বৃহৎ ব্যাসের SiC স্ফটিক TSSG/LPE পদ্ধতির জন্য SiC ইনগট গ্রোথ ফার্নেস

ছোট বিবরণ:

XKH-এর লিকুইড-ফেজ সিলিকন কার্বাইড ইনগট গ্রোথ ফার্নেস বিশ্ব-নেতৃস্থানীয় TSSG (টপ-সিডেড সলিউশন গ্রোথ) এবং LPE (লিকুইড ফেজ এপিট্যাক্সি) প্রযুক্তি ব্যবহার করে, বিশেষ করে উচ্চ-মানের SiC একক স্ফটিক বৃদ্ধির জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। TSSG পদ্ধতিটি সুনির্দিষ্ট তাপমাত্রা গ্রেডিয়েন্ট এবং বীজ উত্তোলনের গতি নিয়ন্ত্রণের মাধ্যমে 4-8 ইঞ্চি বৃহৎ-ব্যাসের 4H/6H-SiC ইনগটগুলির বৃদ্ধি সক্ষম করে, যখন LPE পদ্ধতিটি নিম্ন তাপমাত্রায় SiC এপিট্যাক্সিয়াল স্তরগুলির নিয়ন্ত্রিত বৃদ্ধিকে সহজতর করে, বিশেষ করে অতি-নিম্ন ত্রুটিযুক্ত পুরু এপিট্যাক্সিয়াল স্তরগুলির জন্য উপযুক্ত। এই লিকুইড-ফেজ সিলিকন কার্বাইড ইনগট গ্রোথ সিস্টেমটি 4H/6H-N টাইপ এবং 4H/6H-SEMI ইনসুলেটিং টাইপ সহ বিভিন্ন SiC স্ফটিকের শিল্প উৎপাদনে সফলভাবে প্রয়োগ করা হয়েছে, যা সরঞ্জাম থেকে প্রক্রিয়া পর্যন্ত সম্পূর্ণ সমাধান প্রদান করে।

আমাদের ইমেইল পাঠান

ফিচার

কাজের নীতি

তরল-পর্যায়ের সিলিকন কার্বাইড ইনগট বৃদ্ধির মূল নীতি হল গলিত ধাতুগুলিতে (যেমন, Si, Cr) উচ্চ-বিশুদ্ধতা SiC কাঁচামাল 1800-2100°C তাপমাত্রায় দ্রবীভূত করে স্যাচুরেটেড দ্রবণ তৈরি করা, তারপরে সুনির্দিষ্ট তাপমাত্রা গ্রেডিয়েন্ট এবং সুপারস্যাচুরেশন নিয়ন্ত্রণের মাধ্যমে বীজ স্ফটিকগুলিতে SiC একক স্ফটিকের নিয়ন্ত্রিত দিকনির্দেশনামূলক বৃদ্ধি। এই প্রযুক্তিটি বিশেষভাবে কম ত্রুটি ঘনত্ব (<100/cm²) সহ উচ্চ-বিশুদ্ধতা (>99.9995%) 4H/6H-SiC একক স্ফটিক তৈরির জন্য উপযুক্ত, যা পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স এবং RF ডিভাইসের জন্য কঠোর সাবস্ট্রেট প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে। তরল-পর্যায়ের বৃদ্ধি ব্যবস্থাটি অপ্টিমাইজড দ্রবণ রচনা এবং বৃদ্ধির পরামিতিগুলির মাধ্যমে স্ফটিক পরিবাহিতা প্রকার (N/P প্রকার) এবং প্রতিরোধ ক্ষমতার সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণ সক্ষম করে।

মূল উপাদান

1. বিশেষ ক্রুসিবল সিস্টেম: উচ্চ-বিশুদ্ধতা গ্রাফাইট/ট্যান্টালাম কম্পোজিট ক্রুসিবল, তাপমাত্রা প্রতিরোধের>2200°C, SiC গলিত ক্ষয় প্রতিরোধী।

2. মাল্টি-জোন হিটিং সিস্টেম: ±0.5°C (1800-2100°C পরিসীমা) তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রণ নির্ভুলতার সাথে সম্মিলিত প্রতিরোধ/আনয়ন হিটিং।

৩. যথার্থ গতি ব্যবস্থা: বীজ ঘূর্ণন (০-৫০rpm) এবং উত্তোলনের জন্য দ্বৈত বন্ধ-লুপ নিয়ন্ত্রণ (০.১-১০ মিমি/ঘন্টা)।

৪. বায়ুমণ্ডল নিয়ন্ত্রণ ব্যবস্থা: উচ্চ-বিশুদ্ধতা আর্গন/নাইট্রোজেন সুরক্ষা, সামঞ্জস্যযোগ্য কাজের চাপ (০.১-১এটিএম)।

