সাবস্ট্রেট
-
সিলিকন কার্বাইড SiC ইনগট 6 ইঞ্চি N টাইপ ডামি/প্রাইম গ্রেড বেধ কাস্টমাইজ করা যেতে পারে
-
SiC Ingot 4H-N টাইপ ডামি গ্রেড 2 ইঞ্চি 3 ইঞ্চি 4 ইঞ্চি 6 ইঞ্চি পুরুত্ব: 10 মিমি
-
HPSI SiC ওয়েফার ডায়া: 3 ইঞ্চি পুরুত্ব: পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সের জন্য 350um± 25 µm
-
3 ইঞ্চি উচ্চ বিশুদ্ধতা সেমি-ইনসুলেটিং （HPSI）SiC ওয়েফার 350um ডামি গ্রেড প্রাইম গ্রেড
-
Sic সাবস্ট্রেট সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার 4H-N টাইপ উচ্চ কঠোরতা জারা প্রতিরোধের প্রাইম গ্রেড পলিশিং
-
2 ইঞ্চি 6H-N সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট Sic ওয়েফার ডাবল পালিশ পরিবাহী প্রাইম গ্রেড Mos গ্রেড
-
2 ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার 6H-N টাইপ প্রাইম গ্রেড রিসার্চ গ্রেড ডামি গ্রেড 330μm 430μm পুরুত্ব
-
2 ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট 6H-N ডাবল-পার্শ্বযুক্ত পালিশ ব্যাস 50.8 মিমি উত্পাদন গ্রেড গবেষণা গ্রেড
-
p-টাইপ 4H/6H-P 3C-N টাইপ SIC সাবস্ট্রেট 4ইঞ্চি 〈111〉± 0.5° জিরো MPD
-
SiC সাবস্ট্রেট পি-টাইপ 4H/6H-P 3C-N 4ইঞ্চি 350um প্রোডাকশন গ্রেড ডামি গ্রেডের পুরুত্ব
-
4H/6H-P 6ইঞ্চি SiC ওয়েফার জিরো MPD গ্রেড প্রোডাকশন গ্রেড ডামি গ্রেড
-
P-টাইপ SiC ওয়েফার 4H/6H-P 3C-N 6ইঞ্চি পুরুত্ব 350 μm প্রাথমিক ফ্ল্যাট ওরিয়েন্টেশন সহ