সিআইসি
-
২ ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার ৬H বা ৪H N-টাইপ বা আধা-অন্তরক SiC সাবস্ট্রেট
-
4H-N 4 ইঞ্চি SiC সাবস্ট্রেট ওয়েফার সিলিকন কার্বাইড উৎপাদন ডামি গবেষণা গ্রেড
-
MOS বা SBD উৎপাদন গবেষণা এবং ডামি গ্রেডের জন্য 6 ইঞ্চি 150 মিমি সিলিকন কার্বাইড SiC ওয়েফার 4H-N টাইপ
-
৮ ইঞ্চি ২০০ মিমি ৪H-N SiC ওয়েফার পরিবাহী ডামি গবেষণা গ্রেড
-
২ ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার ৬H বা ৪H N-টাইপ বা আধা-অন্তরক SiC সাবস্ট্রেট