সাবস্ট্রেট
-
SiC সাবস্ট্রেট SiC এপি-ওয়েফার পরিবাহী/আধা টাইপ 4 6 8 ইঞ্চি
-
পাওয়ার ডিভাইসের জন্য SiC এপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফার - 4H-SiC, N-টাইপ, কম ত্রুটি ঘনত্ব
-
4H-N টাইপ SiC এপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফার উচ্চ ভোল্টেজ উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি
-
অপটিক্যাল মডুলেটর ওয়েভগাইড ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটের জন্য ৮ ইঞ্চি LNOI (ইনসুলেটরে LiNbO3) ওয়েফার
-
LNOI ওয়েফার (ইনসুলেটরে লিথিয়াম নিওবেট) টেলিযোগাযোগ সেন্সিং হাই ইলেক্ট্রো-অপটিক
-
৩ ইঞ্চি উচ্চ বিশুদ্ধতা (আনডোপড) সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার সেমি-ইনসুলেটিং সিক সাবস্ট্রেট (HPSl)
-
4H-N 8 ইঞ্চি SiC সাবস্ট্রেট ওয়েফার সিলিকন কার্বাইড ডামি রিসার্চ গ্রেড 500um পুরুত্ব
-
নীলকান্তমণি দিয়া একক স্ফটিক, উচ্চ কঠোরতা morhs 9 স্ক্র্যাচ-প্রতিরোধী কাস্টমাইজযোগ্য
-
প্যাটার্নযুক্ত নীলকান্তমণি সাবস্ট্রেট PSS 2 ইঞ্চি 4 ইঞ্চি 6 ইঞ্চি ICP ড্রাই এচিং LED চিপের জন্য ব্যবহার করা যেতে পারে
-
২ ইঞ্চি ৪ ইঞ্চি ৬ ইঞ্চি প্যাটার্নযুক্ত নীলকান্তমণি সাবস্ট্রেট (PSS) যার উপর GaN উপাদান জন্মানো হয় তা LED আলোর জন্য ব্যবহার করা যেতে পারে
-
4H-N/6H-N SiC ওয়েফার রিসার্চ প্রোডাকশন ডামি গ্রেড Dia150mm সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট
-
Au লেপা ওয়েফার, নীলকান্তমণি ওয়েফার, সিলিকন ওয়েফার, SiC ওয়েফার, 2 ইঞ্চি 4 ইঞ্চি 6 ইঞ্চি, সোনালী লেপা ঘনত্ব 10nm 50nm 100nm