৪ ইঞ্চি-১২ ইঞ্চি নীলকান্তমণি/SiC/Si ওয়েফার প্রক্রিয়াকরণের জন্য ওয়েফার পাতলা করার সরঞ্জাম

ছোট বিবরণ:

ওয়েফার থিনিং ইকুইপমেন্ট সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদনে একটি গুরুত্বপূর্ণ হাতিয়ার যা তাপ ব্যবস্থাপনা, বৈদ্যুতিক কর্মক্ষমতা এবং প্যাকেজিং দক্ষতা সর্বোত্তম করার জন্য ওয়েফারের পুরুত্ব হ্রাস করে। এই সরঞ্জামগুলি অতি-নির্ভুল পুরুত্ব নিয়ন্ত্রণ (±0.1 μm) এবং 4-12-ইঞ্চি ওয়েফারের সাথে সামঞ্জস্য অর্জনের জন্য যান্ত্রিক গ্রাইন্ডিং, রাসায়নিক যান্ত্রিক পলিশিং (CMP) এবং শুষ্ক/ভেজা এচিং প্রযুক্তি ব্যবহার করে। আমাদের সিস্টেমগুলি C/A-প্লেন ওরিয়েন্টেশন সমর্থন করে এবং 3D IC, পাওয়ার ডিভাইস (IGBT/MOSFETs), এবং MEMS সেন্সরের মতো উন্নত অ্যাপ্লিকেশনের জন্য তৈরি।

XKH পূর্ণাঙ্গ সমাধান প্রদান করে, যার মধ্যে রয়েছে কাস্টমাইজড সরঞ্জাম (২-১২-ইঞ্চি ওয়েফার প্রক্রিয়াকরণ), প্রক্রিয়া অপ্টিমাইজেশন (ত্রুটি ঘনত্ব <১০০/সেমি²), এবং প্রযুক্তিগত প্রশিক্ষণ।

আমাদের ইমেইল পাঠান

ফিচার

কাজের নীতি

ওয়েফার পাতলা করার প্রক্রিয়াটি তিনটি ধাপের মধ্য দিয়ে পরিচালিত হয়:
রুক্ষ গ্রাইন্ডিং: একটি হীরার চাকা (গ্রিট সাইজ ২০০-৫০০ মাইক্রোমিটার) দ্রুত বেধ কমাতে ৩০০০-৫০০০ আরপিএম গতিতে ৫০-১৫০ মাইক্রোমিটার উপাদান অপসারণ করে।
সূক্ষ্মভাবে নাকাল: একটি সূক্ষ্ম চাকা (গ্রিটের আকার ১-৫০ μm) <১ μm/s গতিতে ২০-৫০ μm-এ পুরুত্ব কমিয়ে আনে যাতে ভূপৃষ্ঠের ক্ষতি কম হয়।
পলিশিং (CMP): একটি রাসায়নিক-যান্ত্রিক স্লারি অবশিষ্ট ক্ষতি দূর করে, Ra <0.1 nm অর্জন করে।

সামঞ্জস্যপূর্ণ উপকরণ

সিলিকন (Si): CMOS ওয়েফারের জন্য স্ট্যান্ডার্ড, 3D স্ট্যাকিংয়ের জন্য 25 μm পর্যন্ত পাতলা করা হয়েছে।
সিলিকন কার্বাইড (SiC): তাপীয় স্থিতিশীলতার জন্য বিশেষায়িত হীরার চাকা (৮০% হীরার ঘনত্ব) প্রয়োজন।
নীলকান্তমণি (Al₂O₃): UV LED প্রয়োগের জন্য 50 μm পর্যন্ত পাতলা করা হয়।

মূল সিস্টেম উপাদান

১. গ্রাইন্ডিং সিস্টেম
ডুয়াল-অ্যাক্সিস গ্রাইন্ডার: একটি একক প্ল্যাটফর্মে মোটা/সূক্ষ্ম গ্রাইন্ডিং একত্রিত করে, যা চক্রের সময় ৪০% কমিয়ে দেয়।
অ্যারোস্ট্যাটিক স্পিন্ডল: ০-৬০০০ আরপিএম গতির পরিসীমা <০.৫ মাইক্রোমিটার রেডিয়াল রানআউট সহ।

