SiO2 থিন ফিল্ম থার্মাল অক্সাইড সিলিকন ওয়েফার ৪ ইঞ্চি ৬ ইঞ্চি ৮ ইঞ্চি ১২ ইঞ্চি

জারিত সিলিকন ওয়েফার তৈরির প্রধান প্রক্রিয়ায় সাধারণত নিম্নলিখিত ধাপগুলি অন্তর্ভুক্ত থাকে: মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন বৃদ্ধি, ওয়েফারে কাটা, পালিশ করা, পরিষ্কার করা এবং জারণ।

মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন বৃদ্ধি: প্রথমত, উচ্চ তাপমাত্রায় মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন চাষ করা হয় যেমন জোক্রালস্কি পদ্ধতি বা ফ্লোট-জোন পদ্ধতি। এই পদ্ধতিটি উচ্চ বিশুদ্ধতা এবং জালির অখণ্ডতা সহ সিলিকন একক স্ফটিক প্রস্তুত করতে সক্ষম করে।

ডাইসিং: জন্মানো মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন সাধারণত নলাকার আকারের হয় এবং ওয়েফার সাবস্ট্রেট হিসেবে ব্যবহারের জন্য পাতলা ওয়েফারে কাটা প্রয়োজন। কাটা সাধারণত হীরা কাটার দিয়ে করা হয়।

পালিশ করা: কাটা ওয়েফারের পৃষ্ঠ অসমান হতে পারে এবং মসৃণ পৃষ্ঠ পেতে রাসায়নিক-যান্ত্রিক পালিশের প্রয়োজন হয়।

পরিষ্কার করা: পালিশ করা ওয়েফারটি অমেধ্য এবং ধুলো অপসারণের জন্য পরিষ্কার করা হয়।

জারণ: অবশেষে, সিলিকন ওয়েফারগুলিকে জারণ প্রক্রিয়াকরণের জন্য একটি উচ্চ-তাপমাত্রার চুল্লিতে রাখা হয় যাতে সিলিকন ডাই অক্সাইডের একটি প্রতিরক্ষামূলক স্তর তৈরি হয় যা এর বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য এবং যান্ত্রিক শক্তি উন্নত করে, পাশাপাশি সমন্বিত সার্কিটে একটি অন্তরক স্তর হিসাবে কাজ করে।

অক্সিডাইজড সিলিকন ওয়েফারের প্রধান ব্যবহারগুলির মধ্যে রয়েছে ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট তৈরি, সৌর কোষ তৈরি এবং অন্যান্য ইলেকট্রনিক ডিভাইস তৈরি। সিলিকন অক্সাইড ওয়েফারগুলি তাদের চমৎকার যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্য, মাত্রিক এবং রাসায়নিক স্থিতিশীলতা, উচ্চ তাপমাত্রা এবং উচ্চ চাপে কাজ করার ক্ষমতা, সেইসাথে ভাল অন্তরক এবং অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্যের কারণে সেমিকন্ডাক্টর উপকরণের ক্ষেত্রে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।

এর সুবিধার মধ্যে রয়েছে একটি সম্পূর্ণ স্ফটিক গঠন, বিশুদ্ধ রাসায়নিক গঠন, সুনির্দিষ্ট মাত্রা, ভালো যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্য ইত্যাদি। এই বৈশিষ্ট্যগুলি সিলিকন অক্সাইড ওয়েফারগুলিকে উচ্চ-কার্যক্ষমতাসম্পন্ন ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট এবং অন্যান্য মাইক্রোইলেকট্রনিক ডিভাইস তৈরির জন্য বিশেষভাবে উপযুক্ত করে তোলে।