সিলিকন কার্বাইড ডায়মন্ড ওয়্যার কাটিং মেশিন 4/6/8/12 ইঞ্চি SiC ইনগট প্রক্রিয়াকরণ

সিলিকন কার্বাইড হীরার তার কাটার মেশিন 4/6/8/12 ইঞ্চি SiC ইনগট প্রক্রিয়াকরণ বৈশিষ্ট্যযুক্ত চিত্র

ছোট বিবরণ:

সিলিকন কার্বাইড ডায়মন্ড ওয়্যার কাটিং মেশিন হল এক ধরণের উচ্চ-নির্ভুল প্রক্রিয়াকরণ সরঞ্জাম যা সিলিকন কার্বাইড (SiC) ইনগট স্লাইসের জন্য নিবেদিত, ডায়মন্ড ওয়্যার স প্রযুক্তি ব্যবহার করে, উচ্চ-গতির চলমান ডায়মন্ড ওয়্যার (লাইন ব্যাস 0.1~0.3 মিমি) থেকে SiC ইনগট মাল্টি-ওয়্যার কাটিং পর্যন্ত, উচ্চ-নির্ভুলতা, কম-ক্ষতিযুক্ত ওয়েফার প্রস্তুতি অর্জনের জন্য। সরঞ্জামটি SiC পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর (MOSFET/SBD), রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি ডিভাইস (GaN-on-SiC) এবং অপটোইলেক্ট্রনিক ডিভাইস সাবস্ট্রেট প্রক্রিয়াকরণে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়, যা SiC শিল্প শৃঙ্খলের একটি মূল সরঞ্জাম।

আমাদের ইমেইল পাঠান

পণ্য বিবরণী

পণ্য ট্যাগ

কাজের নীতি:

১. ইনগট ফিক্সেশন: অবস্থানের নির্ভুলতা (±০.০২ মিমি) নিশ্চিত করার জন্য ফিক্সচারের মাধ্যমে কাটিং প্ল্যাটফর্মে SiC ইনগট (4H/6H-SiC) স্থির করা হয়।

2. ডায়মন্ড লাইন মুভমেন্ট: ডায়মন্ড লাইন (পৃষ্ঠে ইলেকট্রোপ্লেটেড হীরার কণা) উচ্চ-গতির সঞ্চালনের জন্য গাইড হুইল সিস্টেম দ্বারা চালিত হয় (লাইনের গতি 10~30m/s)।

৩. কাটিং ফিড: ইনগটটি নির্দিষ্ট দিক বরাবর খাওয়ানো হয় এবং হীরার রেখাটি একাধিক সমান্তরাল রেখা (১০০~৫০০ লাইন) দিয়ে একসাথে কেটে একাধিক ওয়েফার তৈরি করা হয়।

৪. শীতলকরণ এবং চিপ অপসারণ: তাপের ক্ষতি কমাতে এবং চিপ অপসারণের জন্য কাটার জায়গায় কুল্যান্ট (ডিওনাইজড ওয়াটার + অ্যাডিটিভ) স্প্রে করুন।

মূল পরামিতি:

1. কাটার গতি: 0.2~1.0 মিমি/মিনিট (স্ফটিকের দিক এবং SiC এর বেধের উপর নির্ভর করে)।

2. লাইন টেনশন: 20~50N (খুব বেশি লাইন ভাঙা সহজ, খুব কম কাটার নির্ভুলতা প্রভাবিত করে)।

৩. ওয়েফারের পুরুত্ব: আদর্শ ৩৫০~৫০০μm, ওয়েফার ১০০μm পর্যন্ত পৌঁছাতে পারে।

প্রধান বৈশিষ্ট্য:

(1) নির্ভুলতা কাটা
পুরুত্ব সহনশীলতা: ±5μm (@350μm ওয়েফার), প্রচলিত মর্টার কাটার চেয়ে ভালো (±20μm)।

পৃষ্ঠের রুক্ষতা: Ra<0.5μm (পরবর্তী প্রক্রিয়াকরণের পরিমাণ কমাতে অতিরিক্ত গ্রাইন্ডিংয়ের প্রয়োজন নেই)।

ওয়ারপেজ: <10μm (পরবর্তী পলিশিংয়ের অসুবিধা কমাতে)।

(2) প্রক্রিয়াকরণ দক্ষতা
মাল্টি-লাইন কাটিং: একবারে ১০০~৫০০ টুকরো কাটা, উৎপাদন ক্ষমতা ৩~৫ গুণ বৃদ্ধি (বনাম একক লাইন কাটা)।

