বর্তমানে, আমাদের কোম্পানি 8inchN টাইপের SiC ওয়েফারের ছোট ব্যাচ সরবরাহ চালিয়ে যেতে পারে, যদি আপনার নমুনার প্রয়োজন হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে আমার সাথে যোগাযোগ করতে দ্বিধা করবেন না। আমাদের কাছে কিছু নমুনা ওয়েফার পাঠানোর জন্য প্রস্তুত রয়েছে।
সেমিকন্ডাক্টর উপকরণের ক্ষেত্রে, কোম্পানিটি বৃহৎ আকারের SiC স্ফটিকের গবেষণা ও উন্নয়নে একটি বড় সাফল্য অর্জন করেছে। ব্যাস বৃদ্ধির একাধিক রাউন্ডের পরে নিজস্ব বীজ স্ফটিক ব্যবহার করে, কোম্পানিটি সফলভাবে 8-ইঞ্চি N-টাইপ SiC স্ফটিক তৈরি করেছে, যা 8-ইঞ্চি SIC স্ফটিকের বৃদ্ধি প্রক্রিয়ায় অসম তাপমাত্রা ক্ষেত্র, স্ফটিক ক্র্যাকিং এবং গ্যাস ফেজ কাঁচামাল বিতরণের মতো কঠিন সমস্যার সমাধান করে এবং বৃহৎ আকারের SIC স্ফটিক এবং স্বায়ত্তশাসিত এবং নিয়ন্ত্রণযোগ্য প্রক্রিয়াকরণ প্রযুক্তির বৃদ্ধিকে ত্বরান্বিত করে। SiC একক স্ফটিক সাবস্ট্রেট শিল্পে কোম্পানির মূল প্রতিযোগিতামূলকতা ব্যাপকভাবে বৃদ্ধি করে। একই সময়ে, কোম্পানিটি বৃহৎ আকারের সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট প্রস্তুতি পরীক্ষামূলক লাইনের প্রযুক্তি এবং প্রক্রিয়া সংগ্রহকে সক্রিয়ভাবে প্রচার করে, আপস্ট্রিম এবং ডাউনস্ট্রিম ক্ষেত্রগুলিতে প্রযুক্তিগত বিনিময় এবং শিল্প সহযোগিতা জোরদার করে এবং ক্রমাগত পণ্যের কর্মক্ষমতা পুনরাবৃত্তি করার জন্য গ্রাহকদের সাথে সহযোগিতা করে এবং যৌথভাবে সিলিকন কার্বাইড উপকরণের শিল্প প্রয়োগের গতি প্রচার করে।
| ৮ ইঞ্চি এন-টাইপ SiC DSP স্পেসিফিকেশন | |||||
| সংখ্যা | আইটেম | ইউনিট | উৎপাদন | গবেষণা | ডামি |
| 1. পরামিতি | |||||
| ১.১ | পলিটাইপ | -- | 4H | 4H | 4H |
| ১.২ | পৃষ্ঠের অবস্থান | ° | <11-20> ৪±০.৫ | <11-20> ৪±০.৫ | <11-20> ৪±০.৫ |
| 2. বৈদ্যুতিক পরামিতি | |||||
| ২.১ | ডোপান্ট | -- | এন-টাইপ নাইট্রোজেন | এন-টাইপ নাইট্রোজেন | এন-টাইপ নাইট্রোজেন |
| ২.২ | প্রতিরোধ ক্ষমতা | ওম ·সেমি | ০.০১৫~০.০২৫ | ০.০১~০.০৩ | NA |
| 3. যান্ত্রিক পরামিতি | |||||
| ৩.১ | ব্যাস | mm | ২০০±০.২ | ২০০±০.২ | ২০০±০.২ |
| ৩.২ | বেধ | মাইক্রোমিটার | ৫০০±২৫ | ৫০০±২৫ | ৫০০±২৫ |
