8 ইঞ্চি লিথিয়াম নিওবেট ওয়েফার LiNbO3 LN ওয়েফার
বিস্তারিত তথ্য
| ব্যাস | 200±0.2 মিমি |
| প্রধান সমতলতা | 57.5 মিমি, খাঁজ |
| ওরিয়েন্টেশন | 128Y-কাট, X-কাট, Z-কাট |
| পুরুত্ব | 0.5±0.025mm, 1.0±0.025mm |
| পৃষ্ঠতল | ডিএসপি ও এসএসপি |
| টিটিভি | < 5µm |
| ধনুক | ± (20µm ~40um ) |
| ওয়ার্প | <= 20µm ~ 50µm |
| LTV (5mmx5mm) | <1.5 um |
| PLTV(<0.5um) | ≥98% (5mm*5mm) সঙ্গে 2mm প্রান্ত বাদ |
| Ra | রা<=5A |
| স্ক্র্যাচ এবং ডিগ (S/D) | 20/10, 40/20, 60/40 |
| প্রান্ত | SEMI M1.2@GC800# এর সাথে দেখা করুন।সি টাইপ এ নিয়মিত |
নির্দিষ্ট স্পেসিফিকেশন
ব্যাস: 8 ইঞ্চি (প্রায় 200 মিমি)
বেধ: সাধারণ স্ট্যান্ডার্ড বেধ 0.5 মিমি থেকে 1 মিমি পর্যন্ত।অন্যান্য বেধ নির্দিষ্ট প্রয়োজনীয়তা অনুযায়ী কাস্টমাইজ করা যেতে পারে
স্ফটিক অভিযোজন: প্রধান সাধারণ স্ফটিক অভিযোজন হল 128Y-কাট, জেড-কাট এবং এক্স-কাট স্ফটিক অভিযোজন, এবং নির্দিষ্ট প্রয়োগের উপর নির্ভর করে অন্যান্য স্ফটিক অভিযোজন প্রদান করা যেতে পারে
আকারের সুবিধা: 8-ইঞ্চি সেরাটা কার্প ওয়েফারের ছোট ওয়েফারের তুলনায় বেশ কয়েকটি আকারের সুবিধা রয়েছে:
বৃহত্তর এলাকা: 6-ইঞ্চি বা 4-ইঞ্চি ওয়েফারের তুলনায়, 8-ইঞ্চি ওয়েফারগুলি একটি বৃহত্তর পৃষ্ঠের এলাকা প্রদান করে এবং আরও ডিভাইস এবং সমন্বিত সার্কিটগুলিকে মিটমাট করতে পারে, যার ফলে উত্পাদন দক্ষতা এবং ফলন বৃদ্ধি পায়।
উচ্চ ঘনত্ব: 8-ইঞ্চি ওয়েফার ব্যবহার করে, একই এলাকায় আরও ডিভাইস এবং উপাদান উপলব্ধি করা যেতে পারে, একীকরণ এবং ডিভাইসের ঘনত্ব বৃদ্ধি করে, যা ডিভাইসের কার্যকারিতা বাড়ায়।
ভাল সামঞ্জস্যতা: বড় ওয়েফারগুলির উত্পাদন প্রক্রিয়াতে আরও ভাল সামঞ্জস্য রয়েছে, যা উত্পাদন প্রক্রিয়ার পরিবর্তনশীলতা হ্রাস করতে এবং পণ্যের নির্ভরযোগ্যতা এবং ধারাবাহিকতা উন্নত করতে সহায়তা করে।
8-ইঞ্চি L এবং LN ওয়েফারগুলির ব্যাস মূলধারার সিলিকন ওয়েফারগুলির সমান এবং বন্ধন করা সহজ।একটি উচ্চ কার্যকারিতা হিসাবে "জয়েন্টেড SAW ফিল্টার" উপাদান যা উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি ব্যান্ডগুলি পরিচালনা করতে পারে।
বিস্তারিত চিত্র
