সিলিকন 8-ইঞ্চি এবং 6-ইঞ্চি SOI (সিলিকন-অন-ইনসুলেটর) ওয়েফারগুলিতে SOI ওয়েফার ইনসুলেটর

একটি শীর্ষ সিলিকন স্তর, একটি নিরোধক অক্সাইড স্তর এবং একটি নীচের সিলিকন সাবস্ট্রেট সমন্বিত, থ্রি-লেয়ার SOI ওয়েফার মাইক্রোইলেক্ট্রনিক্স এবং RF ডোমেনে অতুলনীয় সুবিধা প্রদান করে৷ উচ্চ-মানের স্ফটিক সিলিকন সমন্বিত শীর্ষ সিলিকন স্তর, নির্ভুলতা এবং দক্ষতার সাথে জটিল ইলেকট্রনিক উপাদানগুলির একীকরণকে সহজতর করে৷ অন্তরক অক্সাইড স্তর, পরজীবী ক্যাপাসিট্যান্স কমানোর জন্য সতর্কতার সাথে ইঞ্জিনিয়ার করা, অবাঞ্ছিত বৈদ্যুতিক হস্তক্ষেপ কমিয়ে ডিভাইসের কার্যকারিতা বাড়ায়। নিচের সিলিকন সাবস্ট্রেট যান্ত্রিক সহায়তা প্রদান করে এবং বিদ্যমান সিলিকন প্রক্রিয়াকরণ প্রযুক্তির সাথে সামঞ্জস্যতা নিশ্চিত করে।

মাইক্রোইলেক্ট্রনিক্সে, SOI ওয়েফার উচ্চতর গতি, শক্তি দক্ষতা এবং নির্ভরযোগ্যতার সাথে উন্নত ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (ICs) তৈরির ভিত্তি হিসাবে কাজ করে। এর থ্রি-লেয়ার আর্কিটেকচার জটিল সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস যেমন CMOS (পরিপূরক মেটাল-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর) ICs, MEMS (মাইক্রো-ইলেক্ট্রো-মেকানিক্যাল সিস্টেম) এবং পাওয়ার ডিভাইসগুলির বিকাশকে সক্ষম করে।

RF ডোমেনে, SOI ওয়েফার RF ডিভাইস এবং সিস্টেমের নকশা এবং বাস্তবায়নে অসাধারণ কর্মক্ষমতা প্রদর্শন করে। এর কম পরজীবী ক্যাপাসিট্যান্স, উচ্চ ব্রেকডাউন ভোল্টেজ এবং চমৎকার বিচ্ছিন্নতা বৈশিষ্ট্য এটিকে আরএফ সুইচ, অ্যামপ্লিফায়ার, ফিল্টার এবং অন্যান্য আরএফ উপাদানগুলির জন্য একটি আদর্শ সাবস্ট্রেট করে তোলে। অতিরিক্তভাবে, SOI ওয়েফারের অন্তর্নিহিত বিকিরণ সহনশীলতা এটিকে মহাকাশ এবং প্রতিরক্ষা অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত করে তোলে যেখানে কঠোর পরিবেশে নির্ভরযোগ্যতা সর্বাধিক।

অধিকন্তু, SOI ওয়েফারের বহুমুখিতা ফোটোনিক ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (PICs) এর মতো উদীয়মান প্রযুক্তিগুলিতে প্রসারিত, যেখানে একটি একক সাবস্ট্রেটে অপটিক্যাল এবং ইলেকট্রনিক উপাদানগুলির একীকরণ পরবর্তী প্রজন্মের টেলিযোগাযোগ এবং ডেটা যোগাযোগ ব্যবস্থার প্রতিশ্রুতি রাখে।

সংক্ষেপে, থ্রি-লেয়ার সিলিকন-অন-ইনসুলেটর (এসওআই) ওয়েফার মাইক্রোইলেক্ট্রনিক্স এবং আরএফ অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে উদ্ভাবনের অগ্রভাগে দাঁড়িয়েছে। এর অনন্য স্থাপত্য এবং ব্যতিক্রমী কর্মক্ষমতা বৈশিষ্ট্য বিভিন্ন শিল্পে অগ্রগতির পথ প্রশস্ত করে, অগ্রগতি চালায় এবং প্রযুক্তির ভবিষ্যত গঠন করে।