4 ইঞ্চি আধা-অপমানকারী SiC ওয়েফার HPSI SIC সাবস্ট্রেট প্রাইম প্রোডাকশন গ্রেড

ছোট বিবরণ:

4-ইঞ্চি উচ্চ-বিশুদ্ধতা আধা-অন্তরক সিলিকন কার্বাইড ডাবল-পার্শ্বযুক্ত পলিশিং প্লেটটি মূলত 5G যোগাযোগ এবং অন্যান্য ক্ষেত্রে ব্যবহৃত হয়, রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি পরিসীমা উন্নত করার সুবিধার সাথে, অতি-দীর্ঘ দূরত্বের স্বীকৃতি, অ্যান্টি-হস্তক্ষেপ, উচ্চ-গতি , বৃহৎ-ক্ষমতা তথ্য ট্রান্সমিশন এবং অন্যান্য অ্যাপ্লিকেশন, এবং মাইক্রোওয়েভ পাওয়ার ডিভাইস তৈরির জন্য আদর্শ সাবস্ট্রেট হিসাবে বিবেচিত হয়।

আমাদের ইমেইল পাঠান

পণ্য বিবরণী

পণ্য ট্যাগ

পণ্যের বিবরণ

সিলিকন কার্বাইড (SiC) একটি যৌগিক অর্ধপরিবাহী উপাদান যা কার্বন এবং সিলিকন উপাদানগুলির সমন্বয়ে গঠিত এবং উচ্চ-তাপমাত্রা, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি, উচ্চ-শক্তি এবং উচ্চ-ভোল্টেজ ডিভাইস তৈরির জন্য আদর্শ উপকরণগুলির মধ্যে একটি।প্রথাগত সিলিকন উপাদানের (Si) সাথে তুলনা করে, সিলিকন কার্বাইডের নিষিদ্ধ ব্যান্ড প্রস্থ সিলিকনের চেয়ে তিনগুণ;তাপ পরিবাহিতা সিলিকনের চেয়ে 4-5 গুণ;ব্রেকডাউন ভোল্টেজ সিলিকনের 8-10 গুণ;এবং ইলেক্ট্রন স্যাচুরেশন ড্রিফ্ট রেট সিলিকনের 2-3 গুণ, যা উচ্চ-শক্তি, উচ্চ-ভোল্টেজ এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সির জন্য আধুনিক শিল্পের চাহিদা পূরণ করে এবং এটি প্রধানত উচ্চ-গতি, উচ্চ- ফ্রিকোয়েন্সি, উচ্চ-শক্তি এবং আলো-নিঃসরণকারী ইলেকট্রনিক উপাদান, এবং এর নিচের দিকের প্রয়োগের ক্ষেত্রগুলির মধ্যে রয়েছে স্মার্ট গ্রিড, নতুন শক্তির যান, ফোটোভোলটাইক বায়ু শক্তি, 5G যোগাযোগ ইত্যাদি। পাওয়ার ডিভাইসের ক্ষেত্রে, সিলিকন কার্বাইড ডায়োড এবং MOSFET হতে শুরু করেছে। বাণিজ্যিকভাবে প্রয়োগ করা হয়।

SiC ওয়েফার/SiC সাবস্ট্রেটের সুবিধা

উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধের.সিলিকন কার্বাইডের নিষিদ্ধ ব্যান্ড প্রস্থ সিলিকনের 2-3 গুণ, তাই ইলেকট্রনগুলি উচ্চ তাপমাত্রায় লাফানোর সম্ভাবনা কম এবং উচ্চতর অপারেটিং তাপমাত্রা সহ্য করতে পারে এবং সিলিকন কার্বাইডের তাপ পরিবাহিতা সিলিকনের চেয়ে 4-5 গুণ বেশি। এটি ডিভাইস থেকে তাপ অপসারণ করা সহজ এবং একটি উচ্চ সীমিত অপারেটিং তাপমাত্রার জন্য অনুমতি দেয়।উচ্চ-তাপমাত্রার বৈশিষ্ট্যগুলি উল্লেখযোগ্যভাবে শক্তির ঘনত্ব বৃদ্ধি করতে পারে, যখন তাপ অপচয় সিস্টেমের প্রয়োজনীয়তা হ্রাস করে, টার্মিনালটিকে আরও হালকা এবং ক্ষুদ্রাকার করে তোলে।

উচ্চ ভোল্টেজ প্রতিরোধের.সিলিকন কার্বাইডের ব্রেকডাউন ফিল্ড শক্তি সিলিকনের চেয়ে 10 গুণ বেশি, এটি উচ্চ ভোল্টেজ সহ্য করতে সক্ষম করে, এটি উচ্চ-ভোল্টেজ ডিভাইসের জন্য আরও উপযুক্ত করে তোলে।

উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি প্রতিরোধের.সিলিকন কার্বাইডে সিলিকনের স্যাচুরেশন ইলেক্ট্রন ড্রিফ্ট রেট দুইগুণ রয়েছে, যার ফলে শাটডাউন প্রক্রিয়ায় এর ডিভাইসগুলি বর্তমান ড্র্যাগ প্রপঞ্চে বিদ্যমান নেই, ডিভাইস সুইচিং ফ্রিকোয়েন্সি কার্যকরভাবে উন্নত করতে পারে, ডিভাইস ক্ষুদ্রকরণ অর্জন করতে।

কম শক্তি ক্ষতি।সিলিকন কার্বাইডের সিলিকন উপকরণের তুলনায় খুব কম অন-প্রতিরোধ রয়েছে, কম পরিবাহী ক্ষতি;একই সময়ে, সিলিকন কার্বাইডের উচ্চ ব্যান্ডউইথ উল্লেখযোগ্যভাবে ফুটো কারেন্ট, পাওয়ার লস হ্রাস করে;উপরন্তু, শাটডাউন প্রক্রিয়ায় সিলিকন কার্বাইড ডিভাইস বর্তমান ড্র্যাগ ঘটনা, কম সুইচিং ক্ষতি বিদ্যমান নেই.