৪ ইঞ্চি নীলকান্তমণি ওয়েফার সি-প্লেন এসএসপি/ডিএসপি ০.৪৩ মিমি ০.৬৫ মিমি
অ্যাপ্লিকেশন
● III-V এবং II-VI যৌগের জন্য বৃদ্ধি স্তর।
● ইলেকট্রনিক্স এবং অপটোইলেকট্রনিক্স।
● IR অ্যাপ্লিকেশন।
● সিলিকন অন স্যাফায়ার ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (SOS)।
● রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (RFIC)।
LED উৎপাদনে, নীলকান্তমণি ওয়েফারগুলি গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN) স্ফটিকের বৃদ্ধির জন্য একটি সাবস্ট্রেট হিসাবে ব্যবহৃত হয়, যা বৈদ্যুতিক প্রবাহ প্রয়োগ করলে আলো নির্গত করে। নীলকান্তমণি GaN বৃদ্ধির জন্য একটি আদর্শ সাবস্ট্রেট উপাদান কারণ এর স্ফটিক গঠন এবং তাপীয় প্রসারণ সহগ GaN এর অনুরূপ, যা ত্রুটিগুলি হ্রাস করে এবং স্ফটিকের গুণমান উন্নত করে।
অপটিক্সে, নীলকান্তমণি ওয়েফারগুলি উচ্চ-চাপ এবং উচ্চ-তাপমাত্রার পরিবেশে জানালা এবং লেন্স হিসাবে ব্যবহৃত হয়, পাশাপাশি ইনফ্রারেড ইমেজিং সিস্টেমেও ব্যবহৃত হয়, কারণ তাদের উচ্চ স্বচ্ছতা এবং কঠোরতা রয়েছে।
স্পেসিফিকেশন
| আইটেম | ৪-ইঞ্চি সি-প্লেন (0001) ৬৫০μm নীলকান্তমণি ওয়েফার | |
| স্ফটিক উপকরণ | ৯৯,৯৯৯%, উচ্চ বিশুদ্ধতা, মনোক্রিস্টালাইন Al2O3 | |
| শ্রেণী | প্রাইম, এপি-রেডি | |
| পৃষ্ঠের অবস্থান | সি-প্লেন (0001) | |
| M-অক্ষের দিকে C-সমতল অফ-অ্যাঙ্গেল 0.2 +/- 0.1° | ||
| ব্যাস | ১০০.০ মিমি +/- ০.১ মিমি | |
| বেধ | ৬৫০ মাইক্রোমিটার +/- ২৫ মাইক্রোমিটার | |
| প্রাথমিক ফ্ল্যাট ওরিয়েন্টেশন | এ-প্লেন (১১-২০) +/- ০.২° | |
| প্রাথমিক ফ্ল্যাট দৈর্ঘ্য | ৩০.০ মিমি +/- ১.০ মিমি | |
| একক পার্শ্ব পালিশ করা | সামনের পৃষ্ঠ | এপি-পলিশড, Ra < 0.2 nm (AFM দ্বারা) |
| (এসএসপি) | পিছনের পৃষ্ঠ | মিহি মাটি, Ra = ০.৮ μm থেকে ১.২ μm |
| ডাবল সাইড পালিশ করা | সামনের পৃষ্ঠ | এপি-পলিশড, Ra < 0.2 nm (AFM দ্বারা) |
| (ডিএসপি) | পিছনের পৃষ্ঠ | এপি-পলিশড, Ra < 0.2 nm (AFM দ্বারা) |
| টিটিভি | < ২০ মাইক্রোমিটার | |
| ধনুক | < ২০ মাইক্রোমিটার | |
| ওয়ার্প | < ২০ মাইক্রোমিটার | |
| পরিষ্কার / প্যাকেজিং | ক্লাস ১০০ ক্লিনরুম পরিষ্কার এবং ভ্যাকুয়াম প্যাকেজিং, | |
| এক ক্যাসেট প্যাকেজিং বা একক পিস প্যাকেজিংয়ে ২৫টি। | ||
প্যাকিং এবং শিপিং
সাধারণভাবে বলতে গেলে, আমরা 25 পিসি ক্যাসেট বক্সের মাধ্যমে প্যাকেজ সরবরাহ করি; আমরা ক্লায়েন্টের প্রয়োজন অনুসারে 100 গ্রেড ক্লিনিং রুমের অধীনে একক ওয়েফার পাত্রেও প্যাক করতে পারি।
বিস্তারিত চিত্র



