নীলকান্তমণির উপর NPSS/FSS AlN টেমপ্লেটের উপর ৫০.৮ মিমি/১০০ মিমি AlN টেমপ্লেট

ছোট বিবরণ:

AlN-On-Sapphire বলতে এমন কিছু উপাদানের সংমিশ্রণকে বোঝায় যেখানে অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড ফিল্মগুলি নীলকান্তমণি স্তরগুলিতে জন্মানো হয়। এই কাঠামোতে, উচ্চমানের অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড ফিল্ম রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) বা অর্গানোমেট্রিকাল রাসায়নিক বাষ্প জমা (MOCVD) দ্বারা জন্মানো যেতে পারে, যা অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড ফিল্ম এবং নীলকান্তমণি স্তরের একটি ভাল সংমিশ্রণ তৈরি করে। এই কাঠামোর সুবিধা হল অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইডের উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, উচ্চ রাসায়নিক স্থিতিশীলতা এবং চমৎকার অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য রয়েছে, অন্যদিকে নীলকান্তমণি স্তরটিতে চমৎকার যান্ত্রিক এবং তাপীয় বৈশিষ্ট্য এবং স্বচ্ছতা রয়েছে।


পণ্য বিবরণী

পণ্য ট্যাগ

AlN-অন-স্যাফায়ার

AlN-On-Sapphire বিভিন্ন ধরণের আলোক-বৈদ্যুতিক যন্ত্র তৈরিতে ব্যবহার করা যেতে পারে, যেমন:
১. LED চিপস: LED চিপগুলি সাধারণত অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড ফিল্ম এবং অন্যান্য উপকরণ দিয়ে তৈরি হয়। LED চিপের সাবস্ট্রেট হিসেবে AlN-On-Sapphire ওয়েফার ব্যবহার করে LED এর দক্ষতা এবং স্থায়িত্ব উন্নত করা যেতে পারে।
২. লেজার: AlN-অন-স্যাফায়ার ওয়েফারগুলি লেজারের সাবস্ট্রেট হিসেবেও ব্যবহার করা যেতে পারে, যা সাধারণত চিকিৎসা, যোগাযোগ এবং উপকরণ প্রক্রিয়াকরণে ব্যবহৃত হয়।
৩. সৌর কোষ: সৌর কোষ তৈরিতে অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইডের মতো উপকরণ ব্যবহার করা হয়। সাবস্ট্রেট হিসেবে AlN-অন-স্যাফায়ার সৌর কোষের দক্ষতা এবং আয়ু উন্নত করতে পারে।
৪. অন্যান্য অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইস: AlN-অন-স্যাফায়ার ওয়েফারগুলি ফটোডিটেক্টর, অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইস এবং অন্যান্য অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইস তৈরিতেও ব্যবহার করা যেতে পারে।

উপসংহারে, উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, উচ্চ রাসায়নিক স্থিতিশীলতা, কম ক্ষতি এবং চমৎকার অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্যের কারণে AlN-অন-স্যাফায়ার ওয়েফারগুলি অপটো-বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।

NPSS/FSS-এ ৫০.৮ মিমি/১০০ মিমি AlN টেমপ্লেট

আইটেম মন্তব্য
বিবরণ AlN-on-NPSS টেমপ্লেট AlN-on-FSS টেমপ্লেট
ওয়েফার ব্যাস ৫০.৮ মিমি, ১০০ মিমি
সাবস্ট্রেট সি-প্লেন এনপিএসএস সি-প্লেন প্ল্যানার স্যাফায়ার (FSS)
সাবস্ট্রেট পুরুত্ব ৫০.৮ মিমি, ১০০ মিমি সি-প্লেন প্ল্যানার নীলকান্তমণি (FSS) ১০০ মিমি: ৬৫০ উম
AIN এপি-স্তরের পুরুত্ব ৩~৪ উম (লক্ষ্য: ৩.৩ উম)
পরিবাহিতা অন্তরক

পৃষ্ঠতল

বড় হওয়ার সাথে সাথে
আরএমএস <১nm আরএমএস <২nm
পিছনের দিক পিষে ফেলা
FWHM(002)XRC সম্পর্কে < ১৫০ আর্কসেকেন্ড < ১৫০ আর্কসেকেন্ড
FWHM(102)XRC সম্পর্কে < 300 আর্কসেক < 300 আর্কসেক
এজ এক্সক্লুশন < 2 মিমি < 3 মিমি
প্রাথমিক সমতল অভিযোজন a-plane+0.1°
প্রাথমিক সমতল দৈর্ঘ্য ৫০.৮ মিমি: ১৬+/-১ মিমি ১০০ মিমি: ৩০+/-১ মিমি
প্যাকেজ শিপিং বাক্সে অথবা একক ওয়েফার পাত্রে প্যাকেজ করা

বিস্তারিত চিত্র

sapphire3-তে FSS AlN টেমপ্লেট
নীলকান্তমণি৪-এ FSS AlN টেমপ্লেট

  • আগে:
  • পরবর্তী:

  • আপনার বার্তা এখানে লিখুন এবং আমাদের কাছে পাঠান।