স্যাফায়ার এপি-লেয়ার ওয়েফার গ্যালিয়াম নাইট্রাইড এপিটাক্সিয়াল ওয়েফারে 100 মিমি 4 ইঞ্চি GaN

(1) উচ্চ তাপমাত্রার বেকিং, নীলকান্তমণি সাবস্ট্রেটকে প্রথমে হাইড্রোজেন বায়ুমণ্ডলে 1050℃ এ উত্তপ্ত করা হয়, উদ্দেশ্য সাবস্ট্রেট পৃষ্ঠ পরিষ্কার করা;

(2) যখন সাবস্ট্রেটের তাপমাত্রা 510℃ এ নেমে যায়, তখন নীলা সাবস্ট্রেটের পৃষ্ঠে 30nm পুরুত্বের একটি নিম্ন-তাপমাত্রার GaN/AlN বাফার স্তর জমা হয়;

(3) তাপমাত্রা বৃদ্ধি 10 ℃, প্রতিক্রিয়া গ্যাস অ্যামোনিয়া, trimethylgallium এবং silane ইনজেকশনের হয়, যথাক্রমে সংশ্লিষ্ট প্রবাহ হার নিয়ন্ত্রণ, এবং 4um পুরুত্বের সিলিকন-ডোপড N-টাইপ GaN জন্মানো হয়;

(4) ট্রাইমিথাইল অ্যালুমিনিয়াম এবং ট্রাইমিথাইল গ্যালিয়ামের বিক্রিয়া গ্যাস সিলিকন-ডোপড N-টাইপ A⒑ মহাদেশ তৈরি করতে 0.15um পুরুত্বের সাথে ব্যবহার করা হয়েছিল;

(5) 50nm Zn-doped InGaN প্রস্তুত করা হয়েছিল যথাক্রমে 8O0℃ তাপমাত্রায় ট্রাইমিথাইলগ্যালিয়াম, ট্রাইমেথিলিন্ডিয়াম, ডাইথিলজিঙ্ক এবং অ্যামোনিয়া ইনজেকশনের মাধ্যমে এবং বিভিন্ন প্রবাহের হার নিয়ন্ত্রণ করে;

(6) তাপমাত্রা 1020 ℃ পর্যন্ত বৃদ্ধি করা হয়েছিল, ট্রাইমেথাইলালুমিনিয়াম, ট্রাইমিথাইলগালিয়াম এবং বিআইএস (সাইক্লোপেন্টাডিনাইল) ম্যাগনেসিয়াম 0.15 মিলিগ্রাম ডোপড পি-টাইপ অ্যালগ্যান এবং 0.5 মিলিগ্রাম ডোপড পি-টাইপ জি রক্তের গ্লুকোজ প্রস্তুত করতে ইনজেকশন দেওয়া হয়েছিল;

(7) উচ্চ মানের পি-টাইপ GaN Sibuyan ফিল্ম 700℃ এ নাইট্রোজেন বায়ুমণ্ডলে annealing দ্বারা প্রাপ্ত করা হয়েছিল;

(8) এন-টাইপ জি স্ট্যাসিস পৃষ্ঠকে প্রকাশ করতে পি-টাইপ জি স্ট্যাসিস পৃষ্ঠের উপর এচিং করা;

(9) p-GaNI পৃষ্ঠে Ni/Au যোগাযোগ প্লেটের বাষ্পীভবন, ইলেক্ট্রোড গঠনের জন্য ll-GaN পৃষ্ঠে △/Al যোগাযোগ প্লেটের বাষ্পীভবন।