লাইন লাইফ: ডায়মন্ড লাইন 100~300 কিমি SiC কাটতে পারে (ইনগটের কঠোরতা এবং প্রক্রিয়া অপ্টিমাইজেশনের উপর নির্ভর করে)।

(3) কম ক্ষতি প্রক্রিয়াজাতকরণ
প্রান্ত ভাঙা: <15μm (ঐতিহ্যবাহী কাটিং >50μm), ওয়েফারের ফলন উন্নত করুন।

ভূ-পৃষ্ঠের ক্ষতির স্তর: <5μm (পলিশিং অপসারণ কমানো)।

(৪) পরিবেশ সুরক্ষা এবং অর্থনীতি
মর্টার দূষণ নেই: মর্টার কাটার তুলনায় বর্জ্য তরল নিষ্কাশন খরচ কম।

উপাদানের ব্যবহার: কাটার ক্ষতি <100μm/ কাটার, SiC কাঁচামাল সাশ্রয় করে।

কাটিং প্রভাব:

১. ওয়েফারের গুণমান: পৃষ্ঠে কোনও ম্যাক্রোস্কোপিক ফাটল নেই, কয়েকটি মাইক্রোস্কোপিক ত্রুটি (নিয়ন্ত্রণযোগ্য স্থানচ্যুতি এক্সটেনশন)। সরাসরি রুক্ষ পলিশিং লিঙ্কে প্রবেশ করতে পারে, প্রক্রিয়া প্রবাহকে সংক্ষিপ্ত করে।

2. ধারাবাহিকতা: ব্যাচে ওয়েফারের পুরুত্বের বিচ্যুতি <±3%, স্বয়ংক্রিয় উৎপাদনের জন্য উপযুক্ত।

৩.প্রযোজ্যতা: 4H/6H-SiC ইনগট কাটিং সমর্থন করে, পরিবাহী/আধা-অন্তরক ধরণের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ।

প্রযুক্তিগত স্পেসিফিকেশন:

স্পেসিফিকেশন	বিস্তারিত
মাত্রা (L × W × H)	২৫০০x২৩০০x২৫০০ অথবা কাস্টমাইজ করুন
প্রক্রিয়াজাতকরণ উপাদানের আকার পরিসীমা	৪, ৬, ৮, ১০, ১২ ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড
পৃষ্ঠের রুক্ষতা	রা≤0.3u
গড় কাটার গতি	০.৩ মিমি/মিনিট
ওজন	৫.৫টন
কাটিং প্রক্রিয়া সেটিংয়ের ধাপগুলি	≤৩০ ধাপ
সরঞ্জামের শব্দ	≤৮০ ডিবি
ইস্পাত তারের টান	০~১১০N(০.২৫ তারের টান ৪৫N)
ইস্পাত তারের গতি	০~৩০ মি/সেকেন্ড
মোট শক্তি	৫০ কিলোওয়াট
হীরার তারের ব্যাস	≥০.১৮ মিমি
সমতলতা শেষ করুন	≤0.05 মিমি
কাটা এবং ভাঙার হার	≤1% (মানুষের কারণে, সিলিকন উপাদান, লাইন, রক্ষণাবেক্ষণ এবং অন্যান্য কারণ ব্যতীত)

XKH পরিষেবা:

XKH সিলিকন কার্বাইড ডায়মন্ড ওয়্যার কাটিং মেশিনের সম্পূর্ণ প্রক্রিয়া পরিষেবা প্রদান করে, যার মধ্যে রয়েছে সরঞ্জাম নির্বাচন (তারের ব্যাস/তারের গতির মিল), প্রক্রিয়া উন্নয়ন (কাটিং প্যারামিটার অপ্টিমাইজেশন), ভোগ্যপণ্য সরবরাহ (হীরার তার, গাইড হুইল) এবং বিক্রয়োত্তর সহায়তা (সরঞ্জাম রক্ষণাবেক্ষণ, কাটিংয়ের মান বিশ্লেষণ), যাতে গ্রাহকরা উচ্চ ফলন (>95%), কম খরচে SiC ওয়েফার ভর উৎপাদন অর্জন করতে পারেন। এটি 4-8 সপ্তাহের লিড টাইম সহ কাস্টমাইজড আপগ্রেড (যেমন অতি-পাতলা কাটিং, স্বয়ংক্রিয় লোডিং এবং আনলোডিং)ও অফার করে।