50.8mm/100mm AlN টেমপ্লেট NPSS/FSS AlN টেমপ্লেটে স্যাফায়ারে

সংক্ষিপ্ত বর্ণনা:

আলএন-অন-স্যাফায়ার বলতে এমন পদার্থের সংমিশ্রণকে বোঝায় যেখানে অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড ফিল্মগুলি স্যাফায়ার সাবস্ট্রেটে জন্মায়। এই কাঠামোতে, উচ্চ মানের অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড ফিল্ম রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) বা অর্গানমেট্রিকাল রাসায়নিক বাষ্প জমা (MOCVD) দ্বারা উত্থিত হতে পারে, যা অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড ফিল্ম এবং নীলকান্তমণি সাবস্ট্রেটের একটি ভাল সমন্বয় তৈরি করে। এই কাঠামোর সুবিধাগুলি হল যে অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইডের উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, উচ্চ রাসায়নিক স্থিতিশীলতা এবং চমৎকার অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য রয়েছে, যখন নীলকান্তমণি সাবস্ট্রেটের চমৎকার যান্ত্রিক এবং তাপীয় বৈশিষ্ট্য এবং স্বচ্ছতা রয়েছে।


পণ্য বিস্তারিত

পণ্য ট্যাগ

আলএন-অন-স্যাফায়ার

আলএন-অন-স্যাফায়ার বিভিন্ন ধরনের ফটোইলেকট্রিক ডিভাইস তৈরি করতে ব্যবহার করা যেতে পারে, যেমন:
1. LED চিপস: LED চিপগুলি সাধারণত অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড ফিল্ম এবং অন্যান্য উপকরণ দিয়ে তৈরি হয়। এলইডি চিপগুলির সাবস্ট্রেট হিসাবে AlN-অন-স্যাফায়ার ওয়েফারগুলি ব্যবহার করে LED-এর দক্ষতা এবং স্থায়িত্ব উন্নত করা যেতে পারে।
2. লেজার: AlN-অন-স্যাফায়ার ওয়েফারগুলি লেজারগুলির জন্য সাবস্ট্রেট হিসাবেও ব্যবহার করা যেতে পারে, যা সাধারণত চিকিৎসা, যোগাযোগ এবং উপকরণ প্রক্রিয়াকরণে ব্যবহৃত হয়।
3. সৌর কোষ: সৌর কোষ তৈরির জন্য অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইডের মতো উপকরণ ব্যবহার করা প্রয়োজন। একটি সাবস্ট্রেট হিসাবে আলএন-অন-স্যাফায়ার সৌর কোষের কার্যক্ষমতা এবং জীবনকে উন্নত করতে পারে।
4. অন্যান্য অপটোইলেক্ট্রনিক ডিভাইস: AlN-অন-স্যাফায়ার ওয়েফারগুলি ফটোডিটেক্টর, অপটোইলেক্ট্রনিক ডিভাইস এবং অন্যান্য অপটোইলেক্ট্রনিক ডিভাইস তৈরি করতেও ব্যবহার করা যেতে পারে।

উপসংহারে, উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, উচ্চ রাসায়নিক স্থিতিশীলতা, কম ক্ষতি এবং চমৎকার অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্যের কারণে AlN-অন-স্যাফায়ার ওয়েফারগুলি অপটো-ইলেক্ট্রিক্যাল ক্ষেত্রে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।

NPSS/FSS-এ 50.8mm/100mm AlN টেমপ্লেট

আইটেম মন্তব্য
বর্ণনা AlN-on-NPSS টেমপ্লেট AlN-on-FSS টেমপ্লেট
ওয়েফার ব্যাস 50.8 মিমি, 100 মিমি
সাবস্ট্রেট সি-প্লেন এনপিএসএস সি-প্লেন প্ল্যানার স্যাফায়ার (FSS)
সাবস্ট্রেট পুরুত্ব 50.8mm, 100mmc-প্লেন প্ল্যানার স্যাফায়ার (FSS)100mm : 650 um
AIN এপি-লেয়ারের পুরুত্ব 3~4 um (লক্ষ্য: 3.3um)
পরিবাহিতা অন্তরক

সারফেস

যেমন বড় হয়েছে
RMS<1nm RMS<2nm
ব্যাকসাইড গ্রাইন্ডেড
FWHM(002)XRC < 150 আর্কসেক < 150 আর্কসেক
FWHM(102)XRC <300 আর্সেক <300 আর্সেক
এজ এক্সক্লুশন < 2 মিমি <3 মিমি
প্রাথমিক সমতল অভিযোজন একটি-বিমান+0.1°
প্রাথমিক সমতল দৈর্ঘ্য 50.8 মিমি: 16+/-1 মিমি 100 মিমি: 30+/-1 মিমি
প্যাকেজ শিপিং বক্স বা একক ওয়েফার পাত্রে প্যাকেজ করা

বিস্তারিত চিত্র

Sapphire3 এ FSS AlN টেমপ্লেট
Sapphire4-এ FSS AlN টেমপ্লেট

  • পূর্ববর্তী:
  • পরবর্তী:

  • এখানে আপনার বার্তা লিখুন এবং আমাদের পাঠান