সিলিকন কার্বাইড SiC ইনগট 6 ইঞ্চি N টাইপ ডামি/প্রাইম গ্রেড পুরুত্ব কাস্টমাইজ করা যেতে পারে
বৈশিষ্ট্য
গ্রেড: উৎপাদন গ্রেড (ডামি/প্রাইম)
আকার: ৬ ইঞ্চি ব্যাস
ব্যাস: ১৫০.২৫ মিমি ± ০.২৫ মিমি
বেধ: >১০ মিমি (অনুরোধের ভিত্তিতে কাস্টমাইজযোগ্য বেধ উপলব্ধ)
পৃষ্ঠের অবস্থান: 4° <11-20> ± 0.2° এর দিকে, যা উচ্চ স্ফটিক গুণমান এবং ডিভাইস তৈরির জন্য সঠিক সারিবদ্ধকরণ নিশ্চিত করে।
প্রাথমিক সমতল অভিযোজন: <1-100> ± 5°, ওয়েফারে ইনগটকে দক্ষভাবে কাটা এবং সর্বোত্তম স্ফটিক বৃদ্ধির জন্য একটি মূল বৈশিষ্ট্য।
প্রাথমিক সমতল দৈর্ঘ্য: ৪৭.৫ মিমি ± ১.৫ মিমি, সহজে পরিচালনা এবং নির্ভুল কাটার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে।
প্রতিরোধ ক্ষমতা: ০.০১৫–০.০২৮৫ Ω·সেমি, উচ্চ-দক্ষতাসম্পন্ন বিদ্যুৎ ডিভাইসে ব্যবহারের জন্য আদর্শ।
মাইক্রোপাইপের ঘনত্ব: <0.5, তৈরি ডিভাইসের কর্মক্ষমতাকে প্রভাবিত করতে পারে এমন ন্যূনতম ত্রুটি নিশ্চিত করে।
BPD (বোরন পিটিং ঘনত্ব): <2000, একটি কম মান যা উচ্চ স্ফটিক বিশুদ্ধতা এবং কম ত্রুটি ঘনত্ব নির্দেশ করে।
টিএসডি (থ্রেডিং স্ক্রু ডিসলোকেশন ডেনসিটি): <500, উচ্চ-কার্যক্ষমতাসম্পন্ন ডিভাইসের জন্য চমৎকার উপাদানের অখণ্ডতা নিশ্চিত করে।
পলিটাইপ এলাকা: কোনটিই নয় - ইনগটটি পলিটাইপ ত্রুটিমুক্ত, উচ্চমানের অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উচ্চতর উপাদানের গুণমান প্রদান করে।
এজ ইন্ডেন্ট: <3, ১ মিমি প্রস্থ এবং গভীরতা সহ, যা পৃষ্ঠের ন্যূনতম ক্ষতি নিশ্চিত করে এবং দক্ষ ওয়েফার স্লাইসিংয়ের জন্য ইনগটের অখণ্ডতা বজায় রাখে।
প্রান্তের ফাটল: ৩টি, <১ মিমি প্রতিটি, প্রান্তের ক্ষতির ঘটনা কম, নিরাপদ হ্যান্ডলিং এবং আরও প্রক্রিয়াকরণ নিশ্চিত করে।
প্যাকিং: ওয়েফার কেস - নিরাপদ পরিবহন এবং হ্যান্ডলিং নিশ্চিত করার জন্য SiC ইনগটটি একটি ওয়েফার কেসে নিরাপদে প্যাক করা হয়।
অ্যাপ্লিকেশন
পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স:৬ ইঞ্চির SiC ইনগটটি MOSFET, IGBT এবং ডায়োডের মতো পাওয়ার ইলেকট্রনিক ডিভাইস তৈরিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়, যা পাওয়ার কনভার্সন সিস্টেমের অপরিহার্য উপাদান। এই ডিভাইসগুলি বৈদ্যুতিক যানবাহন (EV) ইনভার্টার, শিল্প মোটর ড্রাইভ, পাওয়ার সাপ্লাই এবং শক্তি সঞ্চয় ব্যবস্থায় ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। উচ্চ ভোল্টেজ, উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি এবং চরম তাপমাত্রায় কাজ করার জন্য SiC-এর ক্ষমতা এটিকে এমন অ্যাপ্লিকেশনের জন্য আদর্শ করে তোলে যেখানে ঐতিহ্যবাহী সিলিকন (Si) ডিভাইসগুলি দক্ষতার সাথে কাজ করতে লড়াই করে।