৫. ইন্টেলিজেন্ট কন্ট্রোল সিস্টেম: রিয়েল-টাইম গ্রোথ ইন্টারফেস মনিটরিং সহ পিএলসি+ইন্ডাস্ট্রিয়াল পিসি রিডানড্যান্ট কন্ট্রোল।

৬. দক্ষ কুলিং সিস্টেম: গ্রেডেড ওয়াটার কুলিং ডিজাইন দীর্ঘমেয়াদী স্থিতিশীল অপারেশন নিশ্চিত করে।

টিএসএসজি বনাম এলপিই তুলনা

বৈশিষ্ট্য	টিএসএসজি পদ্ধতি	এলপিই পদ্ধতি
বৃদ্ধির তাপমাত্রা	২০০০-২১০০°সে.	১৫০০-১৮০০°সে.
বৃদ্ধির হার	০.২-১ মিমি/ঘণ্টা	৫-৫০μm/ঘণ্টা
স্ফটিক আকার	৪-৮ ইঞ্চি ইনগট	৫০-৫০০μm এপি-স্তর
প্রধান প্রয়োগ	সাবস্ট্রেট প্রস্তুতি	পাওয়ার ডিভাইস এপি-লেয়ার
ত্রুটি ঘনত্ব	<500/সেমি²	<100/সেমি²
উপযুক্ত পলিটাইপ	৪ ঘন্টা/৬ ঘন্টা-SiC	4H/3C-SiC

মূল অ্যাপ্লিকেশন

১. পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স: ১২০০V+ MOSFET/ডায়োডের জন্য ৬-ইঞ্চি ৪H-SiC সাবস্ট্রেট।

2. 5G RF ডিভাইস: বেস স্টেশন PA-এর জন্য আধা-অন্তরক SiC সাবস্ট্রেট।

৩. ইভি অ্যাপ্লিকেশন: অটোমোটিভ-গ্রেড মডিউলের জন্য অতি-পুরু (> ২০০μm) এপি-লেয়ার।

৪. পিভি ইনভার্টার: কম ত্রুটিযুক্ত সাবস্ট্রেটগুলি ৯৯% থেকে বেশি রূপান্তর দক্ষতা সক্ষম করে।

মূল সুবিধা

১. প্রযুক্তিগত শ্রেষ্ঠত্ব
১.১ ইন্টিগ্রেটেড মাল্টি-মেথড ডিজাইন
এই তরল-পর্যায়ের SiC ইনগট গ্রোথ সিস্টেমটি উদ্ভাবনীভাবে TSSG এবং LPE স্ফটিক গ্রোথ প্রযুক্তিগুলিকে একত্রিত করে। TSSG সিস্টেমটি সুনির্দিষ্ট গলিত পরিচলন এবং তাপমাত্রা গ্রেডিয়েন্ট নিয়ন্ত্রণ (ΔT≤5℃/সেমি) সহ শীর্ষ-বীজযুক্ত দ্রবণ বৃদ্ধি ব্যবহার করে, যা 6H/4H-SiC স্ফটিকের জন্য 15-20kg একক-রান ফলন সহ 4-8 ইঞ্চি বৃহৎ-ব্যাসের SiC ইনগটের স্থিতিশীল বৃদ্ধি সক্ষম করে। LPE সিস্টেমটি তুলনামূলকভাবে কম তাপমাত্রায় (1500-1800℃) <100/cm² ত্রুটি ঘনত্ব সহ উচ্চ-মানের পুরু এপিট্যাক্সিয়াল স্তরগুলি বৃদ্ধি করতে অপ্টিমাইজড দ্রাবক রচনা (Si-Cr অ্যালয় সিস্টেম) এবং সুপারস্যাচুরেশন নিয়ন্ত্রণ (±1%) ব্যবহার করে।

১.২ বুদ্ধিমান নিয়ন্ত্রণ ব্যবস্থা
চতুর্থ প্রজন্মের স্মার্ট গ্রোথ কন্ট্রোল দিয়ে সজ্জিত, বৈশিষ্ট্যগুলি হল:
• মাল্টি-স্পেকট্রাল ইন-সিটু মনিটরিং (৪০০-২৫০০nm তরঙ্গদৈর্ঘ্য পরিসীমা)
• লেজার-ভিত্তিক গলিত স্তর সনাক্তকরণ (±0.01 মিমি নির্ভুলতা)
• সিসিডি-ভিত্তিক ব্যাস বন্ধ-লুপ নিয়ন্ত্রণ (<±1 মিমি ওঠানামা)
• AI-চালিত বৃদ্ধির পরামিতি অপ্টিমাইজেশন (১৫% শক্তি সাশ্রয়)

