নীলকান্তমণি স্ফটিক বৃদ্ধির ফার্নেস কেওয়াই কাইরোপোলোস নীলকান্তমণি ওয়েফার এবং অপটিক্যাল উইন্ডো উৎপাদনের পদ্ধতি

ছোট বিবরণ:

এই নীলকান্তমণি স্ফটিক বৃদ্ধির সরঞ্জামটি আন্তর্জাতিকভাবে শীর্ষস্থানীয় Kyropoulos (KY) পদ্ধতি ব্যবহার করে, বিশেষভাবে বৃহৎ ব্যাসের, কম ত্রুটিযুক্ত নীলকান্তমণি একক-স্ফটিক বৃদ্ধির জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। KY পদ্ধতিটি বীজ স্ফটিক টানা, ঘূর্ণন গতি এবং তাপমাত্রার গ্রেডিয়েন্টের সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণ সক্ষম করে, যা উচ্চ তাপমাত্রায় (2000–2200°C) 12 ইঞ্চি (300 মিমি) ব্যাস পর্যন্ত নীলকান্তমণি স্ফটিক বৃদ্ধির অনুমতি দেয়। XKH এর KY-পদ্ধতি সিস্টেমগুলি 2–12-ইঞ্চি C/A-প্লেন নীলকান্তমণি ওয়েফার এবং অপটিক্যাল উইন্ডোর শিল্প উৎপাদনে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়, যার ফলে মাসিক 20 ইউনিট আউটপুট পাওয়া যায়। সরঞ্জামটি ডোপিং প্রক্রিয়াগুলিকে সমর্থন করে (যেমন, রুবি সংশ্লেষণের জন্য Cr³⁰ ডোপিং) এবং স্ফটিকের গুণমান সরবরাহ করে:

স্থানচ্যুতির ঘনত্ব <100/cm²

ট্রান্সমিট্যান্স >৮৫% @ ৪০০–৫৫০০ এনএম

আমাদের ইমেইল পাঠান

ফিচার

কাজের নীতি

KY পদ্ধতির মূল নীতি হল উচ্চ-বিশুদ্ধতা Al₂O₃ কাঁচামালকে ২০৫০°C তাপমাত্রায় একটি টাংস্টেন/মলিবডেনাম ক্রুসিবলে গলানো। একটি বীজ স্ফটিককে গলিত অবস্থায় নামানো হয়, তারপরে নিয়ন্ত্রিত প্রত্যাহার (০.৫-১০ মিমি/ঘন্টা) এবং ঘূর্ণন (০.৫-২০ rpm) করা হয় যাতে α-Al₂O₃ একক স্ফটিকের দিকনির্দেশক বৃদ্ধি অর্জন করা যায়। মূল বৈশিষ্ট্যগুলির মধ্যে রয়েছে:

• বৃহৎ-মাত্রার স্ফটিক (সর্বোচ্চ Φ৪০০ মিমি × ৫০০ মিমি)
• নিম্ন-চাপযুক্ত অপটিক্যাল-গ্রেড নীলকান্তমণি (তরঙ্গফ্রন্ট বিকৃতি <λ/8 @ 633 nm)
• ডোপড স্ফটিক (যেমন, স্টার নীলকান্তের জন্য Ti³⁰ ডোপিং)

মূল সিস্টেম উপাদান

১. উচ্চ-তাপমাত্রার গলানোর ব্যবস্থা
• টাংস্টেন-মলিবডেনাম কম্পোজিট ক্রুসিবল (সর্বোচ্চ তাপমাত্রা ২৩০০°C)
• মাল্টি-জোন গ্রাফাইট হিটার (±0.5°C তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রণ)

২. স্ফটিক বৃদ্ধি ব্যবস্থা
• সার্ভো-চালিত টানার প্রক্রিয়া (±0.01 মিমি নির্ভুলতা)
• চৌম্বকীয় তরল ঘূর্ণমান সীল (০-৩০ আরপিএম স্টেপলেস গতি নিয়ন্ত্রণ)

৩. তাপীয় ক্ষেত্র নিয়ন্ত্রণ
• ৫-জোন স্বাধীন তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রণ (১৮০০-২২০০°C)
• সামঞ্জস্যযোগ্য তাপ ঢাল (±2°C/সেমি গ্রেডিয়েন্ট)
• ভ্যাকুয়াম এবং বায়ুমণ্ডল ব্যবস্থা
• ১০⁻⁴ পা উচ্চ ভ্যাকুয়াম
• Ar/N₂/H₂ মিশ্র গ্যাস নিয়ন্ত্রণ

