AI/AR চশমার জন্য HPSI SiC ওয়েফার ≥90% ট্রান্সমিট্যান্স অপটিক্যাল গ্রেড
মূল ভূমিকা: AI/AR চশমায় HPSI SiC ওয়েফারের ভূমিকা
HPSI (হাই-পিউরিটি সেমি-ইনসুলেটিং) সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার হল বিশেষায়িত ওয়েফার যা উচ্চ প্রতিরোধ ক্ষমতা (>10⁹ Ω·সেমি) এবং অত্যন্ত কম ত্রুটি ঘনত্ব দ্বারা চিহ্নিত করা হয়। AI/AR চশমাগুলিতে, এগুলি প্রাথমিকভাবে ডিফ্র্যাক্টিভ অপটিক্যাল ওয়েভগাইড লেন্সের জন্য মূল সাবস্ট্রেট উপাদান হিসেবে কাজ করে, পাতলা এবং হালকা ফর্ম ফ্যাক্টর, তাপ অপচয় এবং অপটিক্যাল কর্মক্ষমতার ক্ষেত্রে ঐতিহ্যবাহী অপটিক্যাল উপকরণের সাথে সম্পর্কিত বাধাগুলিকে মোকাবেলা করে। উদাহরণস্বরূপ, SiC ওয়েভগাইড লেন্স ব্যবহার করে AR চশমাগুলি 70°–80° এর একটি অতি-প্রশস্ত ক্ষেত্র (FOV) অর্জন করতে পারে, একই সাথে একটি একক লেন্স স্তরের পুরুত্ব মাত্র 0.55 মিমি এবং ওজন মাত্র 2.7 গ্রাম হ্রাস করে, যা পরিধানের আরাম এবং ভিজ্যুয়াল নিমজ্জনকে উল্লেখযোগ্যভাবে উন্নত করে।
মূল বৈশিষ্ট্য: SiC উপাদান কীভাবে AI/AR চশমার নকশাকে শক্তিশালী করে
উচ্চ প্রতিসরাঙ্ক এবং অপটিক্যাল পারফরম্যান্স অপ্টিমাইজেশন
- SiC এর প্রতিসরাঙ্ক (2.6–2.7) ঐতিহ্যবাহী কাচের (1.8–2.0) তুলনায় প্রায় 50% বেশি। এটি পাতলা এবং আরও দক্ষ তরঙ্গগাইড কাঠামো তৈরি করতে সাহায্য করে, যা FOV উল্লেখযোগ্যভাবে প্রসারিত করে। উচ্চ প্রতিসরাঙ্ক ডিফ্র্যাক্টিভ তরঙ্গগাইডগুলিতে সাধারণ "রামধনু প্রভাব" দমন করতেও সাহায্য করে, যা চিত্রের বিশুদ্ধতা উন্নত করে।
ব্যতিক্রমী তাপ ব্যবস্থাপনা ক্ষমতা
- ৪৯০ ওয়াট/মিটার·কে (তামার কাছাকাছি) তাপ পরিবাহিতা সহ, SiC মাইক্রো-এলইডি ডিসপ্লে মডিউল দ্বারা উৎপন্ন তাপ দ্রুত অপচয় করতে পারে। এটি উচ্চ তাপমাত্রার কারণে কর্মক্ষমতা হ্রাস বা ডিভাইসের বার্ধক্য রোধ করে, দীর্ঘ ব্যাটারি লাইফ এবং উচ্চ স্থায়িত্ব নিশ্চিত করে।
যান্ত্রিক শক্তি এবং স্থায়িত্ব
- SiC-এর Mohs কঠোরতা 9.5 (হীরার পরেই দ্বিতীয়), যা ব্যতিক্রমী স্ক্র্যাচ প্রতিরোধ ক্ষমতা প্রদান করে, যা এটিকে ঘন ঘন ব্যবহৃত গ্রাহক চশমার জন্য আদর্শ করে তোলে। এর পৃষ্ঠের রুক্ষতা Ra < 0.5 nm-এ নিয়ন্ত্রণ করা যেতে পারে, যা তরঙ্গ নির্দেশিকাগুলিতে কম ক্ষতি এবং অত্যন্ত অভিন্ন আলো সংক্রমণ নিশ্চিত করে।
বৈদ্যুতিক সম্পত্তির সামঞ্জস্য
