ICP-এর জন্য ৪ ইঞ্চি ৬ ইঞ্চি ওয়েফার হোল্ডারের জন্য SiC সিরামিক প্লেট/ট্রে

ছোট বিবরণ:

SiC সিরামিক প্লেট হল উচ্চ-বিশুদ্ধতা সিলিকন কার্বাইড থেকে তৈরি একটি উচ্চ-কার্যক্ষমতাসম্পন্ন উপাদান, যা চরম তাপীয়, রাসায়নিক এবং যান্ত্রিক পরিবেশে ব্যবহারের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। ব্যতিক্রমী কঠোরতা, তাপ পরিবাহিতা এবং জারা প্রতিরোধের জন্য বিখ্যাত, SiC প্লেটটি সেমিকন্ডাক্টর, LED, ফটোভোলটাইক এবং মহাকাশ শিল্পে ওয়েফার ক্যারিয়ার, সাসসেপ্টর বা কাঠামোগত উপাদান হিসাবে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।


  • :
  • ফিচার

    SiC সিরামিক প্লেট সারাংশ

    SiC সিরামিক প্লেট হল উচ্চ-বিশুদ্ধতা সিলিকন কার্বাইড থেকে তৈরি একটি উচ্চ-কার্যক্ষমতাসম্পন্ন উপাদান, যা চরম তাপীয়, রাসায়নিক এবং যান্ত্রিক পরিবেশে ব্যবহারের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। ব্যতিক্রমী কঠোরতা, তাপ পরিবাহিতা এবং জারা প্রতিরোধের জন্য বিখ্যাত, SiC প্লেটটি সেমিকন্ডাক্টর, LED, ফটোভোলটাইক এবং মহাকাশ শিল্পে ওয়েফার ক্যারিয়ার, সাসসেপ্টর বা কাঠামোগত উপাদান হিসাবে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।

     

    ১৬০০°C পর্যন্ত অসাধারণ তাপীয় স্থিতিশীলতা এবং প্রতিক্রিয়াশীল গ্যাস এবং প্লাজমা পরিবেশের প্রতি চমৎকার প্রতিরোধের সাথে, SiC প্লেট উচ্চ-তাপমাত্রার খোদাই, জমা এবং বিস্তার প্রক্রিয়ার সময় ধারাবাহিক কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করে। এর ঘন, অ-ছিদ্রযুক্ত মাইক্রোস্ট্রাকচার কণা উৎপাদনকে কমিয়ে দেয়, যা ভ্যাকুয়াম বা ক্লিনরুম সেটিংসে অতি-পরিষ্কার অ্যাপ্লিকেশনের জন্য এটি আদর্শ করে তোলে।

    SiC সিরামিক প্লেট অ্যাপ্লিকেশন

    ১. সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদন

    SiC সিরামিক প্লেটগুলি সাধারণত CVD (রাসায়নিক বাষ্প জমা), PVD (ভৌত বাষ্প জমা), এবং এচিং সিস্টেমের মতো সেমিকন্ডাক্টর তৈরির সরঞ্জামগুলিতে ওয়েফার ক্যারিয়ার, সাসসেপ্টর এবং পেডেস্টাল প্লেট হিসাবে ব্যবহৃত হয়। তাদের চমৎকার তাপ পরিবাহিতা এবং কম তাপীয় প্রসারণ তাদের অভিন্ন তাপমাত্রা বন্টন বজায় রাখতে সাহায্য করে, যা উচ্চ-নির্ভুলতা ওয়েফার প্রক্রিয়াকরণের জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ। ক্ষয়কারী গ্যাস এবং প্লাজমার প্রতি SiC এর প্রতিরোধ কঠোর পরিবেশে স্থায়িত্ব নিশ্চিত করে, কণা দূষণ এবং সরঞ্জাম রক্ষণাবেক্ষণ কমাতে সাহায্য করে।