2. প্রক্রিয়া কর্মক্ষমতা সুবিধা
২.১ টিএসএসজি পদ্ধতির মূল শক্তিসমূহ
• বৃহৎ আকারের ক্ষমতা: ৯৯.৫% ব্যাসের অভিন্নতা সহ ৮ ইঞ্চি পর্যন্ত স্ফটিক বৃদ্ধি সমর্থন করে
• উচ্চতর স্ফটিকতা: স্থানচ্যুতি ঘনত্ব <500/cm², মাইক্রোপাইপের ঘনত্ব <5/cm²
• ডোপিং অভিন্নতা: <8% n-টাইপ প্রতিরোধ ক্ষমতার প্রকরণ (4-ইঞ্চি ওয়েফার)
• অপ্টিমাইজড বৃদ্ধির হার: 0.3-1.2 মিমি/ঘন্টা নিয়মিত, বাষ্প-পর্যায় পদ্ধতির তুলনায় 3-5× দ্রুত

২.২ LPE পদ্ধতির মূল শক্তিসমূহ
• অতি-নিম্ন ত্রুটির এপিট্যাক্সি: ইন্টারফেস অবস্থা ঘনত্ব <1×10¹¹cm⁻²·eV⁻¹
• সুনির্দিষ্ট পুরুত্ব নিয়ন্ত্রণ: 50-500μm এপি-স্তর, <±2% পুরুত্বের তারতম্য সহ
• নিম্ন-তাপমাত্রার দক্ষতা: সিভিডি প্রক্রিয়ার তুলনায় 300-500℃ কম
• জটিল কাঠামো বৃদ্ধি: পিএন জংশন, সুপারল্যাটিক্স ইত্যাদি সমর্থন করে।

৩. উৎপাদন দক্ষতার সুবিধা
৩.১ খরচ নিয়ন্ত্রণ
• ৮৫% কাঁচামাল ব্যবহার (বনাম ৬০% প্রচলিত)
• ৪০% কম শক্তি খরচ (HVPE এর তুলনায়)
• ৯০% সরঞ্জাম আপটাইম (মডুলার ডিজাইন ডাউনটাইম কমিয়ে দেয়)

৩.২ গুণমান নিশ্চিতকরণ
• 6σ প্রক্রিয়া নিয়ন্ত্রণ (CPK>1.67)
• অনলাইন ত্রুটি সনাক্তকরণ (0.1μm রেজোলিউশন)
• পূর্ণ-প্রক্রিয়া ডেটা ট্রেসেবিলিটি (২০০০+ রিয়েল-টাইম প্যারামিটার)

৩.৩ স্কেলেবিলিটি
• 4H/6H/3C পলিটাইপের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ
• ১২-ইঞ্চি প্রক্রিয়া মডিউলে আপগ্রেডযোগ্য
• SiC/GaN হেটেরো-ইন্টিগ্রেশন সমর্থন করে

৪. শিল্প প্রয়োগের সুবিধা
৪.১ পাওয়ার ডিভাইস
• ১২০০-৩৩০০V ডিভাইসের জন্য কম-প্রতিরোধী সাবস্ট্রেট (০.০১৫-০.০২৫Ω·সেমি)
• RF অ্যাপ্লিকেশনের জন্য আধা-অন্তরক সাবস্ট্রেট (>10⁸Ω·সেমি)

৪.২ উদীয়মান প্রযুক্তি
• কোয়ান্টাম যোগাযোগ: অতি-নিম্ন শব্দ স্তর (1/f শব্দ <-120dB)
• চরম পরিবেশ: বিকিরণ-প্রতিরোধী স্ফটিক (1×10¹⁶n/cm² বিকিরণের পরে <5% অবক্ষয়)

XKH পরিষেবা

1. কাস্টমাইজড সরঞ্জাম: TSSG/LPE সিস্টেম কনফিগারেশন অনুসারে তৈরি।
২. প্রক্রিয়া প্রশিক্ষণ: ব্যাপক প্রযুক্তিগত প্রশিক্ষণ কর্মসূচি।
৩. বিক্রয়োত্তর সহায়তা: ২৪/৭ প্রযুক্তিগত প্রতিক্রিয়া এবং রক্ষণাবেক্ষণ।
৪. টার্নকি সলিউশন: ইনস্টলেশন থেকে প্রক্রিয়া যাচাইকরণ পর্যন্ত পূর্ণ-স্পেকট্রাম পরিষেবা।
৫. উপাদান সরবরাহ: ২-১২ ইঞ্চি SiC সাবস্ট্রেট/এপিআই-ওয়েফার উপলব্ধ।

মূল সুবিধার মধ্যে রয়েছে:
• ৮ ইঞ্চি পর্যন্ত স্ফটিক বৃদ্ধির ক্ষমতা।
• প্রতিরোধ ক্ষমতার অভিন্নতা <0.5%।
• সরঞ্জামের আপটাইম >৯৫%।
• ২৪/৭ প্রযুক্তিগত সহায়তা।