- HPSI SiC এর প্রতিরোধ ক্ষমতা (>10⁹ Ω·cm) সিগন্যাল হস্তক্ষেপ প্রতিরোধ করতে সাহায্য করে। এটি একটি দক্ষ পাওয়ার ডিভাইস উপাদান হিসেবেও কাজ করতে পারে, AR গ্লাসে পাওয়ার ম্যানেজমেন্ট মডিউলগুলিকে অপ্টিমাইজ করে।
প্রাথমিক আবেদনের নির্দেশাবলী
এআই/এআর গ্লাসের জন্য মূল অপটিক্যাল উপাদানগুলি
- ডিফ্র্যাক্টিভ ওয়েভগাইড লেন্স: SiC সাবস্ট্রেটগুলি অতি-পাতলা অপটিক্যাল ওয়েভগাইড তৈরি করতে ব্যবহৃত হয় যা বৃহৎ FOV সমর্থন করে এবং রংধনু প্রভাব দূর করে।
- জানালার প্লেট এবং প্রিজম: কাস্টমাইজড কাটিং এবং পলিশিংয়ের মাধ্যমে, SiC কে AR চশমার জন্য প্রতিরক্ষামূলক জানালা বা অপটিক্যাল প্রিজমে প্রক্রিয়াজাত করা যেতে পারে, যা আলোর ট্রান্সমিট্যান্স এবং পরিধান প্রতিরোধ ক্ষমতা বৃদ্ধি করে।
অন্যান্য ক্ষেত্রে বর্ধিত অ্যাপ্লিকেশন
- পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স: নতুন শক্তি যানবাহন ইনভার্টার এবং শিল্প মোটর নিয়ন্ত্রণের মতো উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি, উচ্চ-শক্তির পরিস্থিতিতে ব্যবহৃত হয়।
- কোয়ান্টাম অপটিক্স: রঙ কেন্দ্রের জন্য হোস্ট হিসেবে কাজ করে, কোয়ান্টাম যোগাযোগ এবং সেন্সিং ডিভাইসের সাবস্ট্রেটে ব্যবহৃত হয়।
৪ ইঞ্চি এবং ৬ ইঞ্চি HPSI SiC সাবস্ট্রেট স্পেসিফিকেশন তুলনা
| প্যারামিটার | শ্রেণী | ৪-ইঞ্চি সাবস্ট্রেট | ৬-ইঞ্চি সাবস্ট্রেট |
| ব্যাস | জেড গ্রেড / ডি গ্রেড | ৯৯.৫ মিমি - ১০০.০ মিমি | ১৪৯.৫ মিমি - ১৫০.০ মিমি |
| পলি-টাইপ | জেড গ্রেড / ডি গ্রেড | 4H | 4H |
| পুরুত্ব। | জেড গ্রেড | ৫০০ মাইক্রোমিটার ± ১৫ মাইক্রোমিটার | ৫০০ মাইক্রোমিটার ± ১৫ মাইক্রোমিটার |
| ডি গ্রেড | ৫০০ মাইক্রোমিটার ± ২৫ মাইক্রোমিটার | ৫০০ মাইক্রোমিটার ± ২৫ মাইক্রোমিটার | |
| ওয়েফার ওরিয়েন্টেশন | জেড গ্রেড / ডি গ্রেড | অক্ষের উপর: <0001> ± 0.5° | অক্ষের উপর: <0001> ± 0.5° |
| মাইক্রোপাইপের ঘনত্ব | জেড গ্রেড | ≤ ১ সেমি² | ≤ ১ সেমি² |
| ডি গ্রেড | ≤ ১৫ সেমি² | ≤ ১৫ সেমি² | |
| প্রতিরোধ ক্ষমতা | জেড গ্রেড | ≥ 1E10 Ω·সেমি | ≥ 1E10 Ω·সেমি |
| ডি গ্রেড | ≥ 1E5 Ω·সেমি | ≥ 1E5 Ω·সেমি | |
| প্রাথমিক ফ্ল্যাট ওরিয়েন্টেশন | জেড গ্রেড / ডি গ্রেড | (১০-১০) ± ৫.০° | (১০-১০) ± ৫.০° |
| প্রাথমিক সমতল দৈর্ঘ্য | জেড গ্রেড / ডি গ্রেড | ৩২.৫ মিমি ± ২.০ মিমি | খাঁজ |
