৮ ইঞ্চি ২০০ মিমি ৪H-N SiC ওয়েফার পরিবাহী ডামি গবেষণা গ্রেড

এর অনন্য ভৌত এবং ইলেকট্রনিক বৈশিষ্ট্যের কারণে, 200 মিমি SiC ওয়েফার সেমিকন্ডাক্টর উপাদান উচ্চ-কার্যক্ষমতা, উচ্চ-তাপমাত্রা, বিকিরণ-প্রতিরোধী এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ইলেকট্রনিক ডিভাইস তৈরিতে ব্যবহৃত হয়। প্রযুক্তি আরও উন্নত হওয়ার সাথে সাথে চাহিদা বৃদ্ধির সাথে সাথে 8 ইঞ্চি SiC সাবস্ট্রেটের দাম ধীরে ধীরে হ্রাস পাচ্ছে। সাম্প্রতিক প্রযুক্তিগত উন্নয়ন 200 মিমি SiC ওয়েফারের উৎপাদন স্কেল উৎপাদনের দিকে পরিচালিত করে। Si এবং GaAs ওয়েফারের তুলনায় SiC ওয়েফার সেমিকন্ডাক্টর উপকরণগুলির প্রধান সুবিধা: তুষারপাতের সময় 4H-SiC এর বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের শক্তি Si এবং GaAs এর জন্য সংশ্লিষ্ট মানের তুলনায় অনেক বেশি। এর ফলে অন-স্টেট রেজিস্টিভিটি রন উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস পায়। কম অন-স্টেট রেজিস্টিভিটি, উচ্চ কারেন্ট ঘনত্ব এবং তাপ পরিবাহিতা সহ, পাওয়ার ডিভাইসের জন্য খুব ছোট ডাই ব্যবহারের অনুমতি দেয়। SiC এর উচ্চ তাপ পরিবাহিতা চিপের তাপ প্রতিরোধ ক্ষমতা হ্রাস করে। SiC ওয়েফার ভিত্তিক ডিভাইসগুলির ইলেকট্রনিক বৈশিষ্ট্য সময়ের সাথে সাথে খুব স্থিতিশীল এবং তাপমাত্রায় স্থিতিশীল, যা পণ্যগুলির উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করে। সিলিকন কার্বাইড কঠোর বিকিরণের বিরুদ্ধে অত্যন্ত প্রতিরোধী, যা চিপের ইলেকট্রনিক বৈশিষ্ট্যগুলিকে হ্রাস করে না। স্ফটিকের উচ্চ সীমিত অপারেটিং তাপমাত্রা (6000C এর বেশি) আপনাকে কঠোর অপারেটিং পরিস্থিতি এবং বিশেষ অ্যাপ্লিকেশনের জন্য অত্যন্ত নির্ভরযোগ্য ডিভাইস তৈরি করতে দেয়। বর্তমানে, আমরা ছোট ব্যাচের 200mmSiC ওয়েফারগুলি স্থিরভাবে এবং অবিচ্ছিন্নভাবে সরবরাহ করতে পারি এবং গুদামে কিছু স্টক রয়েছে।