২. ওয়েফার হ্যান্ডলিং সিস্টেম
ভ্যাকুয়াম চাক: ±0.1 μm অবস্থান নির্ভুলতা সহ 50 N ধরে রাখার শক্তি।
রোবোটিক আর্ম: ১০০ মিমি/সেকেন্ড গতিতে ৪-১২-ইঞ্চি ওয়েফার পরিবহন করে।

৩. নিয়ন্ত্রণ ব্যবস্থা
লেজার ইন্টারফেরোমেট্রি: রিয়েল-টাইম বেধ পর্যবেক্ষণ (রেজোলিউশন 0.01 μm)।
এআই-চালিত ফিডফরওয়ার্ড: চাকার ক্ষয়ক্ষতির পূর্বাভাস দেয় এবং স্বয়ংক্রিয়ভাবে প্যারামিটারগুলি সামঞ্জস্য করে।

৪. শীতলকরণ এবং পরিষ্কারকরণ
অতিস্বনক পরিষ্কার: ৯৯.৯% দক্ষতার সাথে ০.৫ μm এর বেশি কণা অপসারণ করে।
ডিআয়োনাইজড পানি: পরিবেশের তাপমাত্রার উপরে <5°C তাপমাত্রায় ঠান্ডা করে।

মূল সুবিধা

১. অতি-উচ্চ নির্ভুলতা: TTV (মোট পুরুত্বের তারতম্য) <0.5 μm, WTW (ওয়েফারের পুরুত্বের তারতম্যের মধ্যে) <1 μm।

2. মাল্টি-প্রসেস ইন্টিগ্রেশন: একটি মেশিনে গ্রাইন্ডিং, সিএমপি এবং প্লাজমা এচিং একত্রিত করে।

৩. উপাদানের সামঞ্জস্য:
সিলিকন: ৭৭৫ μm থেকে ২৫ μm পর্যন্ত পুরুত্ব হ্রাস।
SiC: RF অ্যাপ্লিকেশনের জন্য <2 μm TTV অর্জন করে।
ডোপড ওয়েফার: <5% প্রতিরোধ ক্ষমতার ড্রিফ্ট সহ ফসফরাস-ডোপড ইনপি ওয়েফার।

৪. স্মার্ট অটোমেশন: MES ইন্টিগ্রেশন মানুষের ত্রুটি ৭০% কমিয়ে দেয়।

৫. শক্তি দক্ষতা: পুনর্জন্মমূলক ব্রেকিংয়ের মাধ্যমে ৩০% কম বিদ্যুৎ খরচ।

মূল অ্যাপ্লিকেশন

১. উন্নত প্যাকেজিং
• 3D IC: ওয়েফার থিনিং লজিক/মেমোরি চিপগুলির (যেমন, HBM স্ট্যাক) উল্লম্ব স্ট্যাকিং সক্ষম করে, যা 2.5D সলিউশনের তুলনায় 10× বেশি ব্যান্ডউইথ এবং 50% কম বিদ্যুৎ খরচ অর্জন করে। এই সরঞ্জামটি হাইব্রিড বন্ধন এবং TSV (থ্রু-সিলিকন ভায়া) ইন্টিগ্রেশন সমর্থন করে, যা AI/ML প্রসেসরের জন্য গুরুত্বপূর্ণ যার জন্য <10 μm ইন্টারকানেক্ট পিচ প্রয়োজন। উদাহরণস্বরূপ, 25 μm এ পাতলা করা 12-ইঞ্চি ওয়েফারগুলি <1.5% ওয়ারপেজ বজায় রেখে 8+ স্তর স্ট্যাক করার অনুমতি দেয়, যা অটোমোটিভ LiDAR সিস্টেমের জন্য অপরিহার্য।

• ফ্যান-আউট প্যাকেজিং: ওয়েফারের পুরুত্ব 30 μm-এ কমিয়ে, আন্তঃসংযোগের দৈর্ঘ্য 50% কমানো হয়, সিগন্যাল বিলম্ব (<0.2 ps/mm) কমানো হয় এবং মোবাইল SoC-এর জন্য 0.4 মিমি অতি-পাতলা চিপলেট সক্ষম করা হয়। প্রক্রিয়াটি ওয়ারপেজ (>50 μm TTV নিয়ন্ত্রণ) প্রতিরোধ করার জন্য চাপ-ক্ষতিপূরণপ্রাপ্ত গ্রাইন্ডিং অ্যালগরিদম ব্যবহার করে, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি RF অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করে।

২. পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স
• IGBT মডিউল: ৫০ μm পর্যন্ত পাতলা করলে তাপ প্রতিরোধ ক্ষমতা <0.5°C/W পর্যন্ত কমে যায়, যার ফলে ১২০০V SiC MOSFET গুলি ২০০°C জংশন তাপমাত্রায় কাজ করতে পারে। আমাদের সরঞ্জামগুলি মাল্টি-স্টেজ গ্রাইন্ডিং (মোটা: ৪৬ μm গ্রিট → ফাইন: ৪ μm গ্রিট) ব্যবহার করে ভূ-পৃষ্ঠের ক্ষতি দূর করে, ১০,০০০ চক্রের বেশি তাপীয় সাইক্লিং নির্ভরযোগ্যতা অর্জন করে। এটি EV ইনভার্টারের জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ, যেখানে ১০ μm-পুরু SiC ওয়েফারগুলি সুইচিং গতি ৩০% উন্নত করে।
• GaN-on-SiC পাওয়ার ডিভাইস: 80 μm পর্যন্ত ওয়েফার থিনিং 650V GaN HEMT-এর জন্য ইলেকট্রন গতিশীলতা (μ > 2000 cm²/V·s) বৃদ্ধি করে, যা পরিবাহী ক্ষতি 18% হ্রাস করে। প্রক্রিয়াটি লেজার-সহায়তাযুক্ত ডাইসিং ব্যবহার করে পাতলা করার সময় ক্র্যাকিং প্রতিরোধ করে, RF পাওয়ার অ্যামপ্লিফায়ারের জন্য <5 μm এজ চিপিং অর্জন করে।

৩. অপটোইলেকট্রনিক্স
• GaN-on-SiC LEDs: ৫০ μm নীলকান্তমণি সাবস্ট্রেটগুলি ফোটন ট্র্যাপিং কমিয়ে আলো নিষ্কাশন দক্ষতা (LEE) ৮৫% (১৫০ μm ওয়েফারের জন্য ৬৫% বনাম) উন্নত করে। আমাদের সরঞ্জামের অতি-নিম্ন TTV নিয়ন্ত্রণ (<০.৩ μm) ১২-ইঞ্চি ওয়েফার জুড়ে অভিন্ন LED নির্গমন নিশ্চিত করে, যা মাইক্রো-LED ডিসপ্লের জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ যার জন্য <১০০nm তরঙ্গদৈর্ঘ্যের অভিন্নতা প্রয়োজন।
• সিলিকন ফোটোনিক্স: ২৫μm-পুরু সিলিকন ওয়েফার ওয়েভগাইডে ৩ dB/cm কম প্রচার ক্ষতি সক্ষম করে, যা ১.৬ Tbps অপটিক্যাল ট্রান্সসিভারের জন্য অপরিহার্য। এই প্রক্রিয়াটি CMP মসৃণকরণকে একীভূত করে পৃষ্ঠের রুক্ষতা Ra <0.1 nm-এ কমিয়ে আনে, যা কাপলিং দক্ষতা ৪০% বৃদ্ধি করে।

৪. এমইএমএস সেন্সর
• অ্যাক্সিলোমিটার: ২৫ মাইক্রোমিটার সিলিকন ওয়েফারগুলি প্রুফ-ভর স্থানচ্যুতি সংবেদনশীলতা বৃদ্ধি করে SNR>৮৫ dB (৫০ মাইক্রোমিটার ওয়েফারের জন্য ৭৫ dB বনাম) অর্জন করে। আমাদের ডুয়াল-অক্ষ গ্রাইন্ডিং সিস্টেম স্ট্রেস গ্রেডিয়েন্টের জন্য ক্ষতিপূরণ দেয়, -৪০°C থেকে ১২৫°C তাপমাত্রায় <০.৫% সংবেদনশীলতা প্রবাহ নিশ্চিত করে। অ্যাপ্লিকেশনগুলির মধ্যে রয়েছে অটোমোটিভ ক্র্যাশ সনাক্তকরণ এবং AR/VR গতি ট্র্যাকিং।