| সেকেন্ডারি ফ্ল্যাট দৈর্ঘ্য | জেড গ্রেড / ডি গ্রেড | ১৮.০ মিমি ± ২.০ মিমি | - |
| প্রান্ত বর্জন | জেড গ্রেড / ডি গ্রেড | ৩ মিমি | ৩ মিমি |
| এলটিভি / টিটিভি / বো / ওয়ার্প | জেড গ্রেড | ≤ 2.5 μm / ≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 30 μm | ≤ 2.5 μm / ≤ 6 μm / ≤ 25 μm / ≤ 35 μm |
| ডি গ্রেড | ≤ 10 μm / ≤ 15 μm / ≤ 25 μm / ≤ 40 μm | ≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 40 μm / ≤ 80 μm | |
| রুক্ষতা | জেড গ্রেড | পোলিশ রা ≤ 1 এনএম / সিএমপি রা ≤ 0.2 এনএম | পোলিশ রা ≤ 1 এনএম / সিএমপি রা ≤ 0.2 এনএম |
| ডি গ্রেড | পোলিশ রা ≤ 1 এনএম / সিএমপি রা ≤ 0.2 এনএম | পোলিশ রা ≤ 1 এনএম / সিএমপি রা ≤ 0.5 এনএম | |
| প্রান্তের ফাটল | ডি গ্রেড | ক্রমবর্ধমান ক্ষেত্রফল ≤ ০.১% | ক্রমবর্ধমান দৈর্ঘ্য ≤ 20 মিমি, একক ≤ 2 মিমি |
| পলিটাইপ এলাকা | ডি গ্রেড | ক্রমবর্ধমান ক্ষেত্রফল ≤ ০.৩% | ক্রমবর্ধমান ক্ষেত্রফল ≤ 3% |
| ভিজ্যুয়াল কার্বন অন্তর্ভুক্তি | জেড গ্রেড | ক্রমবর্ধমান ক্ষেত্রফল ≤ ০.০৫% | ক্রমবর্ধমান ক্ষেত্রফল ≤ ০.০৫% |
| ডি গ্রেড | ক্রমবর্ধমান ক্ষেত্রফল ≤ ০.৩% | ক্রমবর্ধমান ক্ষেত্রফল ≤ 3% | |
| সিলিকন পৃষ্ঠের স্ক্র্যাচ | ডি গ্রেড | ৫টি অনুমোদিত, প্রতিটি ≤১ মিমি | ক্রমবর্ধমান দৈর্ঘ্য ≤ 1 x ব্যাস |
| এজ চিপস | জেড গ্রেড | কোনওটিই অনুমোদিত নয় (প্রস্থ এবং গভীরতা ≥0.2 মিমি) | কোনওটিই অনুমোদিত নয় (প্রস্থ এবং গভীরতা ≥0.2 মিমি) |
| ডি গ্রেড | ৭টি অনুমোদিত, প্রতিটি ≤১ মিমি | ৭টি অনুমোদিত, প্রতিটি ≤১ মিমি | |
| থ্রেডিং স্ক্রু স্থানচ্যুতি | জেড গ্রেড | - | ≤ ৫০০ সেমি² |
| প্যাকেজিং | জেড গ্রেড / ডি গ্রেড | মাল্টি-ওয়েফার ক্যাসেট বা একক ওয়েফার ধারক | মাল্টি-ওয়েফার ক্যাসেট বা একক ওয়েফার ধারক |
XKH পরিষেবা: সমন্বিত উৎপাদন এবং কাস্টমাইজেশন ক্ষমতা
XKH কোম্পানির কাঁচামাল থেকে শুরু করে ফিনিশড ওয়েফার পর্যন্ত উল্লম্ব ইন্টিগ্রেশন ক্ষমতা রয়েছে, যা SiC সাবস্ট্রেট বৃদ্ধি, স্লাইসিং, পলিশিং এবং কাস্টম প্রক্রিয়াকরণের সম্পূর্ণ শৃঙ্খলকে কভার করে। মূল পরিষেবা সুবিধার মধ্যে রয়েছে:
- উপাদান বৈচিত্র্য:আমরা বিভিন্ন ধরণের ওয়েফার সরবরাহ করতে পারি যেমন 4H-N টাইপ, 4H-HPSI টাইপ, 4H/6H-P টাইপ, এবং 3C-N টাইপ। প্রতিরোধ ক্ষমতা, বেধ এবং ওরিয়েন্টেশন প্রয়োজনীয়তা অনুসারে সামঞ্জস্য করা যেতে পারে।
