সিআইসি
-
4H-N HPSI SiC ওয়েফার 6H-N 6H-P 3C-N SiC এপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফার MOS বা SBD এর জন্য
-
পাওয়ার ডিভাইসের জন্য SiC এপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফার - 4H-SiC, N-টাইপ, কম ত্রুটি ঘনত্ব
-
4H-N টাইপ SiC এপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফার উচ্চ ভোল্টেজ উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি
-
৩ ইঞ্চি উচ্চ বিশুদ্ধতা (আনডোপড) সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার সেমি-ইনসুলেটিং সিক সাবস্ট্রেট (HPSl)
-
4H-N 8 ইঞ্চি SiC সাবস্ট্রেট ওয়েফার সিলিকন কার্বাইড ডামি রিসার্চ গ্রেড 500um পুরুত্ব
-
4H-N/6H-N SiC ওয়েফার রিসার্চ প্রোডাকশন ডামি গ্রেড Dia150mm সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট
-
Au লেপা ওয়েফার, নীলকান্তমণি ওয়েফার, সিলিকন ওয়েফার, SiC ওয়েফার, 2 ইঞ্চি 4 ইঞ্চি 6 ইঞ্চি, সোনালী লেপা ঘনত্ব 10nm 50nm 100nm
-
SiC ওয়েফার 4H-N 6H-N HPSI 4H-সেমি 6H-সেমি 4H-P 6H-P 3C টাইপ 2ইঞ্চি 3ইঞ্চি 4ইঞ্চি 6ইঞ্চি 8ইঞ্চি
-
২ ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট ৬এইচ-এন টাইপ ০.৩৩ মিমি ০.৪৩ মিমি দ্বি-পার্শ্বযুক্ত পলিশিং উচ্চ তাপ পরিবাহিতা কম বিদ্যুৎ খরচ
-
SiC সাবস্ট্রেট 3 ইঞ্চি 350um পুরুত্ব HPSI টাইপ প্রাইম গ্রেড ডামি গ্রেড
-
সিলিকন কার্বাইড SiC ইনগট 6 ইঞ্চি N টাইপ ডামি/প্রাইম গ্রেড পুরুত্ব কাস্টমাইজ করা যেতে পারে
-
সিলিকন কার্বাইড 4H-SiC সেমি-ইনসুলেটিং ইনগট, ডামি গ্রেডে 6