বৈদ্যুতিক যানবাহন (EVs):বৈদ্যুতিক যানবাহনে, ইনভার্টার, ডিসি-ডিসি কনভার্টার এবং অন-বোর্ড চার্জারে পাওয়ার মডিউল তৈরির জন্য SiC-ভিত্তিক উপাদানগুলি অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ। SiC-এর উচ্চতর তাপ পরিবাহিতা তাপ উৎপাদন কমাতে এবং পাওয়ার রূপান্তরে আরও ভাল দক্ষতা প্রদান করে, যা বৈদ্যুতিক যানবাহনের কর্মক্ষমতা এবং ড্রাইভিং পরিসর বৃদ্ধির জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ। অতিরিক্তভাবে, SiC ডিভাইসগুলি ছোট, হালকা এবং আরও নির্ভরযোগ্য উপাদানগুলিকে সক্ষম করে, যা EV সিস্টেমের সামগ্রিক কর্মক্ষমতা বৃদ্ধিতে অবদান রাখে।
নবায়নযোগ্য শক্তি ব্যবস্থা:সৌর ইনভার্টার, বায়ু টারবাইন এবং শক্তি সঞ্চয় সমাধান সহ নবায়নযোগ্য শক্তি ব্যবস্থায় ব্যবহৃত বিদ্যুৎ রূপান্তর ডিভাইসের উন্নয়নে SiC ইনগট একটি অপরিহার্য উপাদান। SiC-এর উচ্চ শক্তি-পরিচালনা ক্ষমতা এবং দক্ষ তাপ ব্যবস্থাপনা এই সিস্টেমগুলিতে উচ্চতর শক্তি রূপান্তর দক্ষতা এবং উন্নত নির্ভরযোগ্যতা প্রদান করে। নবায়নযোগ্য শক্তিতে এর ব্যবহার শক্তি স্থায়িত্বের দিকে বিশ্বব্যাপী প্রচেষ্টাকে এগিয়ে নিতে সাহায্য করে।
টেলিযোগাযোগ:৬ ইঞ্চির SiC ইনগটটি উচ্চ-ক্ষমতাসম্পন্ন RF (রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি) অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহৃত উপাদান তৈরির জন্যও উপযুক্ত। এর মধ্যে রয়েছে টেলিযোগাযোগ এবং স্যাটেলাইট যোগাযোগ ব্যবস্থায় ব্যবহৃত অ্যামপ্লিফায়ার, অসিলেটর এবং ফিল্টার। উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি এবং উচ্চ শক্তি পরিচালনা করার জন্য SiC এর ক্ষমতা এটিকে টেলিযোগাযোগ ডিভাইসগুলির জন্য একটি চমৎকার উপাদান করে তোলে যার জন্য শক্তিশালী কর্মক্ষমতা এবং ন্যূনতম সংকেত ক্ষতি প্রয়োজন।