- নমনীয় আকার কাস্টমাইজেশন:আমরা ২-ইঞ্চি থেকে ১২-ইঞ্চি ব্যাসের ওয়েফার প্রক্রিয়াকরণ সমর্থন করি এবং বর্গাকার টুকরো (যেমন, ৫x৫ মিমি, ১০x১০ মিমি) এবং অনিয়মিত প্রিজমের মতো বিশেষ কাঠামোও প্রক্রিয়াজাত করতে পারি।
- অপটিক্যাল-গ্রেড প্রিসিশন কন্ট্রোল:ওয়েফার টোটাল থিকনেস ভ্যারিয়েশন (TTV) <1μm এবং পৃষ্ঠের রুক্ষতা Ra < 0.3 nm বজায় রাখা যেতে পারে, যা ওয়েভগাইড ডিভাইসের জন্য ন্যানো-স্তরের সমতলতার প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে।
- দ্রুত বাজার প্রতিক্রিয়া:সমন্বিত ব্যবসায়িক মডেলটি গবেষণা ও উন্নয়ন থেকে ব্যাপক উৎপাদনে দক্ষ রূপান্তর নিশ্চিত করে, ছোট-ব্যাচ যাচাইকরণ থেকে শুরু করে বৃহৎ-পরিমাণের চালান (সাধারণত ১৫-৪০ দিন) পর্যন্ত সবকিছুকে সমর্থন করে।
HPSI SiC ওয়েফারের প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্নাবলী
প্রশ্ন ১: কেন HPSI SiC কে AR ওয়েভগাইড লেন্সের জন্য আদর্শ উপাদান হিসেবে বিবেচনা করা হয়?
A1: এর উচ্চ প্রতিসরাঙ্ক (2.6–2.7) পাতলা, আরও দক্ষ তরঙ্গ নির্দেশিকা কাঠামো সক্ষম করে যা "রামধনু প্রভাব" দূর করে একটি বৃহত্তর দৃশ্য ক্ষেত্র (যেমন, 70°–80°) সমর্থন করে।
প্রশ্ন ২: HPSI SiC কীভাবে AI/AR চশমায় তাপ ব্যবস্থাপনা উন্নত করে?
A2: 490 W/m·K (তামার কাছাকাছি) পর্যন্ত তাপ পরিবাহিতা সহ, এটি দক্ষতার সাথে মাইক্রো-এলইডির মতো উপাদানগুলি থেকে তাপ অপচয় করে, স্থিতিশীল কর্মক্ষমতা এবং দীর্ঘতর ডিভাইসের আয়ু নিশ্চিত করে।
প্রশ্ন ৩: পরিধেয় চশমার জন্য HPSI SiC কী কী স্থায়িত্বের সুবিধা প্রদান করে?
A3: এর ব্যতিক্রমী কঠোরতা (Mohs 9.5) উচ্চতর স্ক্র্যাচ প্রতিরোধ ক্ষমতা প্রদান করে, যা এটিকে ভোক্তা-গ্রেড AR চশমায় দৈনন্দিন ব্যবহারের জন্য অত্যন্ত টেকসই করে তোলে।
সংশ্লিষ্ট পণ্য
-
৪ ইঞ্চি আধা-অপমানজনক SiC ওয়েফার HPSI SiC সাবস্ট্রট...
-
2 ইঞ্চি 6H-N সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট সিক ওয়েফার ...
-
2 ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার 6H বা 4H N-টাইপ ...
-
৩ ইঞ্চি ব্যাস ৭৬.২ মিমি SiC সাবস্ট্রেট HPSI প্রাইম রিসার্চ...
-
Si কম্পোজিট সাবস্ট্রেটে N-টাইপ SiC Dia6inch
-
চীন থেকে 4H-N Dia205mm SiC বীজ P এবং D গ্রেড...