Si কম্পোজিট সাবস্ট্রেটের উপর আধা-অন্তরক SiC
আইটেম | স্পেসিফিকেশন | আইটেম | স্পেসিফিকেশন |
ব্যাস | ১৫০±০.২ মিমি | ওরিয়েন্টেশন | <111>/<100>/<110> ইত্যাদি |
পলিটাইপ | 4H | আদর্শ | পি/এন |
প্রতিরোধ ক্ষমতা | ≥১E৮ohm·সেমি | সমতলতা | ফ্ল্যাট/খাঁজ |
স্থানান্তর স্তর পুরুত্ব | ≥০.১μm | এজ চিপ, স্ক্র্যাচ, ক্র্যাক (ভিজ্যুয়াল পরিদর্শন) | কোনটিই নয় |
শূন্যতা | ≤5ea/ওয়েফার (2mm>D>0.5mm) | টিটিভি | ≤৫μm |
সামনের রুক্ষতা | রা≤0.2nm (৫μm*৫μm) | বেধ | ৫০০/৬২৫/৬৭৫±২৫μm |
এই সমন্বয় ইলেকট্রনিক্স উৎপাদনে বেশ কিছু সুবিধা প্রদান করে:
সামঞ্জস্যতা: সিলিকন সাবস্ট্রেটের ব্যবহার এটিকে স্ট্যান্ডার্ড সিলিকন-ভিত্তিক প্রক্রিয়াকরণ কৌশলগুলির সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ করে তোলে এবং বিদ্যমান অর্ধপরিবাহী উৎপাদন প্রক্রিয়াগুলির সাথে একীকরণের অনুমতি দেয়।
উচ্চ তাপমাত্রার কর্মক্ষমতা: SiC-এর চমৎকার তাপ পরিবাহিতা রয়েছে এবং এটি উচ্চ তাপমাত্রায় কাজ করতে পারে, যা এটিকে উচ্চ শক্তি এবং উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি ইলেকট্রনিক অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত করে তোলে।
উচ্চ ব্রেকডাউন ভোল্টেজ: SiC উপকরণগুলির উচ্চ ব্রেকডাউন ভোল্টেজ থাকে এবং বৈদ্যুতিক ব্রেকডাউন ছাড়াই উচ্চ বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র সহ্য করতে পারে।
বিদ্যুৎ ক্ষয় হ্রাস: SiC সাবস্ট্রেটগুলি ঐতিহ্যবাহী সিলিকন-ভিত্তিক উপকরণের তুলনায় ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলিতে আরও দক্ষ বিদ্যুৎ রূপান্তর এবং কম বিদ্যুৎ ক্ষয় নিশ্চিত করে।
প্রশস্ত ব্যান্ডউইথ: SiC-এর প্রশস্ত ব্যান্ডউইথ রয়েছে, যা উচ্চ তাপমাত্রা এবং উচ্চ শক্তি ঘনত্বে কাজ করতে পারে এমন ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলির বিকাশের অনুমতি দেয়।
তাই Si কম্পোজিট সাবস্ট্রেটের উপর আধা-অন্তরক SiC সিলিকনের সামঞ্জস্যকে SiC এর উচ্চতর বৈদ্যুতিক এবং তাপীয় বৈশিষ্ট্যের সাথে একত্রিত করে, যা এটিকে উচ্চ-কার্যক্ষমতাসম্পন্ন ইলেকট্রনিক্স অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত করে তোলে।
প্যাকিং এবং ডেলিভারি
১. আমরা প্রতিরক্ষামূলক প্লাস্টিক এবং কাস্টমাইজড বক্স ব্যবহার করব প্যাক করার জন্য। (পরিবেশ বান্ধব উপাদান)
2. আমরা পরিমাণ অনুযায়ী কাস্টমাইজড প্যাকিং করতে পারি।
৩. ডিএইচএল/ফেডেক্স/ইউপিএস এক্সপ্রেস সাধারণত গন্তব্যে পৌঁছাতে প্রায় ৩-৭ কার্যদিবস সময় নেয়।
বিস্তারিত চিত্র