৪. বুদ্ধিমান পর্যবেক্ষণ
• সিসিডি রিয়েল-টাইম স্ফটিক ব্যাস পর্যবেক্ষণ
• মাল্টি-স্পেকট্রাল গলিত স্তর সনাক্তকরণ

KY বনাম CZ পদ্ধতির তুলনা

প্যারামিটার	কেওয়াই পদ্ধতি	সিজেড পদ্ধতি
সর্বোচ্চ স্ফটিক আকার	Φ৪০০ মিমি	Φ২০০ মিমি
বৃদ্ধির হার	৫-১৫ মিমি/ঘন্টা	২০-৫০ মিমি/ঘন্টা
ত্রুটি ঘনত্ব	<100/সেমি²	৫০০-১০০০/সেমি²
শক্তি খরচ	৮০-১২০ কিলোওয়াট ঘণ্টা/কেজি	৫০-৮০ কিলোওয়াট ঘণ্টা/কেজি
সাধারণ অ্যাপ্লিকেশন	অপটিক্যাল জানালা/বড় ওয়েফার	LED সাবস্ট্রেট/গয়না

মূল অ্যাপ্লিকেশন

১. অপটোইলেকট্রনিক উইন্ডোজ
• সামরিক IR গম্বুজ (ট্রান্সমিট্যান্স >85%@3–5 μm)
• UV লেজার জানালা (২০০ ওয়াট/সেমি² বিদ্যুৎ ঘনত্ব সহ্য করতে পারে)

২. সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্রেটস
• GaN এপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফার (২-৮ ইঞ্চি, TTV <১০ μm)
• SOI সাবস্ট্রেট (পৃষ্ঠের রুক্ষতা <0.2 nm)

৩. কনজিউমার ইলেকট্রনিক্স
• স্মার্টফোন ক্যামেরার কভার গ্লাস (মোহস হার্ডনেস ৯)
• স্মার্টওয়াচ ডিসপ্লে (১০× স্ক্র্যাচ প্রতিরোধের উন্নতি)

৪. বিশেষায়িত উপকরণ
• উচ্চ-বিশুদ্ধতা IR অপটিক্স (শোষণ সহগ <10⁻³ cm⁻¹)
• পারমাণবিক চুল্লি পর্যবেক্ষণ জানালা (বিকিরণ সহনশীলতা: 10¹⁶ n/cm²)

কাইরোপোলোস (কেওয়াই) নীলকান্তমণি স্ফটিক বৃদ্ধির সরঞ্জামের সুবিধা

কাইরোপোলোস (কেওয়াই) পদ্ধতি-ভিত্তিক নীলকান্তমণি স্ফটিক বৃদ্ধির সরঞ্জামগুলি অতুলনীয় প্রযুক্তিগত সুবিধা প্রদান করে, এটি শিল্প-স্কেল উৎপাদনের জন্য একটি অত্যাধুনিক সমাধান হিসাবে অবস্থান করে। মূল সুবিধাগুলির মধ্যে রয়েছে:

১. বৃহৎ ব্যাসের ক্ষমতা: ১২ ইঞ্চি (৩০০ মিমি) ব্যাস পর্যন্ত নীলকান্তমণি স্ফটিক তৈরি করতে সক্ষম, যা GaN এপিট্যাক্সি এবং মিলিটারি-গ্রেড উইন্ডোর মতো উন্নত অ্যাপ্লিকেশনের জন্য ওয়েফার এবং অপটিক্যাল উপাদানগুলির উচ্চ-ফলনশীল উৎপাদন সক্ষম করে।

2. অতি-নিম্ন ত্রুটি ঘনত্ব: অপ্টিমাইজড তাপীয় ক্ষেত্র নকশা এবং সুনির্দিষ্ট তাপমাত্রা গ্রেডিয়েন্ট নিয়ন্ত্রণের মাধ্যমে স্থানচ্যুতি ঘনত্ব <100/cm² অর্জন করে, অপটোইলেক্ট্রনিক ডিভাইসের জন্য উচ্চতর স্ফটিক অখণ্ডতা নিশ্চিত করে।

৩. উচ্চ-মানের অপটিক্যাল পারফরম্যান্স: দৃশ্যমান থেকে ইনফ্রারেড স্পেকট্রা (৪০০-৫৫০০ এনএম) জুড়ে ৮৫% ট্রান্সমিট্যান্স সরবরাহ করে, যা ইউভি লেজার উইন্ডো এবং ইনফ্রারেড অপটিক্সের জন্য গুরুত্বপূর্ণ।