| ৩.৩ | খাঁজ ওরিয়েন্টেশন | ° | [১- ১০০]±৫ | [১- ১০০]±৫ | [১- ১০০]±৫ |
| ৩.৪ | খাঁজ গভীরতা | mm | ১~১.৫ | ১~১.৫ | ১~১.৫ |
| ৩.৫ | এলটিভি | মাইক্রোমিটার | ≤5(১০ মিমি*১০ মিমি) | ≤5(১০ মিমি*১০ মিমি) | ≤১০(১০ মিমি*১০ মিমি) |
| ৩.৬ | টিটিভি | মাইক্রোমিটার | ≤১০ | ≤১০ | ≤১৫ |
| ৩.৭ | নম | মাইক্রোমিটার | -২৫~২৫ | -৪৫~৪৫ | -৬৫~৬৫ |
| ৩.৮ | ওয়ার্প | মাইক্রোমিটার | ≤৩০ | ≤৫০ | ≤৭০ |
| ৩.৯ | এএফএম | nm | রা≤0.2 | রা≤0.2 | রা≤0.2 |
| ৪. কাঠামো | |||||
| ৪.১ | মাইক্রোপাইপের ঘনত্ব | ইএ/সেমি২ | ≤২ | ≤১০ | ≤৫০ |
| ৪.২ | ধাতুর পরিমাণ | পরমাণু/সেমি২ | ≤১ই১১ | ≤১ই১১ | NA |
| ৪.৩ | টিএসডি | ইএ/সেমি২ | ≤৫০০ | ≤১০০০ | NA |
| ৪.৪ | বিপিডি | ইএ/সেমি২ | ≤২০০০ | ≤৫০০০ | NA |
| ৪.৫ | টেড | ইএ/সেমি২ | ≤৭০০০ | ≤১০০০০ | NA |
| ৫. ইতিবাচক গুণ | |||||
| ৫.১ | সামনের দিকে | -- | Si | Si | Si |
| ৫.২ | পৃষ্ঠ সমাপ্তি | -- | সি-ফেস সিএমপি | সি-ফেস সিএমপি | সি-ফেস সিএমপি |
| ৫.৩ | কণা | ইএ/ওয়েফার | ≤১০০ (আকার≥০.৩μm) | NA | NA |
| ৫.৪ | আঁচড় | ইএ/ওয়েফার | ≤5, মোট দৈর্ঘ্য≤200 মিমি | NA | NA |
| ৫.৫ | প্রান্ত চিপস/ইন্ডেন্ট/ফাটল/দাগ/দূষণ | -- | কোনটিই নয় | কোনটিই নয় | NA |
| ৫.৬ | পলিটাইপ এলাকা | -- | কোনটিই নয় | এলাকা ≤১০% | এলাকা ≤30% |
| ৫.৭ | সামনের দিকে চিহ্নিতকরণ | -- | কোনটিই নয় | কোনটিই নয় | কোনটিই নয় |
| ৬. পিছনের গুণমান | |||||
| ৬.১ | ব্যাক ফিনিশ | -- | সি-ফেস এমপি | সি-ফেস এমপি | সি-ফেস এমপি |
| ৬.২ | আঁচড় | mm | NA | NA | NA |
| ৬.৩ | পিছনের ত্রুটির প্রান্ত চিপস/ইন্ডেন্ট | -- | কোনটিই নয় | কোনটিই নয় | NA |
| ৬.৪ | পিঠের রুক্ষতা | nm | রা≤5 | রা≤5 | রা≤5 |
| ৬.৫ | পিছনে চিহ্নিতকরণ | -- | খাঁজ | খাঁজ | খাঁজ |
| ৭. প্রান্ত | |||||
| ৭.১ | প্রান্ত | -- | চেম্ফার | চেম্ফার | চেম্ফার |
| 8. প্যাকেজ | |||||
| ৮.১ | প্যাকেজিং | -- | ভ্যাকুয়াম সহ এপি-রেডি প্যাকেজিং | ভ্যাকুয়াম সহ এপি-রেডি প্যাকেজিং | ভ্যাকুয়াম সহ এপি-রেডি প্যাকেজিং |
| ৮.২ | প্যাকেজিং | -- | মাল্টি-ওয়েফার ক্যাসেট প্যাকেজিং | মাল্টি-ওয়েফার ক্যাসেট প্যাকেজিং | মাল্টি-ওয়েফার ক্যাসেট প্যাকেজিং |
পোস্টের সময়: এপ্রিল-১৮-২০২৩