LNOI ওয়েফার (ইনসুলেটরে লিথিয়াম নিওবেট) টেলিযোগাযোগ সেন্সিং হাই ইলেক্ট্রো-অপটিক

LNOI ওয়েফার তৈরিতে বেশ কয়েকটি সুনির্দিষ্ট ধাপ থাকে:

ধাপ ১: হিলিয়াম আয়ন ইমপ্লান্টেশনআয়ন ইমপ্লান্টার ব্যবহার করে হিলিয়াম আয়নগুলিকে একটি বাল্ক এলএন স্ফটিকের মধ্যে প্রবেশ করানো হয়। এই আয়নগুলি একটি নির্দিষ্ট গভীরতায় অবস্থান করে, একটি দুর্বল সমতল তৈরি করে যা অবশেষে ফিল্ম বিচ্ছিন্নতাকে সহজতর করবে।

ধাপ ২: বেস সাবস্ট্রেট গঠনPECVD বা তাপীয় জারণ ব্যবহার করে একটি পৃথক সিলিকন বা LN ওয়েফারকে SiO2 দিয়ে জারিত বা স্তরিত করা হয়। সর্বোত্তম বন্ধনের জন্য এর উপরের পৃষ্ঠটি সমতল করা হয়।

ধাপ ৩: LN-কে সাবস্ট্রেটের সাথে বন্ধন করাআয়ন-ইমপ্লান্টেড LN স্ফটিকটি উল্টে দেওয়া হয় এবং সরাসরি ওয়েফার বন্ধন ব্যবহার করে বেস ওয়েফারের সাথে সংযুক্ত করা হয়। গবেষণার ক্ষেত্রে, কম কঠোর পরিস্থিতিতে বন্ধন সহজ করার জন্য বেনজোসাইক্লোবিউটিন (BCB) আঠালো হিসাবে ব্যবহার করা যেতে পারে।

ধাপ ৪: তাপীয় চিকিৎসা এবং ফিল্ম পৃথকীকরণঅ্যানিলিং রোপিত গভীরতায় বুদবুদ গঠন সক্রিয় করে, পাতলা ফিল্ম (উপরের LN স্তর) বাল্ক থেকে পৃথকীকরণ সক্ষম করে। এক্সফোলিয়েশন সম্পূর্ণ করতে যান্ত্রিক বল ব্যবহার করা হয়।

ধাপ ৫: সারফেস পলিশিংউপরের LN পৃষ্ঠকে মসৃণ করার জন্য কেমিক্যাল মেকানিক্যাল পলিশিং (CMP) প্রয়োগ করা হয়, যা অপটিক্যাল গুণমান এবং ডিভাইসের ফলন উন্নত করে।