SiO2 পাতলা ফিল্ম থার্মাল অক্সাইড সিলিকন ওয়েফার 4 ইঞ্চি 6 ইঞ্চি 8 ইঞ্চি 12 ইঞ্চি

অক্সিডাইজড সিলিকন ওয়েফার তৈরির প্রধান প্রক্রিয়ায় সাধারণত নিম্নলিখিত ধাপগুলি অন্তর্ভুক্ত থাকে: একরঙা সিলিকন বৃদ্ধি, ওয়েফারে কাটা, পালিশ করা, পরিষ্কার করা এবং জারণ।

মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন বৃদ্ধি: প্রথমত, সিজোক্রালস্কি পদ্ধতি বা ফ্লোট-জোন পদ্ধতির মাধ্যমে উচ্চ তাপমাত্রায় মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন বৃদ্ধি করা হয়। এই পদ্ধতিটি উচ্চ বিশুদ্ধতা এবং জালির অখণ্ডতার সাথে সিলিকন একক স্ফটিক তৈরি করতে সক্ষম করে।

ডাইসিং: বড় হওয়া মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন সাধারণত একটি নলাকার আকারে থাকে এবং ওয়েফার সাবস্ট্রেট হিসাবে ব্যবহার করার জন্য পাতলা ওয়েফারে কাটা প্রয়োজন। কাটিং সাধারণত হীরা কাটার দিয়ে করা হয়।

পলিশিং: কাটা ওয়েফারের পৃষ্ঠটি অসম হতে পারে এবং একটি মসৃণ পৃষ্ঠ পেতে রাসায়নিক-যান্ত্রিক পলিশিং প্রয়োজন।

পরিষ্কার করা: পালিশ করা ওয়েফার অমেধ্য এবং ধুলো অপসারণ করতে পরিষ্কার করা হয়।

অক্সিডাইজিং: অবশেষে, সিলিকন ওয়েফারগুলিকে অক্সিডাইজিং চিকিত্সার জন্য একটি উচ্চ-তাপমাত্রার চুল্লিতে রাখা হয় যাতে এর বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য এবং যান্ত্রিক শক্তি উন্নত করতে সিলিকন ডাই অক্সাইডের একটি প্রতিরক্ষামূলক স্তর তৈরি করা হয়, সেইসাথে ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটে একটি অন্তরক স্তর হিসাবে পরিবেশন করা হয়।

অক্সিডাইজড সিলিকন ওয়েফারের প্রধান ব্যবহারগুলির মধ্যে রয়েছে ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট তৈরি, সৌর কোষ তৈরি এবং অন্যান্য ইলেকট্রনিক ডিভাইস তৈরি। সিলিকন অক্সাইড ওয়েফারগুলি তাদের চমৎকার যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্য, মাত্রিক এবং রাসায়নিক স্থিতিশীলতা, উচ্চ তাপমাত্রা এবং উচ্চ চাপে কাজ করার ক্ষমতা, সেইসাথে ভাল অন্তরক এবং অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্যগুলির কারণে অর্ধপরিবাহী পদার্থের ক্ষেত্রে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।

এর সুবিধার মধ্যে রয়েছে একটি সম্পূর্ণ স্ফটিক গঠন, বিশুদ্ধ রাসায়নিক গঠন, সুনির্দিষ্ট মাত্রা, ভাল যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্য ইত্যাদি। এই বৈশিষ্ট্যগুলি সিলিকন অক্সাইড ওয়েফারগুলিকে উচ্চ-কর্মক্ষমতা সম্পন্ন ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট এবং অন্যান্য মাইক্রোইলেক্ট্রনিক ডিভাইস তৈরির জন্য বিশেষভাবে উপযুক্ত করে তোলে।