স্যাফায়ার এপি-লেয়ার ওয়েফারে 50.8 মিমি 2 ইঞ্চি GaN

গ্যালিয়াম নাইট্রাইডের কর্মক্ষমতার উপর ভিত্তি করে, গ্যালিয়াম নাইট্রাইড এপিটাক্সিয়াল চিপগুলি প্রধানত উচ্চ শক্তি, উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি এবং কম ভোল্টেজ অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত।

এটি প্রতিফলিত হয়:

1) উচ্চ ব্যান্ডগ্যাপ: উচ্চ ব্যান্ডগ্যাপ গ্যালিয়াম নাইট্রাইড ডিভাইসের ভোল্টেজের স্তরকে উন্নত করে এবং গ্যালিয়াম আর্সেনাইড ডিভাইসের তুলনায় উচ্চ শক্তি আউটপুট করতে পারে, যা 5G যোগাযোগ বেস স্টেশন, সামরিক রাডার এবং অন্যান্য ক্ষেত্রের জন্য বিশেষভাবে উপযুক্ত;

2) উচ্চ রূপান্তর দক্ষতা: গ্যালিয়াম নাইট্রাইড সুইচিং পাওয়ার ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলির অন-প্রতিরোধ সিলিকন ডিভাইসের তুলনায় 3 মাত্রার কম, যা অন-সুইচিং ক্ষতিকে উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস করতে পারে;

3) উচ্চ তাপ পরিবাহিতা: গ্যালিয়াম নাইট্রাইডের উচ্চ তাপ পরিবাহিতা এটিকে উচ্চ-শক্তি, উচ্চ-তাপমাত্রা এবং ডিভাইসের অন্যান্য ক্ষেত্রগুলির উত্পাদনের জন্য উপযুক্ত তাপ অপচয়ের পারফরম্যান্সকে চমৎকার করে তোলে;

4) ব্রেকডাউন বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের শক্তি: যদিও গ্যালিয়াম নাইট্রাইডের ভাঙ্গন বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের শক্তি সিলিকন নাইট্রাইডের কাছাকাছি, সেমিকন্ডাক্টর প্রক্রিয়া, উপাদান জালির অমিল এবং অন্যান্য কারণগুলির কারণে, গ্যালিয়াম নাইট্রাইড ডিভাইসগুলির ভোল্টেজ সহনশীলতা সাধারণত প্রায় 1000V হয় এবং নিরাপদ ব্যবহারের ভোল্টেজ সাধারণত 650V এর নিচে থাকে।

* অন্যান্য বেধ কাস্টমাইজ করা যাবে