সিলিকন ৮-ইঞ্চি এবং ৬-ইঞ্চি SOI (সিলিকন-অন-ইনসুলেটর) ওয়েফারে SOI ওয়েফার ইনসুলেটর

একটি উপরের সিলিকন স্তর, একটি অন্তরক অক্সাইড স্তর এবং একটি নীচের সিলিকন সাবস্ট্রেট সমন্বিত, তিন-স্তরের SOI ওয়েফার মাইক্রোইলেকট্রনিক্স এবং RF ডোমেনে অতুলনীয় সুবিধা প্রদান করে। উচ্চ-মানের স্ফটিক সিলিকন সমন্বিত উপরের সিলিকন স্তরটি নির্ভুলতা এবং দক্ষতার সাথে জটিল ইলেকট্রনিক উপাদানগুলির একীকরণকে সহজতর করে। পরজীবী ক্যাপাসিট্যান্স কমানোর জন্য সাবধানতার সাথে তৈরি করা অন্তরক অক্সাইড স্তরটি অবাঞ্ছিত বৈদ্যুতিক হস্তক্ষেপ হ্রাস করে ডিভাইসের কর্মক্ষমতা বৃদ্ধি করে। নীচের সিলিকন সাবস্ট্রেটটি যান্ত্রিক সহায়তা প্রদান করে এবং বিদ্যমান সিলিকন প্রক্রিয়াকরণ প্রযুক্তির সাথে সামঞ্জস্য নিশ্চিত করে।

মাইক্রোইলেকট্রনিক্সে, SOI ওয়েফার উন্নত গতি, শক্তি দক্ষতা এবং নির্ভরযোগ্যতা সহ উন্নত সমন্বিত সার্কিট (ICs) তৈরির ভিত্তি হিসেবে কাজ করে। এর তিন-স্তরীয় স্থাপত্য CMOS (পরিপূরক ধাতু-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর) ICs, MEMS (মাইক্রো-ইলেকট্রো-মেকানিক্যাল সিস্টেম) এবং পাওয়ার ডিভাইসের মতো জটিল সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলির বিকাশকে সক্ষম করে।

RF ডোমেইনে, SOI ওয়েফার RF ডিভাইস এবং সিস্টেমের নকশা এবং বাস্তবায়নে অসাধারণ কর্মক্ষমতা প্রদর্শন করে। এর কম পরজীবী ক্যাপাসিট্যান্স, উচ্চ ব্রেকডাউন ভোল্টেজ এবং চমৎকার আইসোলেশন বৈশিষ্ট্য এটিকে RF সুইচ, অ্যামপ্লিফায়ার, ফিল্টার এবং অন্যান্য RF উপাদানগুলির জন্য একটি আদর্শ সাবস্ট্রেট করে তোলে। অতিরিক্তভাবে, SOI ওয়েফারের অন্তর্নিহিত বিকিরণ সহনশীলতা এটিকে মহাকাশ এবং প্রতিরক্ষা অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত করে তোলে যেখানে কঠোর পরিবেশে নির্ভরযোগ্যতা সর্বাধিক।

তদুপরি, SOI ওয়েফারের বহুমুখী ব্যবহার ফোটোনিক ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (PICs) এর মতো উদীয়মান প্রযুক্তিতেও বিস্তৃত, যেখানে একটি একক সাবস্ট্রেটে অপটিক্যাল এবং ইলেকট্রনিক উপাদানগুলির একীকরণ পরবর্তী প্রজন্মের টেলিযোগাযোগ এবং ডেটা যোগাযোগ ব্যবস্থার জন্য প্রতিশ্রুতি রাখে।

সংক্ষেপে, তিন-স্তরের সিলিকন-অন-ইনসুলেটর (SOI) ওয়েফার মাইক্রোইলেকট্রনিক্স এবং RF অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে উদ্ভাবনের অগ্রভাগে দাঁড়িয়ে আছে। এর অনন্য স্থাপত্য এবং ব্যতিক্রমী কর্মক্ষমতা বৈশিষ্ট্য বিভিন্ন শিল্পে অগ্রগতির পথ প্রশস্ত করে, অগ্রগতিকে চালিত করে এবং প্রযুক্তির ভবিষ্যত গঠন করে।