বর্তমানে, আমাদের কোম্পানি 8inchN টাইপ SiC ওয়েফারের ছোট ব্যাচ সরবরাহ করা চালিয়ে যেতে পারে, যদি আপনার নমুনার প্রয়োজন থাকে, অনুগ্রহ করে নির্দ্বিধায় আমার সাথে যোগাযোগ করুন।আমাদের কাছে কিছু নমুনা ওয়েফার পাঠানোর জন্য প্রস্তুত আছে।
অর্ধপরিবাহী উপকরণের ক্ষেত্রে, কোম্পানিটি বড় আকারের SiC স্ফটিক গবেষণা এবং উন্নয়নে একটি বড় অগ্রগতি করেছে।একাধিক রাউন্ড ব্যাস বৃদ্ধির পর নিজস্ব বীজ স্ফটিক ব্যবহার করে, কোম্পানি সফলভাবে 8-ইঞ্চি এন-টাইপ SiC স্ফটিক বৃদ্ধি করেছে, যা অসম তাপমাত্রা ক্ষেত্র, ক্রিস্টাল ক্র্যাকিং এবং গ্যাস ফেজ কাঁচামাল বন্টনের মতো কঠিন সমস্যার সমাধান করে 8-ইঞ্চি SIC স্ফটিক, এবং বড় আকারের SIC স্ফটিক এবং স্বায়ত্তশাসিত এবং নিয়ন্ত্রণযোগ্য প্রক্রিয়াকরণ প্রযুক্তির বৃদ্ধিকে ত্বরান্বিত করে।SiC একক ক্রিস্টাল সাবস্ট্রেট শিল্পে কোম্পানির মূল প্রতিযোগিতাকে ব্যাপকভাবে উন্নত করে।একই সময়ে, কোম্পানি সক্রিয়ভাবে বৃহৎ আকারের সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট প্রস্তুতি পরীক্ষামূলক লাইনের প্রযুক্তি এবং প্রক্রিয়ার সঞ্চয়কে প্রচার করে, আপস্ট্রিম এবং ডাউনস্ট্রিম ক্ষেত্রগুলিতে প্রযুক্তিগত বিনিময় এবং শিল্প সহযোগিতাকে শক্তিশালী করে, এবং ক্রমাগত পণ্যের কার্যকারিতা পুনরাবৃত্তি করতে গ্রাহকদের সাথে সহযোগিতা করে এবং যৌথভাবে সিলিকন কার্বাইড উপকরণ শিল্প প্রয়োগের গতি প্রচার করে।
| 8 ইঞ্চি এন-টাইপ SiC DSP স্পেক্স | |||||
| সংখ্যা | আইটেম | ইউনিট | উৎপাদন | গবেষণা | ডামি |
| 1. পরামিতি | |||||
| 1.1 | পলিটাইপ | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | পৃষ্ঠ অভিযোজন | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2. বৈদ্যুতিক পরামিতি | |||||
| 2.1 | ডোপ্যান্ট | -- | n-টাইপ নাইট্রোজেন | n-টাইপ নাইট্রোজেন | n-টাইপ নাইট্রোজেন |
| 2.2 | প্রতিরোধ ক্ষমতা | ওহম · সেমি | ০.০১৫~০.০২৫ | ০.০১~০.০৩ | NA |
| 3. যান্ত্রিক পরামিতি | |||||
| 3.1 | ব্যাস | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| 3.2 | বেধ | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | খাঁজ অভিযোজন | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | খাঁজ গভীরতা | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3.5 | এলটিভি | μm | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| 3.6 | টিটিভি | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | নম | μm | -25~25 | -৪৫~৪৫ | -65~65 |
| 3.8 | ওয়ার্প | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | এএফএম | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. গঠন | |||||
| 4.1 | মাইক্রোপাইপ ঘনত্ব | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | ধাতু বিষয়বস্তু | পরমাণু/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | টিএসডি | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | বিপিডি | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. ইতিবাচক গুণমান | |||||
| 5.1 | সামনে | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | পৃষ্ঠ সমাপ্তি | -- | সি-ফেস সিএমপি | সি-ফেস সিএমপি | সি-ফেস সিএমপি |
| 5.3 | কণা | ea/wafer | ≤100(আকার≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | আঁচড় | ea/wafer | ≤5, মোট দৈর্ঘ্য≤200 মিমি | NA | NA |
| 5.5 | প্রান্ত চিপস/ইন্ডেন্টস/ফাটল/দাগ/দূষণ | -- | কোনোটিই নয় | কোনোটিই নয় | NA |
| 5.6 | পলিটাইপ এলাকা | -- | কোনোটিই নয় | এলাকা ≤10% | এলাকা ≤30% |
| ৫.৭ | সামনে চিহ্নিতকরণ | -- | কোনোটিই নয় | কোনোটিই নয় | কোনোটিই নয় |
| 6. ফিরে গুণমান | |||||
| 6.1 | ফিরে শেষ | -- | মুখের সাংসদ | মুখের সাংসদ | মুখের সাংসদ |
| 6.2 | আঁচড় | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | পিছনে ত্রুটি প্রান্ত চিপস/ইন্ডেন্ট | -- | কোনোটিই নয় | কোনোটিই নয় | NA |
| 6.4 | পিঠের রুক্ষতা | nm | রা≤5 | রা≤5 | রা≤5 |
| 6.5 | পিছনে চিহ্নিতকরণ | -- | খাঁজ | খাঁজ | খাঁজ |
| 7. প্রান্ত | |||||
| 7.1 | প্রান্ত | -- | চেম্ফার | চেম্ফার | চেম্ফার |
| 8. প্যাকেজ | |||||
| 8.1 | প্যাকেজিং | -- | ভ্যাকুয়াম সঙ্গে Epi- প্রস্তুত প্যাকেজিং | ভ্যাকুয়াম সঙ্গে Epi- প্রস্তুত প্যাকেজিং | ভ্যাকুয়াম সঙ্গে Epi- প্রস্তুত প্যাকেজিং |
| 8.2 | প্যাকেজিং | -- | মাল্টি-ওয়েফার ক্যাসেট প্যাকেজিং | মাল্টি-ওয়েফার ক্যাসেট প্যাকেজিং | মাল্টি-ওয়েফার ক্যাসেট প্যাকেজিং |
পোস্টের সময়: এপ্রিল-18-2023