর্মক্ষমতা অপ্টিমাইজ করে। উদাহরণস্বরূপ, MOSFET এবং অন্যান্য বৈদ্যুতিক পরামিতিগুলির থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ নিয়ন্ত্রণ করার জন্য এপিট্যাক্সিয়াল স্তরের ডোপিং সূক্ষ্মভাবে সামঞ্জস্য করা যেতে পারে।
লিকেজ কারেন্ট কমানো: একটি উচ্চ-মানের এপিট্যাক্সিয়াল স্তরের ত্রুটির ঘনত্ব কম থাকে, যা ডিভাইসগুলিতে লিকেজ কারেন্ট কমাতে সাহায্য করে, যার ফলে ডিভাইসের কর্মক্ষমতা এবং নির্ভরযোগ্যতা উন্নত হয়।
3, বৈদ্যুতিক কর্মক্ষমতা উন্নত করুন।
ফিচার সাইজ হ্রাস: ছোট প্রসেস নোডগুলিতে (যেমন 7nm, 5nm), ডিভাইসগুলির ফিচার সাইজ ক্রমাগত সঙ্কুচিত হতে থাকে, যার জন্য আরও পরিমার্জিত এবং উচ্চ-মানের উপকরণের প্রয়োজন হয়। এপিট্যাক্সিয়াল গ্রোথ প্রযুক্তি এই চাহিদাগুলি পূরণ করতে পারে, উচ্চ-কার্যক্ষমতা এবং উচ্চ-ঘনত্বের ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট তৈরিতে সহায়তা করে।
ব্রেকডাউন ভোল্টেজ বৃদ্ধি: এপিট্যাক্সিয়াল স্তরগুলি উচ্চ ব্রেকডাউন ভোল্টেজ দিয়ে ডিজাইন করা যেতে পারে, যা উচ্চ-শক্তি এবং উচ্চ-ভোল্টেজ ডিভাইস তৈরির জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ। উদাহরণস্বরূপ, পাওয়ার ডিভাইসগুলিতে, এপিট্যাক্সিয়াল স্তরগুলি ডিভাইসের ব্রেকডাউন ভোল্টেজ উন্নত করতে পারে, নিরাপদ অপারেটিং পরিসর বৃদ্ধি করে।
৪, প্রক্রিয়ার সামঞ্জস্য এবং বহুস্তরীয় কাঠামো
বহুস্তরীয় কাঠামো: এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধি প্রযুক্তি সাবস্ট্রেটগুলিতে বহুস্তরীয় কাঠামোর বৃদ্ধির অনুমতি দেয়, বিভিন্ন স্তরে বিভিন্ন ডোপিং ঘনত্ব এবং প্রকার থাকে। জটিল CMOS ডিভাইস তৈরি এবং ত্রিমাত্রিক একীকরণ সক্ষম করার জন্য এটি অত্যন্ত উপকারী।
সামঞ্জস্যতা: এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধি প্রক্রিয়া বিদ্যমান CMOS উৎপাদন প্রক্রিয়ার সাথে অত্যন্ত সামঞ্জস্যপূর্ণ, যা প্রক্রিয়া লাইনে উল্লেখযোগ্য পরিবর্তন ছাড়াই বর্তমান উৎপাদন কর্মপ্রবাহের সাথে একীভূত করা সহজ করে তোলে।
সারাংশ: CMOS সিলিকন প্রক্রিয়াগুলিতে এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধির প্রয়োগের লক্ষ্য মূলত ওয়েফার স্ফটিকের গুণমান উন্নত করা, ডিভাইসের বৈদ্যুতিক কর্মক্ষমতা অপ্টিমাইজ করা, উন্নত প্রক্রিয়া নোডগুলিকে সমর্থন করা এবং উচ্চ-কার্যক্ষমতা এবং উচ্চ-ঘনত্বের ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট উত্পাদনের চাহিদা পূরণ করা। এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধি প্রযুক্তি উপাদান ডোপিং এবং কাঠামোর সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণের অনুমতি দেয়, ডিভাইসের সামগ্রিক কর্মক্ষমতা এবং নির্ভরযোগ্যতা উন্নত করে।
পোস্টের সময়: অক্টোবর-১৬-২০২৪