মহাকাশ এবং প্রতিরক্ষা:SiC-এর উচ্চ ব্রেকডাউন ভোল্টেজ এবং উচ্চ তাপমাত্রার প্রতিরোধ ক্ষমতা এটিকে মহাকাশ এবং প্রতিরক্ষা অ্যাপ্লিকেশনের জন্য আদর্শ করে তোলে। SiC ইনগট থেকে তৈরি উপাদানগুলি রাডার সিস্টেম, স্যাটেলাইট যোগাযোগ এবং বিমান এবং মহাকাশযানের জন্য পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সে ব্যবহৃত হয়। SiC-ভিত্তিক উপকরণগুলি মহাকাশ এবং উচ্চ-উচ্চতার পরিবেশে সম্মুখীন চরম পরিস্থিতিতে মহাকাশ ব্যবস্থাগুলিকে কার্যক্ষমতা প্রদান করতে সক্ষম করে।
শিল্প অটোমেশন:শিল্প অটোমেশনে, SiC উপাদানগুলি সেন্সর, অ্যাকচুয়েটর এবং নিয়ন্ত্রণ ব্যবস্থায় ব্যবহৃত হয় যেগুলিকে কঠোর পরিবেশে পরিচালনা করতে হয়। SiC-ভিত্তিক ডিভাইসগুলি এমন যন্ত্রপাতিতে নিযুক্ত করা হয় যার জন্য দক্ষ, দীর্ঘস্থায়ী উপাদানগুলির প্রয়োজন হয় যা উচ্চ তাপমাত্রা এবং বৈদ্যুতিক চাপ সহ্য করতে সক্ষম।
পণ্যের স্পেসিফিকেশন টেবিল
সম্পত্তি | স্পেসিফিকেশন |
শ্রেণী | উৎপাদন (ডামি/প্রাইম) |
আকার | ৬ ইঞ্চি |
ব্যাস | ১৫০.২৫ মিমি ± ০.২৫ মিমি |
বেধ | >১০ মিমি (কাস্টমাইজেবল) |
পৃষ্ঠের অবস্থান | ৪° <১১-২০> ± ০.২° এর দিকে |
প্রাথমিক ফ্ল্যাট ওরিয়েন্টেশন | <1-100> ± 5° |
প্রাথমিক ফ্ল্যাট দৈর্ঘ্য | ৪৭.৫ মিমি ± ১.৫ মিমি |
প্রতিরোধ ক্ষমতা | ০.০১৫–০.০২৮৫ Ω·সেমি |
মাইক্রোপাইপের ঘনত্ব | <0.5 |
বোরন পিটিং ঘনত্ব (BPD) | <2000 |
থ্রেডিং স্ক্রু স্থানচ্যুতি ঘনত্ব (TSD) | <500 |
পলিটাইপ এলাকা | কোনটিই নয় |
এজ ইন্ডেন্ট | <3, 1 মিমি প্রস্থ এবং গভীরতা |
প্রান্ত ফাটল | ৩, <১ মিমি/ইএ |
কন্ডিশনার | ওয়েফার কেস |
উপসংহার
৬ ইঞ্চির SiC ইনগট – N-টাইপ ডামি/প্রাইম গ্রেড একটি প্রিমিয়াম উপাদান যা সেমিকন্ডাক্টর শিল্পের কঠোর প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে। এর উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, ব্যতিক্রমী প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং কম ত্রুটি ঘনত্ব এটিকে উন্নত পাওয়ার ইলেকট্রনিক ডিভাইস, স্বয়ংচালিত উপাদান, টেলিযোগাযোগ ব্যবস্থা এবং পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি ব্যবস্থা উৎপাদনের জন্য একটি চমৎকার পছন্দ করে তোলে। কাস্টমাইজযোগ্য পুরুত্ব এবং নির্ভুলতা স্পেসিফিকেশন নিশ্চিত করে যে এই SiC ইনগটটি বিভিন্ন ধরণের অ্যাপ্লিকেশনের জন্য তৈরি করা যেতে পারে, যা চাহিদাপূর্ণ পরিবেশে উচ্চ কর্মক্ষমতা এবং নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করে। আরও তথ্যের জন্য বা অর্ডার দেওয়ার জন্য, অনুগ্রহ করে আমাদের বিক্রয় দলের সাথে যোগাযোগ করুন।
বিস্তারিত চিত্র