    ২. এলইডি ইন্ডাস্ট্রি - আইসিপি এচিং

    LED উৎপাদন খাতে, SiC প্লেটগুলি ICP (Inductively Coupled Plasma) এচিং সিস্টেমের মূল উপাদান। ওয়েফার হোল্ডার হিসেবে কাজ করে, তারা প্লাজমা প্রক্রিয়াকরণের সময় নীলকান্তমণি বা GaN ওয়েফারগুলিকে সমর্থন করার জন্য একটি স্থিতিশীল এবং তাপীয়ভাবে শক্তিশালী প্ল্যাটফর্ম প্রদান করে। তাদের চমৎকার প্লাজমা প্রতিরোধ ক্ষমতা, পৃষ্ঠের সমতলতা এবং মাত্রিক স্থিতিশীলতা উচ্চ এচিং নির্ভুলতা এবং অভিন্নতা নিশ্চিত করতে সহায়তা করে, যার ফলে LED চিপগুলিতে ফলন এবং ডিভাইসের কর্মক্ষমতা বৃদ্ধি পায়।

    ৩. ফটোভোলটাইক (পিভি) এবং সৌরশক্তি

    SiC সিরামিক প্লেটগুলি সৌর কোষ উৎপাদনেও ব্যবহৃত হয়, বিশেষ করে উচ্চ-তাপমাত্রার সিন্টারিং এবং অ্যানিলিং ধাপের সময়। উচ্চ তাপমাত্রায় তাদের জড়তা এবং ওয়ার্পিং প্রতিরোধ করার ক্ষমতা সিলিকন ওয়েফারগুলির ধারাবাহিক প্রক্রিয়াকরণ নিশ্চিত করে। উপরন্তু, ফটোভোলটাইক কোষগুলির দক্ষতা বজায় রাখার জন্য তাদের কম দূষণের ঝুঁকি অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।

    SiC সিরামিক প্লেটের বৈশিষ্ট্য

    1. ব্যতিক্রমী যান্ত্রিক শক্তি এবং কঠোরতা

    SiC সিরামিক প্লেটগুলি অত্যন্ত উচ্চ যান্ত্রিক শক্তি প্রদর্শন করে, যার একটি সাধারণ নমনীয় শক্তি 400 MPa এর বেশি এবং ভিকারের কঠোরতা 2000 HV এর চেয়ে বেশি পৌঁছায়। এটি এগুলিকে যান্ত্রিক পরিধান, ঘর্ষণ এবং বিকৃতির বিরুদ্ধে অত্যন্ত প্রতিরোধী করে তোলে, উচ্চ লোড বা বারবার তাপীয় সাইক্লিংয়ের মধ্যেও দীর্ঘ পরিষেবা জীবন নিশ্চিত করে।

    2. উচ্চ তাপীয় পরিবাহিতা

    SiC-এর চমৎকার তাপ পরিবাহিতা (সাধারণত ১২০-২০০ ওয়াট/মি·কে), যা এটিকে তার পৃষ্ঠ জুড়ে সমানভাবে তাপ বিতরণ করতে দেয়। এই বৈশিষ্ট্যটি ওয়েফার এচিং, ডিপোজিশন বা সিন্টারিংয়ের মতো প্রক্রিয়াগুলিতে অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ, যেখানে তাপমাত্রার অভিন্নতা সরাসরি পণ্যের ফলন এবং গুণমানকে প্রভাবিত করে।

    3. উচ্চতর তাপীয় স্থিতিশীলতা

    উচ্চ গলনাঙ্ক (২৭০০°C) এবং তাপীয় প্রসারণের কম সহগ (৪.০ × ১০⁻⁶/K) সহ, SiC সিরামিক প্লেটগুলি দ্রুত উত্তাপ এবং শীতলকরণ চক্রের অধীনে মাত্রিক নির্ভুলতা এবং কাঠামোগত অখণ্ডতা বজায় রাখে। এটি উচ্চ-তাপমাত্রার চুল্লি, ভ্যাকুয়াম চেম্বার এবং প্লাজমা পরিবেশে প্রয়োগের জন্য তাদের আদর্শ করে তোলে।

