SiC স্ফটিক বৃদ্ধি চুল্লি SiC Ingot বৃদ্ধি 4 ইঞ্চি 6 ইঞ্চি 8 ইঞ্চি PTV Lely TSSG LPE বৃদ্ধি পদ্ধতি
স্ফটিক বৃদ্ধির প্রধান পদ্ধতি এবং তাদের বৈশিষ্ট্য
(১) ভৌত বাষ্প স্থানান্তর পদ্ধতি (PTV)
নীতি: উচ্চ তাপমাত্রায়, SiC কাঁচামাল গ্যাস পর্যায়ে পরিণত হয়, যা পরবর্তীতে বীজ স্ফটিকের উপর পুনঃস্ফটিকায়িত হয়।
প্রধান বৈশিষ্ট্য:
উচ্চ বৃদ্ধির তাপমাত্রা (২০০০-২৫০০°C)।
উচ্চমানের, বৃহৎ আকারের 4H-SiC এবং 6H-SiC স্ফটিক জন্মানো যেতে পারে।
বৃদ্ধির হার ধীর, কিন্তু স্ফটিকের গুণমান উচ্চ।
প্রয়োগ: প্রধানত পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর, আরএফ ডিভাইস এবং অন্যান্য উচ্চ-সম্পন্ন ক্ষেত্রে ব্যবহৃত হয়।
(২) লেলি পদ্ধতি
নীতি: উচ্চ তাপমাত্রায় SiC পাউডারের স্বতঃস্ফূর্ত পরমানন্দ এবং পুনঃক্রিস্টালাইজেশনের মাধ্যমে স্ফটিক জন্মানো হয়।
প্রধান বৈশিষ্ট্য:
বৃদ্ধির প্রক্রিয়ায় বীজের প্রয়োজন হয় না এবং স্ফটিকের আকার ছোট।
স্ফটিকের গুণমান উচ্চ, কিন্তু বৃদ্ধির দক্ষতা কম।
পরীক্ষাগার গবেষণা এবং ছোট ব্যাচ উৎপাদনের জন্য উপযুক্ত।
প্রয়োগ: প্রধানত বৈজ্ঞানিক গবেষণা এবং ছোট আকারের SiC স্ফটিক তৈরিতে ব্যবহৃত হয়।
(৩) শীর্ষ বীজ দ্রবণ বৃদ্ধি পদ্ধতি (TSSG)
নীতি: উচ্চ-তাপমাত্রার দ্রবণে, SiC কাঁচামাল বীজ স্ফটিকের উপর দ্রবীভূত হয় এবং স্ফটিকায়িত হয়।
প্রধান বৈশিষ্ট্য:
বৃদ্ধির তাপমাত্রা কম (১৫০০-১৮০০°C)।
উচ্চমানের, কম ত্রুটিযুক্ত SiC স্ফটিক জন্মানো যেতে পারে।
বৃদ্ধির হার ধীর, কিন্তু স্ফটিকের অভিন্নতা ভালো।
প্রয়োগ: উচ্চমানের SiC স্ফটিক তৈরির জন্য উপযুক্ত, যেমন অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইস।
(৪) লিকুইড ফেজ এপিট্যাক্সি (LPE)
নীতি: তরল ধাতব দ্রবণে, সাবস্ট্রেটে SiC কাঁচামালের এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধি।
প্রধান বৈশিষ্ট্য:
বৃদ্ধির তাপমাত্রা কম (১০০০-১৫০০°C)।
দ্রুত বৃদ্ধির হার, ফিল্ম বৃদ্ধির জন্য উপযুক্ত।
স্ফটিকের মান উচ্চ, কিন্তু পুরুত্ব সীমিত।
প্রয়োগ: প্রধানত সেন্সর এবং অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইসের মতো SiC ফিল্মের এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধির জন্য ব্যবহৃত হয়।
সিলিকন কার্বাইড স্ফটিক চুল্লির প্রধান প্রয়োগের উপায়
SiC স্ফটিক চুল্লি হল sic স্ফটিক প্রস্তুতের মূল সরঞ্জাম, এবং এর প্রধান প্রয়োগের উপায়গুলির মধ্যে রয়েছে:
পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস তৈরি: পাওয়ার ডিভাইসের (যেমন MOSFET, ডায়োড) সাবস্ট্রেট উপকরণ হিসেবে উচ্চমানের 4H-SiC এবং 6H-SiC স্ফটিক তৈরিতে ব্যবহৃত হয়।
অ্যাপ্লিকেশন: বৈদ্যুতিক যানবাহন, ফটোভোলটাইক ইনভার্টার, শিল্প বিদ্যুৎ সরবরাহ ইত্যাদি।
আরএফ ডিভাইস তৈরি: 5G যোগাযোগ, রাডার এবং স্যাটেলাইট যোগাযোগের উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি চাহিদা মেটাতে আরএফ ডিভাইসের সাবস্ট্রেট হিসাবে কম-ত্রুটিযুক্ত SiC স্ফটিক তৈরি করতে ব্যবহৃত হয়।
অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইস উৎপাদন: এলইডি, অতিবেগুনী ডিটেক্টর এবং লেজারের জন্য সাবস্ট্রেট উপকরণ হিসেবে উচ্চমানের SiC স্ফটিক তৈরিতে ব্যবহৃত হয়।
বৈজ্ঞানিক গবেষণা এবং ছোট ব্যাচ উৎপাদন: SiC স্ফটিক বৃদ্ধি প্রযুক্তির উদ্ভাবন এবং অপ্টিমাইজেশনকে সমর্থন করার জন্য পরীক্ষাগার গবেষণা এবং নতুন উপাদান উন্নয়নের জন্য।
উচ্চ তাপমাত্রার ডিভাইস তৈরি: মহাকাশ এবং উচ্চ তাপমাত্রা সেন্সরের ভিত্তি উপাদান হিসেবে উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধী SiC স্ফটিক তৈরিতে ব্যবহৃত হয়।
কোম্পানি কর্তৃক প্রদত্ত SiC ফার্নেস সরঞ্জাম এবং পরিষেবা
XKH SIC স্ফটিক চুল্লি সরঞ্জামের উন্নয়ন এবং উৎপাদনের উপর দৃষ্টি নিবদ্ধ করে, নিম্নলিখিত পরিষেবাগুলি প্রদান করে:
কাস্টমাইজড সরঞ্জাম: XKH গ্রাহকের প্রয়োজনীয়তা অনুসারে PTV এবং TSSG এর মতো বিভিন্ন গ্রোথ পদ্ধতি সহ কাস্টমাইজড গ্রোথ ফার্নেস সরবরাহ করে।
কারিগরি সহায়তা: XKH গ্রাহকদের স্ফটিক বৃদ্ধি প্রক্রিয়া অপ্টিমাইজেশন থেকে শুরু করে সরঞ্জাম রক্ষণাবেক্ষণ পর্যন্ত পুরো প্রক্রিয়ার জন্য প্রযুক্তিগত সহায়তা প্রদান করে।
প্রশিক্ষণ পরিষেবা: সরঞ্জামের দক্ষ পরিচালনা নিশ্চিত করার জন্য XKH গ্রাহকদের পরিচালনামূলক প্রশিক্ষণ এবং প্রযুক্তিগত নির্দেশনা প্রদান করে।
বিক্রয়োত্তর পরিষেবা: গ্রাহক উৎপাদনের ধারাবাহিকতা নিশ্চিত করার জন্য XKH দ্রুত-প্রতিক্রিয়াশীল বিক্রয়োত্তর পরিষেবা এবং সরঞ্জাম আপগ্রেড প্রদান করে।
সিলিকন কার্বাইড স্ফটিক বৃদ্ধি প্রযুক্তি (যেমন PTV, Lely, TSSG, LPE) পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স, RF ডিভাইস এবং অপটোইলেক্ট্রনিক্সের ক্ষেত্রে গুরুত্বপূর্ণ প্রয়োগ রয়েছে। XKH উন্নত SiC ফার্নেস সরঞ্জাম এবং উচ্চ-মানের SiC স্ফটিকের বৃহৎ আকারের উৎপাদনে গ্রাহকদের সহায়তা করার জন্য এবং সেমিকন্ডাক্টর শিল্পের উন্নয়নে সহায়তা করার জন্য সম্পূর্ণ পরিসরের পরিষেবা প্রদান করে।
বিস্তারিত চিত্র