৪. উন্নত অটোমেশন: সার্ভো-চালিত টানার প্রক্রিয়া (±০.০১ মিমি নির্ভুলতা) এবং চৌম্বকীয় তরল ঘূর্ণমান সীল (০-৩০ আরপিএম স্টেপলেস নিয়ন্ত্রণ) বৈশিষ্ট্যযুক্ত, যা মানুষের হস্তক্ষেপ কমিয়ে দেয় এবং ধারাবাহিকতা বৃদ্ধি করে।

৫. নমনীয় ডোপিং বিকল্প: Cr³⁰ (রুবির জন্য) এবং Ti³⁰ (স্টার নীলকান্তমণির জন্য) এর মতো ডোপ্যান্টের সাথে কাস্টমাইজেশন সমর্থন করে, যা অপটোইলেক্ট্রনিক্স এবং গয়নার বিশেষ বাজারগুলিকে পূরণ করে।

৬. শক্তি দক্ষতা: অপ্টিমাইজড তাপ নিরোধক (টাংস্টেন-মলিবডেনাম ক্রুসিবল) বিকল্প বৃদ্ধি পদ্ধতির সাথে প্রতিযোগিতামূলকভাবে শক্তি খরচ ৮০-১২০ কিলোওয়াট ঘন্টা/কেজিতে হ্রাস করে।

৭. স্কেলেবল উৎপাদন: দ্রুত চক্র সময়ের সাথে (৩০-৪০ কেজি স্ফটিকের জন্য ৮-১০ দিন) মাসিক ৫,০০০+ ওয়েফার উৎপাদন অর্জন করে, যা ২০০ টিরও বেশি বিশ্বব্যাপী ইনস্টলেশন দ্বারা যাচাই করা হয়েছে।

৮. সামরিক-গ্রেড স্থায়িত্ব: মহাকাশ এবং পারমাণবিক প্রয়োগের জন্য অপরিহার্য বিকিরণ-প্রতিরোধী নকশা এবং তাপ-প্রতিরোধী উপকরণ (১০¹⁶ n/cm² সহ্য করে) অন্তর্ভুক্ত করে।
এই উদ্ভাবনগুলি উচ্চ-কার্যক্ষমতাসম্পন্ন নীলকান্তমণি স্ফটিক উৎপাদনের জন্য স্বর্ণমান হিসাবে KY পদ্ধতিকে দৃঢ় করে তোলে, 5G যোগাযোগ, কোয়ান্টাম কম্পিউটিং এবং প্রতিরক্ষা প্রযুক্তিতে অগ্রগতি চালায়।

XKH পরিষেবা

XKH নীলকান্তমণি স্ফটিক বৃদ্ধি ব্যবস্থার জন্য ব্যাপক টার্নকি সমাধান প্রদান করে, যার মধ্যে রয়েছে ইনস্টলেশন, প্রক্রিয়া অপ্টিমাইজেশন এবং কর্মীদের প্রশিক্ষণ যাতে নির্বিঘ্নে কার্যকরী ইন্টিগ্রেশন নিশ্চিত করা যায়। আমরা বিভিন্ন শিল্প চাহিদার সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ প্রাক-বৈধ বৃদ্ধি রেসিপি (50+) সরবরাহ করি, যা ক্লায়েন্টদের জন্য গবেষণা ও উন্নয়ন সময় উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস করে। বিশেষায়িত অ্যাপ্লিকেশনের জন্য, কাস্টম ডেভেলপমেন্ট পরিষেবাগুলি ক্যাভিটি কাস্টমাইজেশন (Φ200–400 মিমি) এবং উন্নত ডোপিং সিস্টেম (Cr/Ti/Ni) সক্ষম করে, যা উচ্চ-কার্যক্ষমতাসম্পন্ন অপটিক্যাল উপাদান এবং বিকিরণ-প্রতিরোধী উপকরণ সমর্থন করে।

মূল্য সংযোজন পরিষেবাগুলির মধ্যে রয়েছে স্লাইসিং, গ্রাইন্ডিং এবং পলিশিংয়ের মতো বৃদ্ধি-পরবর্তী প্রক্রিয়াকরণ, যা ওয়েফার, টিউব এবং রত্নপাথরের ব্ল্যাঙ্কের মতো নীলকান্তমণি পণ্যের সম্পূর্ণ পরিসর দ্বারা পরিপূরক। এই অফারগুলি কনজিউমার ইলেকট্রনিক্স থেকে শুরু করে মহাকাশ পর্যন্ত বিভিন্ন ক্ষেত্রে প্রযোজ্য। আমাদের প্রযুক্তিগত সহায়তা 24 মাসের ওয়ারেন্টি এবং রিয়েল-টাইম রিমোট ডায়াগনস্টিকসের গ্যারান্টি দেয়, যা ন্যূনতম ডাউনটাইম এবং টেকসই উৎপাদন দক্ষতা নিশ্চিত করে।