• প্রেসার সেন্সর: ৪০ μm পর্যন্ত পাতলা করার ফলে ০.১% FS হিস্টেরেসিস সহ ০-৩০০ বার পরিমাপের রেঞ্জ সম্ভব হয়। অস্থায়ী বন্ধন (গ্লাস ক্যারিয়ার) ব্যবহার করে, এই প্রক্রিয়াটি ব্যাকসাইড এচিংয়ের সময় ওয়েফার ফ্র্যাকচার এড়ায়, শিল্প IoT সেন্সরগুলির জন্য <১ μm অতিরিক্ত চাপ সহনশীলতা অর্জন করে।

• কারিগরি সমন্বয়: আমাদের ওয়েফার থিনিং সরঞ্জামগুলি বিভিন্ন উপাদানের চ্যালেঞ্জ (Si, SiC, নীলকান্তমণি) মোকাবেলা করার জন্য যান্ত্রিক গ্রাইন্ডিং, CMP এবং প্লাজমা এচিংকে একত্রিত করে। উদাহরণস্বরূপ, GaN-on-SiC-এর কঠোরতা এবং তাপীয় প্রসারণের ভারসাম্য বজায় রাখার জন্য হাইব্রিড গ্রাইন্ডিং (হীরার চাকা + প্লাজমা) প্রয়োজন, যেখানে MEMS সেন্সরগুলি CMP পলিশিংয়ের মাধ্যমে 5 nm-এর নীচে পৃষ্ঠের রুক্ষতা দাবি করে।

• শিল্পের প্রভাব: পাতলা, উচ্চ-কার্যক্ষমতাসম্পন্ন ওয়েফার সক্ষম করে, এই প্রযুক্তি AI চিপস, 5G mmWave মডিউল এবং নমনীয় ইলেকট্রনিক্সে উদ্ভাবন আনে, যার মধ্যে TTV সহনশীলতা <0.1 μm ভাঁজযোগ্য ডিসপ্লের জন্য এবং <0.5 μm স্বয়ংচালিত LiDAR সেন্সরের জন্য।

XKH এর পরিষেবা

১. কাস্টমাইজড সমাধান
স্কেলেবল কনফিগারেশন: স্বয়ংক্রিয় লোডিং/আনলোডিং সহ ৪-১২-ইঞ্চি চেম্বার ডিজাইন।
ডোপিং সাপোর্ট: Er/Yb-ডোপড স্ফটিক এবং InP/GaAs ওয়েফারের জন্য কাস্টম রেসিপি।

২. এন্ড-টু-এন্ড সাপোর্ট
প্রক্রিয়া উন্নয়ন: অপ্টিমাইজেশন সহ বিনামূল্যে ট্রায়াল চলে।
বিশ্বব্যাপী প্রশিক্ষণ: রক্ষণাবেক্ষণ এবং সমস্যা সমাধানের উপর প্রতি বছর প্রযুক্তিগত কর্মশালা।

৩. বহু-উপাদান প্রক্রিয়াকরণ
SiC: Ra <0.1 nm সহ ওয়েফার পাতলা হয়ে ১০০ μm।
নীলকান্তমণি: UV লেজার জানালার জন্য 50μm পুরুত্ব (ট্রান্সমিট্যান্স >92%@200 nm)।

৪. মূল্য সংযোজন পরিষেবা
ভোগ্যপণ্য সরবরাহ: ডায়মন্ড হুইল (প্রতি লাইফ ২০০০+ ওয়েফার) এবং সিএমপি স্লারি।

উপসংহার

এই ওয়েফার পাতলা করার সরঞ্জামটি শিল্প-নেতৃস্থানীয় নির্ভুলতা, বহু-উপাদান বহুমুখীতা এবং স্মার্ট অটোমেশন প্রদান করে, যা এটিকে 3D ইন্টিগ্রেশন এবং পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সের জন্য অপরিহার্য করে তোলে। XKH বিস্তৃত পরিষেবাগুলি - কাস্টমাইজেশন থেকে পোস্ট-প্রসেসিং পর্যন্ত - ক্লায়েন্টদের সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদনে খরচ দক্ষতা এবং কর্মক্ষমতা শ্রেষ্ঠত্ব অর্জন নিশ্চিত করে।