    কারিগরি বৈশিষ্ট্য

    সূচক

    ইউনিট

    মূল্য

    উপাদানের নাম

    বিক্রিয়া সিন্টার্ড সিলিকন কার্বাইড

    চাপহীন সিন্টার্ড সিলিকন কার্বাইড

    পুনঃক্রিস্টালাইজড সিলিকন কার্বাইড

    গঠন

    আরবিএসআইসি

    এসএসআইসি

    আর-সিআইসি

    বাল্ক ঘনত্ব

    গ্রাম/সেমি৩

    3

    ৩.১৫ ± ০.০৩

    ২.৬০-২.৭০

    নমনীয় শক্তি

    এমপিএ (কেপিএসআই)

    ৩৩৮(৪৯)

    ৩৮০(৫৫)

    ৮০-৯০ (২০°সে) ৯০-১০০(১৪০০°সে)

    সংকোচনশীল শক্তি

    এমপিএ (কেপিএসআই)

    ১১২০(১৫৮)

    ৩৯৭০(৫৬০)

    > ৬০০

    কঠোরতা

    নূপ

    ২৭০০

    ২৮০০

    /

    ব্রেকিং টেনাসিটি

    এমপিএ মি১/২

    ৪.৫

    4

    /

    তাপীয় পরিবাহিতা

    পতন/মাউন্টেন ডলার

    95

    ১২০

    23

    তাপীয় প্রসারণের সহগ

    10-6.১/°সে.

    5

    4

    ৪.৭

    নির্দিষ্ট তাপ

    জুল/গ্রাম ০কে

    ০.৮

    ০.৬৭

    /

    বাতাসে সর্বোচ্চ তাপমাত্রা

    ১২০০

    ১৫০০

    ১৬০০

    ইলাস্টিক মডুলাস

    জিপিএ

    ৩৬০

    ৪১০

    ২৪০

     

    SiC সিরামিক প্লেট প্রশ্নোত্তর

    প্রশ্ন: সিলিকন কার্বাইড প্লেটের বৈশিষ্ট্য কী কী?

    ক: সিলিকন কার্বাইড (SiC) প্লেটগুলি তাদের উচ্চ শক্তি, কঠোরতা এবং তাপীয় স্থিতিশীলতার জন্য পরিচিত। এগুলি চমৎকার তাপ পরিবাহিতা এবং কম তাপীয় প্রসারণ প্রদান করে, যা চরম তাপমাত্রার অধীনে নির্ভরযোগ্য কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করে। SiC রাসায়নিকভাবেও নিষ্ক্রিয়, অ্যাসিড, ক্ষার এবং প্লাজমা পরিবেশের বিরুদ্ধে প্রতিরোধী, যা এটিকে সেমিকন্ডাক্টর এবং LED প্রক্রিয়াকরণের জন্য আদর্শ করে তোলে। এর ঘন, মসৃণ পৃষ্ঠ কণা উৎপাদন কমিয়ে দেয়, ক্লিনরুম সামঞ্জস্য বজায় রাখে। সেমিকন্ডাক্টর, ফটোভোলটাইক এবং মহাকাশ শিল্প জুড়ে উচ্চ-তাপমাত্রা এবং ক্ষয়কারী পরিবেশে ওয়েফার বাহক, সাসপেক্টর এবং সহায়তা উপাদান হিসাবে SiC প্লেটগুলি ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।

    SiC ট্রেয়ার06
    SiC ট্রেয়ার05
    SiC ট্রেয়ার01

  • আগে:
  • পরবর্তী:

  • আপনার বার্তা এখানে লিখুন এবং আমাদের কাছে পাঠান।